PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 27

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Materiały i przyrządy optoelektroniczne dla zastosowań w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni
Maląg A., Stępień R., Pysz D., Franczyk M., Kujawa I., Podniesiński D., Kisielewski J., Leśniewska-Matys K., Teodorczyk M., Dąbrowska E., Kozłowska A., Pawlak D., Dumiszewska E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2018
|
Vol. 59, nr 3
32--38
PL
Przedstawiono powody rosnącego w ostatnich latach zainteresowania długofalową częścią zakresu optycznego NIR i pasmem MidIR. Opisano wybrane zastosowania cywilne i w sektorze militarnym, ze wskazaniem na korzyści z przesunięcia w kierunku długofalowym w stosunku do rozwiązań dotychczasowych. Przedstawiono opracowania ITME dla optoelektroniki w tym zakresie widma: dotyczące technologii kryształów (aktywnych i nieliniowych), szkieł aktywnych, włókien światłowodowych aktywnych i pasywnych, w szczególności włókien fotonicznych, przyrządów półprzewodnikowych (pomp optycznych) i impulsowych (nanosekundowych) laserów pompowanych optycznie.
EN
The reasons for increasing in recent years interest in the long -wavelength part of optical NIR and in MidIR ranges have been presented. Selected applications, civilian and in the military sect have been described with an indication on the benefits of the shift towards the long-term compared to the current solutions. The works developed in IEMT in the field of optoelectronics of this spectral range, concerning technology of optical crystals (active and nonlinear), optically active glasses, optical (active and passive) fibers, especially photonic fibers, semiconductor devices for optical pumping and pulsed (nanoseconds) solid-state microlasers are presented.
2
Content available Sintered nanosilver joints on rigid and flexible substrates
Kiełbasiński K., Szałapak J., Młożniak A., Teodorczyk M., Pawłowski R., Krzemiński J., Jakubowska M.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2018
|
Vol. 66, nr 3
325--331
EN
Because of new EU laws restricting the use of harmful substances (i.e. Pb because of the RoHS Directive), the search for new methods of joining has become highly urgent. The main problem for most solutions known to date has been to achieve good electrical parameters while maintaining low sintering temperaturatures. Pastes based on silver nanoparticles were developed, which allow to sinter below 300 ° C. Those layers have sheet resistance below 2 mΩ/sq. Low exposure to heat allows to use these pastes on elastic substrates such as paper or Kapton foil. In present work, the authors proved that it is possible to obtain joints on elastic substrates which can withstand over 30 000 cycles in bend test, with sintering in 300°C, by means of the Low Temperature Joining Technique (LTJT).
3
Content available The use of a concrete testing machine as teaching equipment in engineering education
Michałowska-Maziejuk D., Teodorczyk M.
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
|
2018
|
T. 23, nr 2
55--61
EN
The paper describes how a materials testing machine can be used during laboratory classes to evaluate the properties of concrete and to demonstrate destructive testing techniques. The lab classes are designed to help students understand the concepts and determination methods for random dispersion, stress-strain and force-strain relationships, ultimate strain and concrete quality through the comparison of the results to the requirements set forth in Eurocode 2. The machine is used to test the compressive strength of concrete and the modulus of elasticity of concrete, including high-strength concrete. The testing system offers electronic measurement and simultaneous registration of the basic test parameters (destructive force, strain - also for individual load levels, modulus of elasticity of the test specimen, duration of the test, etc.), graphical representation of quantities and statistical calculations for the test specimens. The parameters measured during the test allow the evaluation of concrete class in the tested specimens and the quality control of a given batch of concrete, important for the safety of the structure and its serviceability.
PL
W artykule przedstawiono zastosowanie maszyny wytrzymałościowej w celu zilustrowania właściwości betonu i metod realizacji badań niszczących podczas zajęć laboratoryjnych, pod kątem wykazania losowego rozrzutu wyników, oceny zależności siła-odkształcenie, naprężenie-odkształcenie, odkształcenia granicznego, jakości betonu i porównania wyników z normą EC2. Maszyna wytrzymałościowa daje możliwość przeprowadzenia m.in. badania wytrzymałości betonu na ściskanie, jak również badania modułu sprężystości betonu, w tym betonów wysokiej wytrzymałości. Zestaw badawczy umożliwia elektroniczną formę jednoczesnego pomiaru i zapisu podstawowych parametrów danego badania (siły niszczącej, odkształceń – również dla poszczególnych poziomów obciążenia, modułu sprężystości badanej próby, czasu trwania badania itp.), generowanie podczas badania wykresów zależności żądanych wielkości, a także dokonanie obliczeń statystycznych dla badanych elementów. Mierzone podczas badania wielkości parametrów pozwalają m.in. na dokonanie oszacowania klasy betonu badanych prób, modułu sprężystości oraz jakości produkcji danej partii betonu, ważnej dla bezpieczeństwa konstrukcji i jej użytkowania.
