Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wyznaczanie rezystancji powierzchniowej warstwy emiterowej ogniwa słonecznego z wykorzystaniem efektywnych wartości współczynnika dyfuzji niezależnego od koncentracji domieszki

Filipowski W., Filipowska A, Waczyński K., Wróbel E., Izydorczyk W.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

26-28

PL

W niniejszym artykule poddano weryfikacji wyznaczone przez autorów efektywne wartości współczynnika dyfuzji fosforu w krzemie. W ramach przeprowadzonych badań, w różnych temperaturach procesu domieszkowania dyfuzyjnego, wytworzono warstwy emiterowe na podłożach krzemowych a następnie dokonano pomiarów rezystancji powierzchniowej. W kolejnym etapie wyniki pomiarów porównano z wartościami obliczonymi z wykorzystaniem efektywnych wartości współczynnika dyfuzji.

EN

In this paper was verified effective diffusion coefficient of phosphorus in silicon. As part of the research have been produced emitter layers on silicon wafers and then sheet resistance were measured. In a next step the measurement results are compared with the values calculated using the effective diffusion coefficient.

2

Badania odpowiedzi sensorowej cienkich warstw oraz nanostruktur SnO2

Waczyński K., Izydorczyk W., Niemiec N., Uljanow J., Domański W., Mazurkiewicz J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

199-203

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad odpowiedzią na pobudzenie gazowe rezystancyjnych struktur czujnikowych z sensoryczną warstwą SnO2. Czułą na gazy warstwę sensorową wytworzono dwiema technologiami: reotaksjalnego wzrostu i termicznego utleniania (RGTO) i poprzez wzrost nanodrutów metodą termicznego osadzania z fazy gazowej. Klasyczną testową strukturę czujnikową poddano oddziaływaniu dwóch gazów: dwutlenku azotu o stężeniach 3, 8, 25, 80 i 240 ppm oraz wodoru o stężeniach 1500, 4000, 10000, 20000 i 40000 ppm, rejestrując odpowiedź warstwy sensorycznej pracującej w temperaturze 250°C i 300°C.

EN

The results of research on resistance sensor SnO2 structures response to gas was presented in this work. Gas sensitive layer was fabricated using two technologies: RGTO and nanowire growth by thermal vapor deposition. Classic test sensor structure was subjected to two gases: nitrogen dioxide NO2, in concentration of 3 ppm, 8 ppm, 25 ppm, 80 ppm and 240 ppm, and hydrogen H2, in concentration of 1500 ppm, 4000 ppm, 10000 ppm, 20000 ppm and 40000 ppm, registering the response of sensor layer in temperature of 250 °C and 300 °C.

3

Badania derywatograficzne i z wykorzystaniem mikroskopii skaningowej cienkich warstw SnOx wytworzonych metodą rozwirowania roztworów SnCl4·5H2O+IPA

Waczyński K., Waczyńska-Niemiec N., Wróbel E., Majewska J., Libera M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

195-198

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań derywatograficznych roztworów SnCl4·5H2O+IPA używanych do wytwarzania cienkich sensorycznych warstw dwutlenku cyny. Istotnym etapem procesu formowania ostatecznych właściwości warstwy SnO2 jest wygrzewanie w temperaturze do 1000°C żelowej warstwy pozostającej na podłożu po etapie rozwirowania. Przemiany, jakim podlega roztwór w trakcie procesu wirowania, a następnie wygrzewania mają decydujący wpływ na ostateczne właściwości warstwy. Przemiany, jakie zachodzą w strukturze warstwy SnO2 porównywano z morfologią powierzchni warstwy badaną przy wykorzystaniu skaningowej mikroskopii elektronowej.

EN

This paper gives a result of the derivatographic investigation of SnCl4·5H2O+IPA solutions, which are used to production of tin dioxide thin sensoric films. The most important step in this process is forming the final properties of spinned SnO2 gel layer during the annealing at a temperature to 1000°C. The transformations, which occur in the solution during the process of spinning and annealing, have a decisive influence on the final properties of the layer. Transformations taking place in the structure of the SnO2 layer are in corelation with the surface morphology examined by scanning electron microscopy.

