Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Fluorescence labelling

Goldys E.M., Drozdowicz-Tomsia K., Zhu G., Yu H., Yu H., Jinjun S., Motlan M., Godlewski M.

Optica Applicata

2006

Vol. 36, nr 2-3

217-224

Fluorescence labelling has become a technique of increasing importance in modern biotechnology which is increasingly underpinned by advances in materials science. In this paper we describe our contributions to this area. In order to expand the understanding of in vivo fluorescence labelling we carried out the staining of membrane-based structures in effectively secreting Trichoderma reesei using the fluorescent dye FM 4-64 and their confocal microscopy studies. We also describe the observation of efficient fluorescence upconversion in Sm-doped Gd2O3 nanopowders synthesised by the spray pyrolysis method. This result indicates the potential for Sm-doped Gd2O3 to perform as a fluorescent label excited in red, yellow and green and emitting in blue. Finally, we report a simple approach for synthesizing water-soluble CdS nanoparticles by using ethylenediaminetetraacetic acid disodium salt dihydrate (EDTA) as a stabilizer.

In-depth and in-plane profiling of light emission properties from semiconductor-based heterostructures

Godlewski M., Wojtowicz T., Goldys E. M., Phillips M. R., Czernecki R., Prystawko P., Leszczynski M., Perlin P., Grzegory I., Porowski S., Bottcher T., Figge S., Hommel D.

Opto-Electronics Review

2004

Vol. 12, No. 4

353-359

Cathodoluminescence (CL) technique is applied for evaluation of in-depth and in-plane variations of light emission from semiconductor heterostructures, including laser diode structures. Light emission properties of heteroepitaxial and heteroepitaxial structures, are studied. We demonstrate possibility of in-depth profiling of complicated multi quantum well structures, which allows us to evaluate light emission characteristics from different regions of, e.g., laser structures. Due to this property of the CL, we can evaluate interconnections between structural quality of the samples and light emission characteristics. Stimulated emission under electron bean pumping is achieved in a conventional CL, set up for selected heterostructures. Thereshold currents for stimulated emission are evaluated from the CL investigations. We demonstrate that potential fluctuations are not fully screened in the active regions of laser structures, even at large excitation densities.

Atomic layer epitaxy of ZnO for applications in molecular beam epitaxy growth of GaN and InGaN

Godlewski M., Szczerbakow A., Ivanov V. Y., Barski A., Goldys E. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 11

49-52

We report the successful atomic layer epitaxy growth of thin ZnO films and their use as aubstrates for GaN and InGaN epitaxy. The properties of ZnO epilayers, obtained by four different procedures, are analysed, as well, as of GaN and InGaN films grown on ZnO-coated Si and GaAs by MBE.

Struktury kwantowe na bazie GaN sa obecnie stosowane do produkcji wydajnych diod elektroluminescencyjnych (LED) na kolor fioletowy-do-bursztynowego oraz diod laserowych na kolor niebieski. Ma to miejsce pomimo że gęstości dyslokacji w materiałach użytych do produkcji diod sa nadal bardzo wysokie. Te wysokie gęstości dyslokacji, niekorzystne z punktu widzenia mozliwych zastosowań GaN zarówno w optoelektronice, jak i w elektronice, wynikają z braku podłóż o stałych sieciowych dopasowanych do GaN. Większość z obecnie produkowanych diod LED i laserowych konstruowana jest na GaN wzrastanym na silnie niedopasowanym sieciowo szafirze. Lite kryształy GaN dostępne są jedynie w niewielkich ilościach i technologia ich otrzymania jest bardzo skomplikowana. W pierwszej części pracy dyskutowany jest wpływ dyslokacji na procesy rekombinacji promienistej w GaN oraz w strukturach kwantowych na bazie tego materiału. Wykazana jest kluczowa rola procesorów lokalizacji nośników. Silna lokalizacja nośników powoduje, że istnieje ograniczona szansa dotarcia do dyslokacji i rekombinacji niepromienistej. Wykazana jest także bezpośrednia relacja pomiędzy mikrostrukturą warstw GaN i wydajnością oraz jednorodnością procesów emisji światła. W drugiej części pracy omawiamy możliwości użycia płytek krzemu i arsenku galu pokrytych cienkimi warstwami ZnO jako altrnatywnych podłóż do wzrostu warstw GaN. Dyskutujemy najpierw metody otrzymania warstw ZnO z wykorzystaniem nowej metody epitaksjalnej - epitaksji warstw atomowych w fazie gazowej. Następnie dyskutowane są własności warstw GaN i ich stopów otrzymanych metodą MBE na polikrystalicznych podłożach ZnO. Przedstawione są wyniki prac doświadczalnych wykazujących dobre własności spektralne tak przygotowanych warstw GaN.