4
Content available Influence of Material Coating on the Heat Transfer in a Layered Cu-SiC-Cu Systems
Strojny-Nędza A., Pietrzak K., Teodorczyk M., Basista M., Węglewski W., Chmielewski M.
Archives of Metallurgy and Materials
|
2017
|
Vol. 62, iss. 2B
1311--1314
EN
This paper describes the process of obtaining Cu-SiC-Cu systems by way of spark plasma sintering. A monocrystalline form of silicon carbide (6H-SiC type) was applied in the experiment. Additionally, silicon carbide samples were covered with a layer of tungsten and molybdenum using chemical vapour deposition (CVD) technique. Microstructural examinations and thermal properties measurements were performed. A special attention was put to the metal-ceramic interface. During annealing at a high temperature, copper reacts with silicon carbide. To prevent the decomposition of silicon carbide two types of coating (tungsten and molybdenum) were applied. The effect of covering SiC with the aforementioned elements on the composite’s thermal conductivity was analyzed. Results were compared with the numerical modelling of heat transfer in Cu-SiC-Cu systems. Certain possible reasons behind differences in measurements and modelling results were discussed.
5
Content available remote Zastosowanie tlenku grafenu i grafenu w technologii diod laserowych
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Lipińska L., Krzyżak K., Dąbrowski A., Sobczak G., Kozłowska A., Matkowski P., Młożniak A., Maląg A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
1-4
PL
Wykazano, że tlenek grafenu na krawędziach bocznych chipa laserowego powoduje zmniejszenie rezystancji termicznej diody laserowej. Obserwowane jest również zmniejszenie temperatury samego chipa laserowego. Natomiast tlenek grafenu na n-kontakcie powoduje zwiększenie temperatury chipa. Na n-kontakcie korzystne jest zastosowanie grafenu. Pokazano przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy zastosowaniu tlenku grafenu i grafenu, jak również zmiany ugięcia chipa laserowego w obecności tlenku grafenu i grafenu. Pomiary wykonano dla diod na pasmo 880 nm.
EN
It has been shown that covering side walls of a laser diode’s chip with graphene oxide (GO) results in reduction of the laser diode's thermal resistance. Reduction of the temperature of the diode itself is also observed. In turn, additional covering the n-contact of the chip with GO results in the diode's temperature increase. On the other hand, alternative application of a chemical graphene layer in this place gives further temperature decrease. This can be explained by much higher emissivity of graphene layer compared to GO. The shifts of lasing spectral characteristics (in the 880 nm band) as well as changes in chip's deflection connected with GO and graphene applications are also shown.
6
Content available Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes
Maląg A., Sobczak G., Dąbrowska E., Teodorczyk M., Dąbrowski A., Nakielska M.
Materiały Elektroniczne
|
2015
|
T. 43, nr 3
7--14
EN
Selected ways of improving an emitted beam quality of high-power laser diodes (LDs) are proposed in both vertical and horizontal directions. Appropriate heterostructure design leads to a vertical beam divergence reduction to 12º (FWHM) while simultaneously maintaining a high power conversion efficiency of LDs. In turn, the spatial stabilization of an optical field distribution in the junction plane results in horizontal beam profile stabilization as a function of the device drive current. This spatial stabilization (with preferred high-order lateral modes) is forced by ion-implanted lateral periodicity built into the wide-stripe waveguide of a LD.
PL
Przedstawione zostały wybrane przykłady poprawy jakości wiązki promieniowania diod laserowych (DL) dużej mocy w płaszczyźnie prostopadłej do złącza (pionowej) i w płaszczyźnie złącza (poziomej). Odpowiedni projekt heterostruktury umożliwia ograniczenie rozbieżności wiązki w płaszczyźnie pionowej do 12º przy utrzymaniu wysokiej sprawności energetycznej DL. Z kolei stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza wymuszona przez strukturę periodyczną wbudowaną w szerokopaskowy światłowód heterostruktury laserowej prowadzi do stabilizacji profilu wiązki w płaszczyźnie poziomej w funkcji poziomu wysterowania przyrządu. Ta struktura periodyczna (preferująca wysokie mody boczne) jest formowana techniką implantacji jonów.