4

Rezystancyjne czujniki wilgotności oparte na rozwirowywanych szkliwach krzemowych i stabilizowanej ceramice cyrkonowej

Wróbel E., Kowalik P., Waczyński K.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2014

|

R. 90, nr 9

98-100

PL

Poniższy artykuł przedstawia badania nad zastosowaniem cienkich warstw rozwirowywanych szkliw fosforokrzemowych oraz stabilizowanej ceramiki cyrkonowej do wytwarzania rezystancyjnych czujników wilgotności. Artykuł zawiera wyniki pomiarów stałoprądowych (zależność rezystancji struktury od wilgotności oraz odpowiedź czujnika na skok wilgotności) wytworzonych struktur. Pomiary miały na celu stwierdzenie, czy użyte w badaniach materiały można zastosować w czujnikach wilgotności.

EN

The article below shows he investigation on application of thin films spin-on phosphorosilicate glass and stabilized zirconium ceramics in construction of humidity sensors. The paper presents the results of DC measurements (dependence of the resistance of the structure from humidity and response of the sensor to increase humidity) of manufactured structures. The measurements were designed to determine whether the materials used in the study can be used in humidity sensor.

5

Boron doped spin-on glasses in the technology of the silicon solar cells

Wróbel E., Filipowski W., Waczyński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 10

31-32

EN

The study was aimed at examining the possibility of forming a diffusion layer in a solar cell acting as BSF (Back Surface Field), using boron-doped SOG solutions. A lot of research to improve the efficiency of solar cells is constantly being carried out.

PL

Przeprowadzone badania miały na celu określenie możliwości kształtowania warstwy dyfuzyjnej w ogniwie słonecznym, pełniącej funkcje tylnego pola zawracającego nośniki BSF (Back Surface Field), przy wykorzystaniu rozwirowywanych źródeł boru. Badania nad podnoszeniem sprawności ogniw słonecznych są nieustannie prowadzone.

6

Efektywne wartości współczynnika dyfuzji dla modelu domieszkowania dyfuzyjnego warstwy emiterowej ogniwa słonecznego

Filipowski W., Waczyński K., Wróbel E., Skwarek A., Drabczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

57-59

PL

Prawidłowy model procesu technologicznego daje możliwość przeprowadzenia symulacji, która w sposób wystarczająco dokładny będzie odzwierciedlała proces rzeczywisty. W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań nad efektywnymi wartościami współczynników dyfuzji dla modelu domieszkowania krzemu fosforem, przy założeniu niezależności współczynnika dyfuzji od koncentracji dyfundującej domieszki.

EN

The correct model of the technological process gives an opportunity to perform a simulation that reflects the real process accurately enough. This paper presents the results of research on effective values of the diffusion coefficient for the model of phosphorus doped silicon, assuming independency of the diffusion coefficient from the diffusion dope concentration.

7

Badanie właściwości cienkich warstw antyrefleksyjnych z dwutlenku tytanu w strukturze ogniwa fotowoltaicznego

Waczyński K., Filipowski W., Drabczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

77-79

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań nad zastosowaniem dwóch technik wytwarzania cienkich warstw dwutlenku tytanu wykorzystywanych, jako warstwy antyrefleksyjne, w strukturze ogniwa słonecznego. Testowano możliwość wykorzystania organicznych kompleksów tytanu do sporządzenia specjalnych past nakładanych na powierzchnię ogniwa słonecznego metodą sitodruku oraz technologią natrysku z wykorzystaniem jako źródła tytanu tetraetoksytytanianu.

EN

This paper presents the results of using two techniques to produce thin films of titanium dioxide used as an anti-reflective layers in the structure of a solar cell. We tested the possibility of using organic complexes of titanium to produce a special paste applied to the surface of the solar cell by screen printing and "spray-on" technology using (tetraetoksytytanianu) as a source of titanium.

