Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Delineation of ore zones using the concentration-volume fractal method in the Dagh Dali Zn-Pb (±Au) prospect, north of Takab (Iran)

Motlagh Zahra Yekani, Imamalipour Ali, Bazdar Habibollah

Geological Quarterly

|

2020

|

Vol. 64, No. 2

275--287

EN

The Dagh Dali Zn-Pb (±Au) hydrothermal prospect is located in the north-west of Iran. Identification of mineralized zones is essential in ore deposit exploration. Different methods have been developed and applied to separate mineralized zones from barren host rocks based on mineralogical and petrographical studies, alteration and host rock changes as well as statistical and geostatistical parameters. This study uses the ordinary kriging technique and the concentration-volume fractal (C-V) method to model the ore body and recognize the ore grade distribution. These techniques were applied on the drillcore data and C-V fractal modelling, values of various ore zones being determined. Four breakpoints were found in the log-log plots which correspond to concentrations of 5.4, 10.5, and 17.8 wt.% Zn. The extractable ore zone for Zn is considered to be in the concentaration range of 5.4 to 17.8 wt.%. Compared to the amount of reserve obtained from the geostatistical method (303,685 tons), it seems that the fractal method is more precise and accurate in the estimation of ore reserves.

2

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej

Szyszka A., Szymański T., Tłaczała M., Wośko M., Paszkiewicz R.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

58--60

PL

Znaczne niedopasowanie stałych sieciowych oraz współczynników rozszerzalności cieplnej występujące pomiędzy warstwą epitaksjalną, a podłożem w heterostrukturach AlGaN/GaN/Si skutkuje dużą ilością defektów strukturalnych oraz występowaniem niejednorodności właściwości półprzewodnika. W prezentowanej pracy do zobrazowania lokalnych powierzchniowych niejednorodności elektrycznych właściwości AlGaN/GaN osadzanych na podłożu krzemowym techniką MOCVD została wykorzystana technika skaningowej mikroskopii pojemnościowej. Z analizy dwuwymiarowych map sygnału SCM oraz widm dC/dVAmp =f(VDC) w różnych obszarach powierzchni próbki wynika, że ujemny ładunek zgromadzony na dyslokacjach wstępujących w warstwach epitaksjalnych wpływa na właściwości powierzchni, lecz może nie mieć zdecydowanego wpływu na powstawanie dwuwymiarowego gazu elektronowego na interfejsie AlGaN/GaN.

EN

Large mismatch of lattice constants and thermal expansion coefficients between materials in AlGaN/GaN/Si heterostructures lead to high density of structural defects and material inhomogeneities in layers. In the presented work, local electronic properties of AlGaN/GaN/Si heterostructures are investigated using scanning capacitance microscopy. Analysis of two dimensional images of SCM signal and dC/dVAmp =f(VDC) spectrum allowed to conclude that negative charge accumulated at dislocations in epitaxial layers could affect the surface electronic state of the structure but might not have major impact on two dimensional electron gas formation at the AlGaN/GaN interface.

3

Electro-optical properties of diluted GaAsN on GaAs grown by APMOVPE

Kamyczek P., Biegański P., Płaczek-Popko E., Zielony E., Gelczuk Ł., Sciana B., Pucicki D., Radziewicz D., Tlaczala M, Kopalko K., Dabrowska-Szata M.

Materials Science Poland

|

2013

|

Vol. 31, No. 4

595--600

EN

In this paper we report on the optical and electrical studies of single GaAs1-xNx epitaxial layers grown on GaAs substrates by means of atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (APMOVPE). Three kinds of samples with 1.2 %, 1.6 % and 2.7 % nitrogen content were studied. Optical properties of the layers were investigated with the use of room temperature transmittance and reflectance measurements. Subsequently Schottky Au–GaAs1-xNx contacts were processed and characterized by current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements within 80 – 480 K temperature range. From the I-V and C-V characteristics the ideality factor, series resistance and built-in potential were determined. Obtained diodes can be used for further studies on defects with the use of DLTS method.