7
Formowanie i stabilizacja rozkładu pola optycznego w płaszczyźnie złącza w diodach laserowych dużej mocy
Sobczak G., Dąbrowska E., Teodorczyk M., Krzyżak K., Dąbrowski A., Maląg A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 9
20-23
PL
Niska stabilność wiązki optycznej emitowanej przez lasery półprzewodnikowe wysokiej mocy w znaczący sposób ogranicza ich stosowalność w precyzyjnych układach. W artykule przedstawiono wyniki modelowania numerycznego oraz eksperymentalne charakterystyki diod laserowych, w których uzyskano emisję wiązki optycznej o podwyższonej stabilności.
EN
Poor stability of the beam emitted by high-power laser diodes limits their applicability in high-precision systems. In this paper, the laser diodes which emit a beam of better quality are presented. The numerical and experimental results are shown.
8
Content available Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Krzyżak K., Romaniec M., Sobczak G., Maląg A.
Materiały Elektroniczne
|
2014
|
T. 42, nr 3
5--10
PL
Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.
EN
The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.
9
Pomiary elektryczne i optyczne ogniw fotowoltaicznych Ge/InGaAs/InGaP
Knyps P., Dumiszewska E., Wesołowski M., Strupiński W., Kalbarczyk J., Teodorczyk M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 5
22-24
PL
W artykule omówiono metody pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw wielozłączowych, a także sposoby wyznaczania zewnętrznej i wewnętrznej wydajności kwantowej. Prezentowane wyniki dotyczą ogniw wielozłączowych wytwarzanych z materiałów Ge/InGaAs/InGaP w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie.
EN
In this article we discuss the measurement methods of current-voltage characteristics of multijunction solar cells as well as external and internal quantum efficiencies. The showed results were obtained as a result of the measurements of Ge/InGaAs/InGaP solar cells performed at the Institute of Electronic Materials Technology.
10
Content available remote Badania degradacji diod laserowych na pasmo 808 nm
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Kalbarczyk J., Krzyżak K., Maląg A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
48-51
PL
Przedstawiono zmianę charakterystyk mocowo-prądowych i spektralnych diod laserowych (DL) pracujących w paśmie 808 nm podczas trwania testów starzeniowych. Ujawniono zmiany zachodzące w obrębie paska (obszaru) aktywnego poprzez obserwacje elektroluminescencji przez okno wytrawione w n-kontakcie. Zauważono, że defekty w pasku aktywnym dla wszystkich diod propagują się pod kątem 45 ° do kierunku rezonatora. Uzyskano lepszą wydajność mocy optycznej dla DL montowanych na podkładkach CuC w porównaniu z DL montowanymi bezpośrednio na chłodnicy Cu. Stwierdzono, że o długości życia diod laserowych decydują przede wszystkim jakość wykonania lusteroraz technologia wprowadzającego naprężenia montażu chipów na chłodnicach a nie zastosowanie podkładki.
EN
In this paper changes in light vs. current (L-C) and in spectral characteristics of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm band, being performed while aging tests, are shown. The electroluminescence observations made by etched window in n-contact revealed the changes in the active stripe (region). It is significant that defects in the active stripe for all diodes are propagated at 45 ° angle measured from the direction of laser resonator. Better optical power efficiency was obtained for LDs mounted at CuC heat spreader than for those mounted directly at Cu heat sink. It was found out that the lifetime of LDs are not limited by using heat spreader but mainly by the quality of performance of laser mirrors and the technology of mounting laser chips which induce the strains.
11
Content available Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm
Dąbrowska E., Nakielska M., Teodorczyk M., Sobczak G., Romaniec M., Malag A.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 1
3-13
PL
Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.
EN
The influence of following technology processes (such as: wafer processing, montage, mirror deposition) on degradation of laser diodes emitting at 880 nm band was studied. Those investigations helped to improve technology of laser diode production.