8

Model dyfuzji fosforu w krzemie wykorzystywany do wyznaczania profilu koncentracji domieszki w warstwie emiterowej ogniwa słonecznego

Filipowski W., Waczyński K., Wróbel E., Drabczyk K

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 5

102-105

PL

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań nad modelowaniem profilu koncentracji w warstwie emiterowej ogniwa fotowoltaicznego. Prawidłowo uformowany profil koncentracji decyduje o parametrach złącza n + -p, co w konsekwencji wpływa na ostateczną sprawność konwersji fotowoltaicznej. Niemniej ważną właściwością warstwy emiterowej powinna być możliwość wykonania na jej powierzchni elektrody "zbierającej" o dobrej jakości kontaktu metal-półprzewodnik. W związku z tym, w trakcie prac technologicznych, wystąpiła konieczność właściwego doboru parametrów procesu domieszkowania, takich jak: temperatura, czas, rodzaj źródła domieszki, w celu uzyskania pożądanych cech warstwy emiterowej. W niniejszym artykule zostanie zaprezentowany model procesu dyfuzji fosforu w krzemie pozwalający na wyznaczenie profilu koncentracji domieszki w warstwie emiterowej struktury fotowoltaicznej.

EN

This paper presents the results of work on calculating the profile of dopant concentration in the emitter layer of solar cell. The emitter formation is one of the crucial steps in the manufacturing process of silicon solar cells. The p-n junction - which owing to the characteristics of light absorption should be formed at a close, strictly specified distance from the cell's surface - is formed at relatively low temperatures and short diffusion times. This article presents the results of the research performed on the model enabling the calculation of the emitter layer profile, using diffusion process parameters only. The measure results of real diffusion layers were compared with the simulation.

9

Domieszkowanie dyfuzyjne krzemu ze szkliw o podwyższonej zawartości koncentracji domieszki

Wróbel E., Waczyński K., Filipowski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 9

111-113

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu warunków nanoszenia rozwirowywanych roztworów krzemowych o wysokiej koncentracji domieszki na parametry elektryczne warstwy emiterowej ogniwa słonecznego.

EN

This paper presents the results on study of the influence of experimental conditions for the deposition of spin-on glass silicon solutions of the hic dopant concentration on the electrical parameters of the solar cells emitte layers.

10

Badania nad możliwościami jednorodnego domieszkowania warstwy emiterowej struktury fotowoltaicznej w niskiej temperaturze procesu dyfuzji

Filipowski W., Waczyński K., Wróbel E., Drabczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 5

60-62

PL

Ogniwa słoneczne należą do przyrządów półprzewodnikowych o bardzo dużej powierzchni. Podczas wytwarzania struktur o tak dużej powierzchni metodą domieszkowania dyfuzyjnego pojawia się problem jej jednorodności. W artykule przedstawiono wyniki badań jednorodności warstwy emiterowej pod kątem rezystancji powierzchniowej. Dokonano porównania jednorodności warstw wytworzonych z wykorzystaniem komercyjnej pasty P101 firmy Soltech i warstw wytworzonych z wykorzystaniem szkliw domieszkowych preparowanych w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej.

EN

Solar cells are semiconductor devices with very large surface area. During production of structures with such a large area by the diffusive doping method raises the problem of homogeneity. This article presents the results of studies on emitter layer homogeneity in terms of surface resistance. A comparison of the homogeneity of layers was carried out using commercial P101 (Soltech) paste and layers produced using spin on glasses prepared in the Institute of Electronics, Silesian University of Technology.

11

Wpływ warunków nanoszenia szkliw krzemowych na jakość uzyskanej powierzchni

Wróbel E., Waczyński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 10

21-23

PL

Głównym celem przedstawionych w artykule badań była analiza warunków nanoszenia i formowania warstw dielektrycznych na jakość tych warstw. Warstwy obserwowano za pomocą mikroskopu Axio Imager MAT firmy Carl Zeiss. Analizowano powierzchnię pod kątem powstałych defektów i istniejących zanieczyszczeń.

EN

The main objective of the research in the article was an analysis of the conditions applied and the formation of dielectric layers on the quality of these layers. Layers were observed with microscope mikroskopu Axio Imager MAT Carl Zeiss firm. Analyzed in terms of surface defects created and the existing pollution.

