Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices

Malinowski A., Tomaszewski D., Łukasiak L., Jakubowski A., Sekine M., Hori M., Korwin-Pawlowski M. L.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2009

nr 4

45-50

Extensive numerical simulations of FinFET structures have been carried out using commercial TCAD tools. A series of plasma etching steps has been simulated for different process conditions in order to evaluate the influence of plasma pressure, composition and powering on the FinFET topography. Next, the most important geometric parameters of the FinFETs have been varied and the electrical characteristics have been calculated in order to evaluate the sensitivity of the FinFET electrical parameters on possible FinFET structure variability.

Osadzanie cienkich warstw magnetycznych z Fe81B13.5 Si3.5Co2 metodą PLD z wykorzystaniem lasera ekscymerowego typu ArF

Mróz W., Prokopiuk A., Korwin-Pawlowski M. L., Burdyńska S., Jedyński M.

Inżynieria Materiałowa

2008

Vol. 29, nr 6

W artykule przedstawiono wyniki eksperymentalne przeprowadzonych na cienkich warstw materiału magnetycznego Fe81B13.5 Si3.5Co2 z wykorzystaniem lasera ekscymerowego ArF (? = 193 nm). Materiał ten, ze względu na potencjalnie duży współczynnik magnetoelastyczności może mieć szerokie zastosowanie do budowy czujników i aparatury pomiarowej. Osadzenia zostały wykonane na polerowanym podłożu krzemowym o orientacji krystalograficznej <100>, w temperaturze: RT, 250°C, 450°C i 550°C. Zaprezentowano wyniki diagnostyk z wykorzystaniem AFM, SEM, FTIR oraz analizy chemicznej osadzonych warstw o zróżnicowanej grubości w różnych warunkach eksperymentalnych.

Depositions of thin films, composed of Fe81B13.5 Si3.5Co2 material were performed with ArF excimer laser (? = 193 nm). The material, with expected large magnetoelastic coefficient is potentially applicable in sensor and actuator technology. Depositions were done on polished <100> orientation Si substratem held at different temperatures: RT, 250oC, 450oC and 550oC. Results of AFM, SEM, FTIR and chemical composition measurements of the layers in function of process parameters and of the resulting thickness of the layers are presented.

Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys

Stęszewski J., Jakubowski A., Korwin-Pawlowski M. L.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2007

nr 3

93-95

A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor device simulation environments.