PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wielozłączowe ogniwa słoneczne
Dumiszewska E., Knyps P., Wesołowski M., Strupiński W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 5
215--221
PL
W pracy przedstawiono przegląd różnych technologii ogniw słonecznych. W dalszej części pracy skoncentrowano się na ogniwach wytwarzanych z materiałów AIIIBV – wielozłączowych ogniwach słonecznych. Technologia takich ogniw jest rozwijana w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Wytworzonostruktury wielozłączowych ogniw słonecznych oraz gotowe przyrządy.
EN
In this work a variety of solar cell technologies have been presented. AIIIBV multijunction solar cells have been subsequently described. The methodology of their production has been developed at the Institute of Electronic Materials Technology. So far the epi structures of multijunction solar cells and solar cells have been manufactured.
2
Pomiary elektryczne i optyczne ogniw fotowoltaicznych Ge/InGaAs/InGaP
Knyps P., Dumiszewska E., Wesołowski M., Strupiński W., Kalbarczyk J., Teodorczyk M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 5
22-24
PL
W artykule omówiono metody pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw wielozłączowych, a także sposoby wyznaczania zewnętrznej i wewnętrznej wydajności kwantowej. Prezentowane wyniki dotyczą ogniw wielozłączowych wytwarzanych z materiałów Ge/InGaAs/InGaP w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie.
EN
In this article we discuss the measurement methods of current-voltage characteristics of multijunction solar cells as well as external and internal quantum efficiencies. The showed results were obtained as a result of the measurements of Ge/InGaAs/InGaP solar cells performed at the Institute of Electronic Materials Technology.
3
Technological issues and optimization processes of junctions in a multijunction pv cell based on ingap/ingaas/ge materials
Knyps P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 6
107-108
EN
Epitaxial structures made from 3 different materials act as photovoltaic solar cells in different spectrum ranges. Their electrical parameters are still improved by optimization of technological processes. We also plan to interconnect the separate junction with the stacked triple junction cell by tunnel junctions.
4
Content available Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge
Dumiszewska E., Knyps P., Teodorczyk M., Wesołowski M., Strupiński W.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
10-14
PL
W pracy przedstawiono proces wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych opartych o związki AIII-BV z wykorzystaniem technik osadzania MOCVD. Zaprezentowano także wstępne wyniki pomiarów elektrooptycznych pojedynczego złącza struktury Ge/InGaP:Si wykonanego w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Złącze to powstało w wyniku dyfuzji atomów fosforu z warstwy InGaP. Wszystkie prace technologiczne zostały przeprowadzone w ITME.
EN
This work has been devoted to presenting the process of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on AIII-BV compounds using MOCVD deposition techniques. Moreover, preliminary results of electro-optical measurements performed on a single junction of a Ge/InGaP:Si structure produced in the Institute of Electronic Materials Technology have been introduced. This junction has been created as a result of the diffusion of phosphorus atoms from an InGaP layer. All technological processes have been carried out in ITME.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.