12

Wykorzystanie mikroskopii sił atomowych w badaniach nad formowaniem powierzchni krzemowych ogniw słonecznych

Waczyński K., Filipowski W., Panek P., Drabczyk K., Olechowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

83-86

PL

Przedstawiono wyniki oceny wyglądu powierzchni krzemu mono i multikrystalicznego poddanego procesowi trawienia. Proces trawienia prowadzony byt w celu wytworzenia określonego typu tekstury lub utworzenia porów na powierzchni Si. Zabieg rozwinięcia powierzchni podłoży krzemowych jest podstawową operacją w technologii struktur fotowoltaicznych, umożliwiającą podniesienie sprawności przetwarzania energii w ogniwie. Do oceny wyglądu powierzchni wykorzystano mikroskop sił atomowych. Stwierdzono, że do poprawnej interpretacji uzyskanych obrazów konieczne jest wykonanie co najmniej kilku zdjęć tej samej powierzchni. Posługiwano się obrazami AFM: zmiennej siły inaczej błędu regulacji, obraz sił tarcia rejestrowany w kierunku skanowania, obraz sił tarcia rejestrowany przy ruchu powrotnym ostrza, topografii przedstawionej dwuwymiarowo, topografii przedstawionej trójwymiarowo. Uzyskane rezultaty potwierdziły przydatność testowanych mieszanin i procedur trawiących.

EN

The article describes the assessment of the physical state of mono and multicrystalline silicon surface etached. Etaching was used to create a specific texture or macropores (so called acidic textre) on SI surface. The process of texturizing silicon wafers is one of the basic operations of photovoltaic structure technologies which improves the performance of light conversion into energy in a PV cell through the minimization of radiation reflection from the silicon surface. The study focuses only on the first stage of PV cell fabrication. An AFM microscope was applied to the assessment of the physical state of silicon surface. It has been found that the correct interpretation of resuits requires several different AFM images of the same surface. The images used in the study concerned: a) changeable force, b) side friction forces, c) side friction forces determined when the pin moves in the opposite direction, d) topography, e) 3-D topography. The results confirmed the usefulness of the mixtures and etching procedures employed.

13

Kształtowanie warstw dyfuzyjnych przy wykorzystaniu domieszek wolnodyfundujących

Wróbel E., Filipowski W., Waczyński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

70-72

PL

W trakcie prac przeprowadzono rozważania teoretyczne i badania doświadczalne, które mają dać odpowiedź, jak kształtować warstwę emiterową w procesie domieszkowania dyfuzyjnego. Źródłem domieszki był arsen. Aplikacja źródła odbywała się poprzez rozwirowanie. Analizowano dwa podstawowe parametry charakteryzujące warstwę dyfuzyjną: rezystancję powierzchniową Rs [W/D] oraz głębokość położenia złącza xj [µm]. Otrzymane struktury półprzewodnikowe były oceniane pod kątem przydatności do użycia jako ogniwa słoneczne. Dokonano również oceny, czy proces wytwarzania jest opłacalny i czy ma szansę w zastosowaniu na skalę przemysłową.

EN

The study covered theoretical and experimental investigations which should answer the question how to form a doped layer during diffusion doping. Arsenic was the dopant applied by the spin-on technique. The two most important parameters of emitter layers are surface resistance RS[W/D] and xj junction depth [µm]. An analysis of their results helps to determine whether a given process is reproducible. Moreover, this helps assess the quality of a finished product. Strict and frequent control of the parameters detects the weakest points of the process of diffusion layer production. This results in an increase in the output which is the most important parameter of industrial production.

14

Badania nad źródłami domieszek o dużej zawartości fosforu, stosowanymi w technologii wytwarzania krzemowych ogniw słonecznych

Wróbel E., Waczyński K., Filipowski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 1

16-17

PL

Przedstawiono fragment badań prowadzonych nad modyfikacją procesów wytwarzania ogniw słonecznych. Wytwarzanie warstwy emiterowej w procesie domieszkowania dyfuzyjnego w stosunkowo krótkim czasie jest istotne w produkcji masowej. Proces ten wymaga nowych źródeł, zawierających wysoką koncentrację atomów fosforu (jako związek zawierający atomy fosforu wykorzystuje się kwas ortofosforowy). Jako płytki podłożowe stosuje się płytki krzemowe typu p. Artykuł prezentuje metodę domieszkowania krzemu z wykorzystaniem rozwirowywanych źródeł fosforowych

EN

The paper presents a fragment of investigation studies carried out on the modification of silicon solar cell production technology. Doping of the emitter layer is the basic procedure in the technology of solar cell production. Today the research studies have been concentrated on short time diffusion processes, what is very important in mass production. This process requires a new type of dopant sources, which contains high concentration of phosphorus atoms. Silicon wafers of the p-type conductivity have applied as substrates in the investigation studies. A solution prepared on the basis of orthophosphoric acid have been used as donor source. This article have been presented the method of doping silicon with phosphorus sources (spin-on method).

15

Studies of chemical composition and response of the SnO2 based sensor structure to dry and humid synthetic air

Adamowicz B., Izydorczyk W., Klimasek A., Waczyński K., Uljanow J., Jakubik W., Żywicki J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 12

5-6

EN

The measurements of the resistance response to synthetic air of the SnO₂ thin film based sensor structures were carried out. The sensing SnO₂ films were deposited on alundum substrates in the rheotaxial growth and thermal oxidation (RGTO) process. The sensor responses were registered under dry and humid airflow during structure heating and cooling (within the temperature range from 20°C to 400°C). The maximum sensor sensitivity to O₂ exposition was registered at a temperature of about 275°C. The temperature reversibility of the studied sensor response was compared with that of a commercial SnO₂ thick film Taguchi sensor. In order to understand the relationship between the sensing and chemical properties of SnO₂ films, the in-depth chemical composition profiles were investigated using the scanning Auger microprobe equipped with an Ar⁺ ion sputtering system.

PL

Zaprezentowano wyniki pomiarów rezystancji cienkich warstw sensorycznych SnO₂ otrzymanych metodą reotaksjalnego wzrostu i termicznego utleniania (RGTO). Pokazano, że wytworzone warstwy są czułe na tlen zawarty w syntetycznym powietrzu. Zarejestrowano odpowiedź sensora na suche i wilgotne syntetyczne powietrze podczas wygrzewania i ochładzania próbki (w zakresie temperatur od 20 do 400°C). Sensor wykazywał maksimum czułości na tlen zawarty w syntetycznym powietrzu w temperaturze około 275°C. Porównano temperaturową zależność odpowiedzi (przy grzaniu i chłodzeniu) badanego sensora z komercyjnym sensorem Taguchi na bazie grubych warstw SnO₂. W celu określenia zależności między właściwościami sensorowymi a składem chemicznym próbki, zbadano głębokościowe profile składu chemicznego za pomocą skaningowego mikroanalizatora elektronów Augera z systemem bombardowania jonami Ar⁺.

16

Wykorzystanie szkliw domieszkowo-krzemowych w technologii półprzewodnikowych struktur fotowoltaicznych

Wróbel E., Waczyński K., Mazur M., Filipowski W., Drabczyk K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 11

32-34

PL

Przedstawiono badania nad przydatnością szkliw domieszkowo-krzemowych w technologii półprzewodnikowych struktur fotowoltaicznych oraz nad określeniem wpływu parametrów procesu dyfuzji na właściwości ogniw słonecznych. W trakcie badań przeprowadzono szereg testowych procesów dyfuzji z szkliw domieszkowo-krzemowych, a następnie wykorzystując uzyskane warstwy dyfuzyjne wytworzono serię ogniw słonecznych i poddano je pomiarom za pomocą specjalistycznej aparatury.

EN

In the article there are presented usability researches on the silica gasses, made of semiconductor photovoltaic cells, as well as the analysis of an influence of the diffusion process parameters on the photo cells' properties. During the research there were testing processes of the silica glasses diffusion performed, and with the use of the diffusion layers, a series of photo cells was generated to put them on measurements taking advantage of specialized apparatus.

17

Humidity sensing properties of spin-on phosphorosilica thin films

Waczyński K., Wróbel E., Pruszowski Z., Nowak R.

Electron Technology

|

2000

|

Vol. 33, No. 1/2

217-221

EN

The paper presents results of experiments carried out on the application of the modified phosphoro-silica glasses to the construction of humidity sensors. A new technology for a model sensor production has been worked out. To serve this purpose, tests on the preparation of phosphoro-silica spin-on solutions [1-3] and conditions under which they are placed on a ceramic plate were conducted. Several electrical measurements of the produced structure were taken. A visible influence of humidity on the electrical parameters of a model sensor was observed. It appears that phosphoro--silica glasses (PSG) are a good material for the construction of precise humidity sensors of a repeatable parameters.

18

Niszczące i nieniszczące metody pomiaru profilu koncentracji domieszek w materiałach półprzewodnikowych

Waczyński K., Wróbel E., Drabczyk K.

Zeszyty Naukowe. Matematyka - Fizyka / Politechnika Śląska

|

1999

|

z. 87

133-143

PL

W artykule przedstawiono wstępne rezultaty pomiarów profili koncentracji domieszki fosforowej dyfundowanej w krzem. Jako źródło domieszki wykorzystano rozwirowywane roztwory domieszkowe (spin-on), których charakterystyki domieszkowania nie są jeszcze do końca poznane. Głównym celem badań jest określenie pełnej charakterystyki domieszkowej opracowanych w Instytucie Elektroniki Politechniki Śląskiej rozwirowywanych roztworów domieszkowych. Pomiary profili koncentracji domieszek wykonywano z wykorzystaniem elektrochemicznego profilera w Instytucie Techniki Mikrosystemów Politechniki Wrocławskiej. Uzyskane rezultaty pozwolą na zmodyfikowanie technologii wytwarzania rozwirowywanych roztworów domieszkowych.

EN

This paper presents preliminary results obtained from the research on defining phosphorus concentration profiles in silicon. As dopant source a spin-on phosphorus source was used, whose dopant characteristics are not entirely known. The aim of research is to completely define dopant characteristics of silica glasses produced on the surface of silicon by means of the spin-on method. To produce dopant glasses spin-on dopant solutions worked out and produced at the Institute of Electronics of the Silesian Technical University were used. The measurements of dopant concentration profiles were taken by means of the electrochemical profile plotter at the Institute of Microsystems Technology of the Technical University in Wroclaw. The tests allow to gain some essential clues useful in the production of spin-on dopant solutions.

19

Zastosowanie organizacji połączeń tytanu i krzemu w technologii krzemowej

Krompiec S., Majewski J., Matysek-Majewska D., Waczyński K.

Zeszyty Naukowe. Chemia / Politechnika Śląska

|

1998

|

z. 137

227-234

PL

Przedstawiono badania z zastosowaniem organicznych kompleksów tytanu oraz wybranych związków fosforu, boru, arsenu i antymonu do modyfikacji powierzchni płytek krzemowych, stosowanych w elektronice. Z szeregu przetestowanych kompleksów tytanu najlepsze właściwości dla otrzymania antyrefleksyjnych powłok tlenku tytanu (IV) wykazał diizopropoxy-bis(2,4-pentanodioniano)tytan(IV). Do wytwarzania szkliw domieszkowych wytypowano tetraetoksysilan, kwas borowy(III), kwas fosforowy(V), chlorek antymonu(III) i kwas arsenowy(V).

EN

The investigations on the application of complexes of titanium and selected phosphorus, boron, arsenic and antimony compounds for the modification of the obtaining thesurface of silicone plates for electronic purposes have been presented. The best properties for obtaining the titanium dioxide antireflective coatings performs, among number of examined titanium complexes, diizopropoxobis(2,4-pentanedionato)titanium. Tetraethoxysilane, boric acidphosphoric acid, antimonium (III) chloride and arsenic acid were chosen for the preparation of doping glazes.

20

The infuence of heating of silicon glasses and aodic oxides on their electrophysical properties

Łoś S., Waczyński K., Wróbel E.

Electron Technology

|

1998

|

Vol. 31, No. 3/4

450-454

EN

The paper presents basic electrophysical parameters of silicon glasses and anodic oxides likely to be applied in the technology MOS structures based on GaAs. Silicon glasses were obtained of the spin-on method [1], while anodic oxides by means of electrolytic anodization [2]. several basic electrophysical and optical parameters were defined for the dielectric films produced.