12
Low-ohmic contacts on the basis of silver nanopowder dedicated to photovoltaic cells
Kalbarczyk J., Teodorczyk M., Krzyżak K., Gawlik G., Jarosz M., Młożniak A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 6
82-85
EN
The silver nanopowder pastes are relatively new kind of nanomaterials that exhibit interesting and useable properties. Research in field of preparing contacts for silicon solar cells with silver nanopowder will be continued to obtain rational results which enable to evaluate the new kind of contacts with respect to possible application in larger scale.
13
Content available remote Concept of epitaxial silicon structures for edge illuminated solar cells
Sarnecki J., Gawlik G., Teodorczyk M., Jeremiasz O., Kozłowski R., Lipiński D., Krzyżak K., Brzozowski A.
Opto-Electronics Review
|
2011
|
Vol. 19, No. 4
486-490
EN
A new concept of edge illuminated solar cells (EISC) based on silicon epitaxial technique has been proposed. In this kind of photovoltaic (PV) devices, sun-light illuminates directly a p-n junction through the edge of the structure which is perpendicular to junction surface. The main motivation of the presented work is preparation of a working model of an edge-illuminated silicon epitaxial solar cell sufficient to cooperation with a luminescent solar concentrator (LSC) consisted of a polymer foil doped with a luminescent material. The technological processes affecting the cell I–V characteristic and PV parameters are considered.
14
Content available Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge
Dumiszewska E., Knyps P., Teodorczyk M., Wesołowski M., Strupiński W.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
10-14
PL
W pracy przedstawiono proces wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych opartych o związki AIII-BV z wykorzystaniem technik osadzania MOCVD. Zaprezentowano także wstępne wyniki pomiarów elektrooptycznych pojedynczego złącza struktury Ge/InGaP:Si wykonanego w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Złącze to powstało w wyniku dyfuzji atomów fosforu z warstwy InGaP. Wszystkie prace technologiczne zostały przeprowadzone w ITME.
EN
This work has been devoted to presenting the process of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on AIII-BV compounds using MOCVD deposition techniques. Moreover, preliminary results of electro-optical measurements performed on a single junction of a Ge/InGaP:Si structure produced in the Institute of Electronic Materials Technology have been introduced. This junction has been created as a result of the diffusion of phosphorus atoms from an InGaP layer. All technological processes have been carried out in ITME.
15
Content available Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
Dąbrowska E., Teodorczyk M., Sobczak G., Malag A.
Materiały Elektroniczne
|
2011
|
T. 39, nr 3
3-9
PL
W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R1), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R1. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.
EN
In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.
16
Wyznaczanie parametrów optycznych epitaksjalnych heterostruktur laserowych
Maląg A., Sobczak G., Dąbrowska E., Teodorczyk M., Wnuk A., Piątkowska A., Jakieła R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
88-90
PL
W pracy proponowana jest metoda określenia, na ile różni się wykonana laserowa heterostruktura epitaksjalna od zaprojektowanej. Jest to sekwencja charakteryzacji (fotoluminescencja, SEM, SIMS), analizy skorygowenego (w stosunku do projektu) na podstawie tych charakteryzacji modelu numerycznego heterostruktury i weryfikacji tego modelu poprzez pomiary wykonanych z heterostruktury diod laserowych. Uzyskanie zbieżności charakterystyk eksperymentalnych z analogicznymi charakterystykami modelu oznacza, że skorygowany model opisuje wykonaną heterostrukturę epitaksjalną.
EN
A method of determination, how much the grown epitaxial laser heterostructure differs from its design is proposed in this work. It is a sequence of characterizations (photoluminescence, SEM, SIMS), analysis of the heterostructure model corrected (with respect to the design) basing on the results of these characterizations and finally the model verification by measurements of laser diodes manufactured from the grown heterostructure. Similarity of analogous characteristics in practical devices and the model is a proof that the corrected model describes the grown heterostructure.
17
Wpływ trawienia chemicznego na parametry elektrooptyczne krawędziowych ogniw fotowoltaicznych
Kalbarczyk J., Teodorczyk M., Dąbrowska E., Krzyżak K., Sarnecki J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
128-130
PL
Poniższa praca przedstawia wyniki badań dotyczących optymalizacji warunków trawienia chemicznego powierzchni czynnej krawędziowych ogniw fotowoltaicznych w roztworach kwasowych i zasadowych. Wykonane zostały pomiary podstawowych parametrów elektrycznych ogniw po różnych wariantach trawienia (trawienie kwasowe, zasadowe oraz mieszane - kwasowo-zasadowe). Fakturę powierzchni pochłaniającej światło po trawieniu chemicznym pokazano na zdjęciach.
