PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Reliability analysis of forest machines due to FMEA method
Ťavoda P., Kováč J., Łukaszczyk Z. Ł.
Management Systems in Production Engineering
|
2018
|
nr 4 (26)
200--206
EN
The article deals with the research of operational reliability of forest felling machines with the method FMEA (Failure Mode and Effect Analysis) and its implementation for observed machines in the organization. Forwarders 810D by John Deere were chosen for this research. The research was realized in real operational conditions. Application of the FMEA method allows flexibility in case of unexpected situations and optimization of human potential abilities. FMEA tool is a tool preventing outages operational reliability and preventive tool for ensuring the maintenance of facilities. This paper explores and verifies the operational reliability theory in practical real-world conditions, resulting in a reduction in operating (variable) costs, minimization of failures and readiness and increased performance of observed machines.
2
Analiza temperaturowych charakterystyk I-V testowych ogniw słonecznych na bazie związków złożonych (In,Ga)(As,N)
Dawidowski W., Ściana B., Mikolášek M., Kováč J., Tłaczała M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 7
3--5
PL
Analiza temperaturowych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych pozwala na określenie zmian w wartościach podstawowych parametrów ogniwa: gęstości prądów nasycenia j0 i zwarciowego jsc, napięcia rozwarcia Voc, współczynnika wypełnienia FF oraz sprawności konwersji η. Ponadto prezentowane wyniki umożliwiają porównanie charakterystyk ogniwa pracującego przy oświetleniu widmem AM 1.5 oraz 20-krotnie skoncentrowanym promieniowaniem słonecznym.
EN
The analysis of current-voltage-temperature (I-V-T) characteristics of solar cells enables to observe the changes in the saturation j0 and short circuit jsc current densities, open circuit voltage Voc, fill factor FF and conversion efficiency η versus the temperature. Moreover the presented results compare I-V-T characteristics measured under AM 1.5 and concentrated 20×AM 1.5 spectrum.
3
Zastosowanie funkcji Lamberta W do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu ogniw słonecznych
Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 8
22-24
PL
Znajomość podstawowych parametrów modelu jednodiodowego ogniwa słonecznego pozwala na porównanie parametrów ogniw wytwarzanych różnymi technologiami. Ponadto, umożliwia symulowanie pracy ogniw słonecznych oraz analizowanie ich modeli zastępczych. W pracy omówiono właściwości funkcji specjalnej Lamberta W oraz przedstawiono jej wykorzystanie do wyznaczania parametrów jednodiodowego modelu zastępczego ogniwa na podstawie zmierzonych charakterystyk I–V: ciemnych i jasnych.
EN
The knowledge of single diode model parameters is essential for comparison of solar cells fabricated with different methods. Moreover, it enables the simulation of solar cell devices and analysing their equivalent circuits. In this work we present the single diode model of solar cell, the properties of Lambert W function and its application for determining the single diode model parameters, based on measured dark and illuminated I–V characteristics.
4
Content available AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolásek M., Latkowska M., Radziewicz D., Pucicki D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.
International Journal of Electronics and Telecommunications
|
2014
|
Vol. 60, No. 2
151-156
EN
Tandem (two p-n junctions connected by tunnel junction) and multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds and alloys are the most effective photovoltaic devices. Record efficiency of the MJSCs exceeds 44% under concentrated sunlight. Individual subcells connected in series by tunnel junctions are crucial components of these devices. In this paper we present atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP-MOVPE) of InGaAsN based subcell for InGaAsN/GaAs tandem solar cell. The parameters of epitaxial structure (optical and electrical), fabrication process of the test solar cell devices and current-voltage (J-V) characteristics are presented and discussed.
5
Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs
Dawidowski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Mikolášek M., Pucicki D., Radziewicz D., Bielak K., Badura M., Kováč J., Tłaczała M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 8
40-42
PL
Wielozłączowe ogniwa słoneczne na bazie półprzewodników złożonych AIIIBV należą do najbardziej wydajnych przyrządów fotowoltaicznych. Sprawność konwersji takich ogniw przekracza 40% przy zastosowaniu skoncentrowanego promieniowania słonecznego. Ważnymi elementami w konstrukcji takiego przyrządu są poszczególne podogniwa wykonane z różnych materiałów półprzewodnikowych. W niniejszej pracy przedstawiono technologię AP-MOVPE dolnego podogniwa na bazie InGaAsN oraz wyniki charakteryzacji otrzymanej struktury epitaksjalnej. Ponadto zaprezentowano wyniki pomiarów J-V wytworzonych ogniw słonecznych typu p-i-n.
