Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: Bragg mirror

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Influence of a back side dielectric mirror on thin film silicon solar cells performance

Cieslak Krystian, Fave Alain, Lemiti Mustapha

Optica Applicata

2019

Vol. 49, nr 1

151--159

Back side p+ emitter thin silicon solar cells have been constructed using vapor phase epitaxy. Double porous structure on a c-Si substrate was used as a seed substrate in order to enable active layer separation after vapor phase epitaxy growth. Structure of the back side emitter solar cell was obtained in situ during the epitaxy process. In order to enhance solar cell response to light from a range of 700–1200 nm wavelength, the back side dielectric mirror was developed and optimized by means of a computer simulation and deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. At the same time, a reference sample was fabricated. Comparison of solar cells performance with or without the back side mirror was performed and clearly shows that the quality of solar light conversion into the electricity by means of solar cells, can be improved by using the structure proposed in this article.

Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs

Możdżonek M., Gaca J., Wesołowski M.

Materiały Elektroniczne

2012

T. 40, nr 2

11-16

Metodę spektroskopii odbiciowej w zakresie dalekiej podczerwieni zastosowano do badań zwierciadeł Bragga wykonanych z AlAs/GaAs na podłożu GaAs. Pomiary widm odbicia zwierciadeł zostały wykonane dla różnych kątów padania fali na próbkę oraz z polaryzacją fali s i p. Otrzymane z pomiarów widma analizowane były numerycznie, poprzez dopasowanie widma teoretycznego do widma zmierzonego. Klasyczną teorię dyspersji zastosowano do wyznaczenia funkcji dielektrycznych związków GaAs i AlAs . Z dopasowania widm wyznaczono grubości warstw wchodzących w skład badanej struktury oraz określono koncentracje nośników w warstwach. Wyniki pracy pokazują, że za pomocą widm odbicia z dalekiej podczerwieni można dokonać charakteryzacji zwierciadeł Bragga wykonanych z GaAs/AlAs.

We present a study of GaAs/AlAs Bragg mirrors grown on GaAs substrates. Far-infrared reflectivity spectra were measured using polarized oblique-incidence Fourier transform spectroscopy. The optics of the features observed were analyzed, with respect to a given resonance mode. The far-infrared spectra were numerically modelled within a classical dispersion theory and then compared with the experimental data. The thicknesses of the layers and the free carrier concentration were determined when the best agreement between experimental and calculated spectra was reached. The results demonstrate that the oblique incidence far-infrared reflectance techniques can be applied to the characterization of GaAs/AlAs Bragg mirrors.