Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie funkcjonowania gospodarki magazynowej w przedsiębiorstwie X

Kijek M., Zelkowski J., Teklińska D., Zaborowicz-Malcherczyk O.

Gospodarka Materiałowa i Logistyka

2018

nr 5

306--316, CD

W artykule przedstawiono modelowanie i analizę funkcjonowania gospodarki magazynowej na przykładzie przedsiębiorstwa handlowego X. Na podstawie prowadzonej działalności podzielono asortyment na trzy grupy: terminowo-cykliczne, sezonowe oraz nieplanowane, a następnie dokonano charakterystyki dostawców uwzględniającej rodzaj produktu.. Na podstawie danych dotyczących wybranego asortymentu dokonano analizy oraz wyznaczono Ekonomiczne Wielkości Dostawy.

The paper presents the modeling and analysis of the functioning of the warehouse on the example of a trading company X. Based on its business range is divided into three groups: timely-cyclical, seasonal and unplanned, and next the type of product suppliers were characterized. Based on the data of the selected assortment, an analysis was made and the Economic Order Quantity was determined.

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi

Sakowska H., Mazur K., Teklińska D., Wierzchowski W., Wieteska K., Gała M.

Materiały Elektroniczne

2012

T. 40, nr 2

3-10

W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu utleniania chemicznego i wygrzewania na poprawę jakości polerowanej, krzemowej, powierzchni płytek SiC. Do chemicznego utleniania zastosowano reakcję Fentona. Czynnikiem utleniającym były rodniki hydroksylowe (OH*) powstające z rozkładu nadtlenku wodoru (H2O2) w obecności jonów żelaza Fe(II). Uzyskano poprawę parametrów chropowatości przy określonych warunkach utleniania. Wygrzewanie płytek polerowanych standardowo, w odpowiednio dobranych warunkach, pozwoliło na uzyskanie chropowatości na poziomie atomowym Ra ∼ 0,1 nm oraz znaczną redukcję warstwy uszkodzonej. Jakość krystaliczną płytek badano przy użyciu metod rentgenograficznych: dyfraktometrii, topografii i reflektometrii. Pomiary gładkości powierzchni, przed i po obróbce badano przy pomocy mikroskopu optycznego z kontrastem Nomarskiego i mikroskopu sił atomowych AFM.

Experimental results of chemical oxidation and thermal annealing and their influence on the improvement of the quality of the polished surface of silicon carbide (SiC) wafers have been presented. The Fenton process was used in the process of chemical oxidation. Hydroxyl radicals (OH*) generated during the decomposition of a hydrogen peroxide (H2O2) solution were the oxidizing agents. The quality of the roughness parametres was improved. After thermal annealing in vacuum at T 900°C a very smooth surface was obtained, subsurface damaged layers were reduced, with Ra ∼ 0,1 nm. Both the crystallographic quality and roughness of the layers were investigated using X-ray methods. The surface smoothness before and after processing was measured using an atomic force microscope (AFM) and an optical microscope.