Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: AIIIN

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2’’

Pokryszka Piotr, Wośko Mateusz, Paszkiewicz Regina

Przegląd Elektrotechniczny

2019

R. 95, nr 10

173--176

W pracy przedstawiono sposób kalibracji temperatury procesu epitaksji w systemie AIXTRON CCS 3x2’’. Kalibrowany system pirometryczny umożliwia monitorowanie in-situ temperatury podłoża na 5’’ grafitowej podstawie, w zakresie temperatur od 400 ͦC do 1300 ͦC z dokładnością do 2 ͦC. Również przedstawiono stanowisko i metodę pomiarową z wykorzystaniem interferencji do określania grubości wytworzonej warstwy. Jako źródło światła wykorzystano ciało doskonale czarne rozgrzane do temperatury 1060 ͦC i heterostrukturę AlGaN/GaN/Al203. Pomiary grubości warstwy zostały wykonane ex-situ, lecz z powodzeniem mogą zostać wykonane in-situ.

The paper presents the method of temperature calibration of the epitaxy process in the AIXTRON CCS 3x2'' system. The pyrometric system calibrated allows to monitor in-situ the temperature of the substrate on a 5'' graphite base, within the temperature range from 400 ͦC to 1300 ͦC with an accuracy of 2 ͦC. Also the stand and the measurement method with the use of interference to determine the thickness of the created layer are presented. As a light source, a black body heated to 1060 ͦC and heterostructure AlGaN/GaN/Al203 were used. Layer thickness measurements were taken ex-situ, but can be successfully done in-situ.

Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie

Wójcik M., Gaca J., Turos A., Strupiński W., Caban P., Borysiuk J., Pathak A. P., Sathish N.

Materiały Elektroniczne

2008

T. 36, nr 4

61-84

Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.

The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers