Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Trendy w motywowaniu – wpływ na pracowników, norma czy konieczność

Reszka A.

Zeszyty Naukowe. Organizacja i Zarządzanie / Politechnika Łódzka

|

2015

|

z. 61

205--215

PL

Motywowanie do pracy to jedna z najważniejszych, a jednocześnie najtrudniejszych, funkcji zarządzania. W artykule skoncentrowano się na analizie budowy przewagi konkurencyjnej firmy poprzez rozwój i doskonalenie zasobów ludzkich. Potrzeba wykorzystywania nowoczesnych narzędzi w motywowaniu i pobudzaniu zaangażowania pracowników do pracy zapewnia podniesienie potencjału ludzkiego firmy. Problematyka ta nabiera coraz większego znaczenia w okresie zmian społecznych i gospodarczych, jakie dokonują się na polskim rynku pracy. Dowiedziono, że trwałą, silną pozycję i konkurencyjność firma uzyskuje dzięki znaczącym rezultatom działań pracowników. Z kolei ich osiągnięcia zależą w głównej mierze od motywacji. W teorii kierowania zespołami ludzkimi formułuje się nawet tezę, że przydatność zawodowa jest mierzona tym, co pracownik wnosi w rozwój firmy, jest ona funkcją jego kwalifikacji i motywacji. Obie te wartości muszą się wzajemnie wspomagać, a człowiek źle motywowany może być dla przedsiębiorstwa mało przydatny, choćby miał wysokie kwalifikacje.

EN

Motivation to work is one of the most important, and most difficult, functions of management. The article focuses on the analysis of the construction of the company's competitive advantage through the development and improvement of human resources. The need to use modern tools in motivating and stimulating the involvement of employees to work for raising the human potential of the company. This issue has become increasingly important in the period of social and economic changes, which happen on the Polish labour market. It was found that a durable, strong and firm competitiveness is achieved thanks to the significant outcome of activities of employees. In turn, their achievements are largely the motivation. In theory, human teams targeting even formulate a thesis that the usefulness of the profession is what he brings to the development of the company, it is a function of its qualifications and motivation. Both of these values must support each other, and a man badly motivated may be not enough for a useful, even if it had the highly qualified.

2

Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A., Tchutchulashvili G.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 9

14-15

PL

W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.

EN

We report results of our studies on plasma-assisted MBE growth and properties of GaN layers and nanostructures deposited on Si (111) substrates. The influence of growth conditions on the properties of GaN nanostructures is discussed.

3

Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Łusakowska E., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

27-30

PL

W pracy przedstawiono szczegóły procesu wzrostu warstw GaN na podłożach Si(111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono również wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych warstw.

EN

In this work details of procedure of GaN growth on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source are presented Influence of growth conditions on properties of the layers is discussed.

4

Statistical properties of ion pulse emission of natural inpurities from tungsten investigated at hight temperatures

Gładyszewski L., Reszka A.

Electron Technology

|

1998

|

Vol. 31, No. 3/4

499-501

EN

The thermal emisson of positive K⁺ ions from a tungsten filament occuring as positive pluses (bursts) [1,2] were investigated. Duration of a pulse was about 10 µm and each pulse corresponded to the emission of a group of 10³ to 10⁶ single charged ions. It was observed that the potassium ions originating from the impurities deposited in cavities and dislocations in the polycrystalline tungsten filament. The paper presents statistical parameters of this emission.