EN
Multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds are the most effective photovoltaic devices. Efficiency of the MJSC devices exceeds 40% under concentrated sunlight. Individual subcells based on different semiconductors are crucial components of tandem solar cell. In this papers we describe AP-MOVPE technology of the bottom InGaAsN subcell and characterization of its epitaxial structure. Moreover, the fabrication process of the test solar cell structure and J-V measurement results are presented and discussed.
6
Content available remote Profiling integrated manipulation in automated production and assembly
Valenčik Š., Kováč J.
Technologia i Automatyzacja Montażu
|
2010
|
nr 4
36-41
EN
The contribution focuses on profiling techniques of material flow set to the compilation of chains of manipulation and automated production assembly. The solution bases on an analysis of production-logistics relationships. Base using formal methods and tools, and computer graphics modeling material flow. The result is the generation of solutions and simulates the profile handling in the manufacturing / assembly system in the program OptiMan.
7
Content available remote Technology and properties of GaAs doping superlattices
Ściana B., Radziewicz D., Pucicki D., Tłaczała M., Sęk G., Poloczek P., Misiewicz J., Kováč J., Srnanek R., Christofi A.
Materials Science Poland
|
2008
|
Vol. 26, No. 1
71--78
EN
Heterojunction and doping superlattices are widely used in many advanced semiconductor devices such as resonant tunnelling diodes, optical modulators, cascade lasers, tunable light emitting diodes and photodetectors. These structures exhibit nonlinear electrooptical properties. Nonlinear processes are governed by the Franz-Keldysh effect and the band-filling effect in the n-i-p-i superlattices and by the quantum-confined Stark effect in the case of n-i-p-i multiple quantum well structures. The paper presents investigations of GaAs n-i-p-i and p-i-p-i doping superlattices grown by atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy. The properties of the obtained structures were examined using: EC-V method, SIMS spectrometry, photoluminescence and photoreflectance spectroscopy.
8
Planarne domieszkowanie krzemem naprężonych studni kwantowych InxGa1-xAs/GaAs w technice MOVPE
Ściana B., Radziewicz D., Paszkiewicz B., Tłaczała M., Sitarek P., Kudrawiec R., Misiewicz J., Kováč J., Florovič M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 2-3
14-15
PL
Przedstawiono wyniki badań, dotyczące procesów planarnego domieszkowania krzemem naprężonych, pojedynczych studni kwantowych InxGa1-xAs/GaAs w technice MOVPE. Badano wpływ parametrów procesu domieszkowania oraz szerokości studni kwantowej na rozkład domieszki krzemowej. Wprowadzenie domieszki typu delta do studni kwantowej w znaczący sposób zwiększa jej przestrzenne ograniczenie. Ponadto powoduje silną modyfikację przejść optycznych i wzmocniony efekt Starka.
EN
This work presents the studies of Si-δ-doped InxGa1-x As/GaAs strained quantum well obtained by MOVPE technology. The influence of the growth parameters and quantum well width on silicon dopant distribution was investigated. It was shown that introducing delta layer into quantum well gives better carrier confinement. In addition, the PR and PC spectra of Si-δ-doped InxGa1-x As/GaAs SQW confirmed significant modification of the optical transitions and enhanced QCSE.
9
Mechatronic aspects of wired in-pipe passive smart bristle micromachine design
Dovica M., Gorzás M., Katuch P., Kováč J., Ondočko S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 8-9
167-169
EN
In this paper we describe design and modelling of the wired in-pipe micromachine which is able to self motion in pipe with inner diameter 35 mm. Micromachine is used tor inspection of inner surface defects Motion principle is based on transformation of the rotary to the linear motion by the worm gearing and the crank mechanism. The mathematical and graphical model of passive smart bristle and experiments of simulation we have analysed. Control system design respects of the continuous movement requirements in case of loading conditions.
PL
W artykule opisano konstrukcję oraz modelowanie instalowanej wewnątrz rury mikromaszyny, która potrafi sama poruszać się w rurach o wewnętrznej średnicy 35 mm. Mikromaszyna wykorzystywana jest do wykrywania i badania uszkodzeń wewnętrznej powierzchni rury. Zasada poruszania się bazuje na zamianie ruchu obrotowego na liniowy za pomocą przekładni ślimakowej oraz mechanizmu korbowego. Przeanalizowano matematyczny i graficzny model biernej inteligentnej wypustki oraz rezultaty badań symulacyjnych. Struktura systemu sterowania uwzględnia wymagania ruchu ciągłego w przypadku występowania obciążenia.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.