4

Elektryczne profile w epitaksjalnym GaAs:Si z dużą koncentracją defektów o niejednorodnych rozkładach przestrzennych indukowanych przerwą wzrostu

Kaczmarczyk M., Kaniewska M., Engström O.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 5

163-171

PL

Przedmiotem badań w niniejszej pracy były głębokie pułapki w strukturach z GaAs:Si, które stanowiły odniesienie dla struktur z kropkami kwantowymi (quantum dots, QDs) z InAs/GaAs. Struktury te wykonano podobnie jak struktury z QDs, tj. epitaksją z wiązek molekularnych (molecular beam epitaxy, MBE) stosując technikę przerwy wzrostu w nadmiarze arsenu, jedynie wykluczając depozycję In. Pułapki charakteryzowano spektroskopią głębokich poziomów (deep level transient spectroscopy, DLTS), techniką pomiarów pojemności w funkcji napięcia polaryzacji, C-V, oraz wykorzystując obie te techniki w modzie profilowań wgłębnych. Profilowanie C-V włącza opis teoretyczny, który uwzględnia wyniki DLTS, tj. wysoką koncentrację defektów R4 i R5 i ich niejednorodny rozkładach przestrzenny. Umożliwił on interpretację tych zarówno już znanych, jak i nowych anomalii zaobserwowanych w takiej sytuacji w eksperymentalnych rozkładach koncentracji nośników. Zaproponowany model teoretyczny wraz z wynikami pomiarów w szerokim zakresie temperatury i ich prezentacją w postaci konturowych wykresów koncentracji nośników, Ncv, na płaszczyźnie we współrzędnych napięcia, VR i temperatury, T, (VR, T) stanowi alternatywne podejście w zakresie charakteryzacji defektów. Prezentowana metodologia profilowania C-V ma charakter ogólnego zastosowania i może być wykorzystana w diagnostyce zdefektowanych materiałów i struktur.

EN

Deep level transient spectroscopy, DLTS, and capacitance versus voltage measurements, C-V, as well as both techniques in their profiling modes, were used to study electron traps in MBE-grown GaAs structures. The structures were reference samples for devices containing InAs/GaAs quantum dots and were prepared by an identical technique, except for the introduction of the quantum dots. C-V profiling includes theoretical description and interpretation of new anomalies in the carriers concentration profiles found in the presence of the defects with high concentrations and inhomogeneous distributions. The theoretical model together with experimental results of free-carrier concentrations in a wide temperature range and their presentation in a contour representation on a (VR T)- plane is a novel approach for defect characterization. The methodology can be used for diagnostics and characterization of defected semiconductor materials and structures.

5

Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AlGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx /Si3N4 bilayers.

Adamowicz B., Miczek M., Hashizume T., Klimasek A., Żywiecki J.

Optica Applicata

|

2007

|

Vol. 37, nr 4

327-334

EN

AlGaN/GaN heterostructures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers were characterized electrically by capacitance-voltage measurements and chemically by Auger microscopy chemical in-depth profiling. The 2-dimensional electron gas density was estimated from C-V curves and the electronic quality of the bilayers was evaluated from C-V hysteresis. Detailed variations of Auger peaks, in particular for oxygen, silicon, nitrogen, and carbon, versus argon ion sputtering time were registered. The electronic properties of these two structures were compared with each other and to their chemistry.

6

DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content

Durov S., Mironov O. A., Myronov M., Whall T. E., Parker E. H. C., Hackbarth T., Hoeck G., Herzog H. J., König U., Känel von H.

Journal of Telecommunications and Information Technology

|

2005

|

nr 1

101-111

EN

Measurements of current drive in p-Si1-xGex MOSFETs, with x = 0.7, 0.8 reveal an enhancement ratio of over 2 times as compared to a Si device at an effective channel length of 0.55 žm. They also show a lower knee voltage in the output I-V characteristics while retaining similar values of drain induced barrier lowering, subthreshold swing, and off current for devices with a Sb punch-through stopper. For the first time, we have quantitatively explained the low-frequency noise reduction in metamorphic, high Ge content, SiGe PMOSFETs compared to Si PMOSFETs.