EN
The following thesis presents the results of research applied to the optimization of photovoltaic cells active surface wet chemical etching conditions in acidic and alkaline solutions. Measurements of basic electrical parameters of cells after different variants of etching (acidic, alkaline, acidic-alkaline) has been carried out. Light-absorbing surface quality after etching has been presented at pictures.
18
Wpływ rezystancji termicznej na parametry elektrooptyczne i termiczne diod laserowych
Dąbrowska E., Kozłowska A., Teodorczyk M., Sobczak G., Krzyżak K., Kalbarczyk J., Maląg A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
95-98
PL
Przedstawiono przesuwanie się charakterystyk spektralnych przy stałej repetycji i wydłużającym się czasie impulsu dla diod laserowych różniących się rezystancją termiczną. Zarejestrowano wzrost temperatury złącza DL po włączeniu impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Stwierdzono, że czym większe przesunięcie charakterystyk spektralnych w czasie trwania impulsu o długości 1 ms w pomiarach dynamicznych tym większe przesunięcie charakterystyk spektralnych w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu i tym większa rezystancja termiczna DL. Przy pomocy kamery termowizyjnej sprawdzono temperaturę diody przy pracy ciągłej w płaszczyźnie równoległej do luster. Widoczne miejsca gorące odpowiadają obniżeniom intensywności w profilu NF.
EN
In this paper, the shift of spectral characteristics measured at the constant pulse repetition and various pulse duration for laser diodes with various thermal resistances has been presented. Temperature increase of LD's p-n junction during current pulse was investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using ICCD camera made. It has been demonstrated that LDs with larger thermal resistance have larger spectral shift during 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant pulses repetition with variable pulse duration. Measurements by thermal camera show diode temperature distributions in mirror plane during continuous operation. The hot spots revealed by thermal camera correspond with lower intensity points in near field distributions.
19
Luminescencyjne koncentratory energii promieniowania słonecznego w zakresie widzialnym i bliskiej podczerwieni
Jeremiasz O., Sarnecki J., Nikiel W., Teodorczyk M., Wnuk A., Kozłowski R., Gawlik G.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 5
83-86
PL
Przedstawiono koncepcję luminescencyjnego koncentratora energii słonecznej do zastosowań fotowoltaicznych. Luminescencyjnym koncentratorem słonecznym jest cienka płyta lub folia polimerowa zawierająca centra luminescencyjne, jakimi są organiczne barwniki lub nieorganiczne nanomateriały. W pracy zawarto opis metod otrzymania folii PMMA z organicznymi i nieorganicznymi centrami luminescencyjnymi oraz wyniki badań spektroskopowych i starzeniowych. Zastosowanie luminescencyjnych koncentratorów słonecznych w modułach fotowoltaicznych może obniżyć koszty otrzymywania energii elektrycznej.
EN
The paper presented a brief description of luminescent solar concentrators (LSC) and the main requirements of LSC materials. The LSC consist of a transparent polymer foil incorporated with luminescent organic dyes or inorganic luminescent species. The presented work reports on the fabrication and characterization of luminescent solar concentrators which consist of thin PMMA foil contained organic dyes, PbS quantum dots and RE doped nanocrystals. The main motivation of presented research is a possible cost reduction of photovoltaic systems.
20
Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych
Sarnecki J., Kozłowski R., Teodorczyk M., Gawlik G., Jeremiasz O., Lipiński D., Brzozowski A., Krzyżak K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 5
65-68
PL
W pracy przedstawiono technologię wytwarzania krzemowej struktury planarnej ze złączem p-n przeznaczonej do konstrukcji paskowego ogniwa słonecznego oświetlanego krawędziowo, współpracującego z luminescencyjnym koncentratorem słonecznym. Planarną strukturę krzemową ogniwa wykonano metodą epitaksji z fazy gazowej. Omówiono kolejne operacje technologiczne służące otrzymaniu ogniw krawędziowych. Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur epitaksjalnych i paskowych ogniw krawędziowych.
EN
The presented work reports on epitaxialy grown silicon structures with p-n junction designed for fabrication an edge illuminated solar cells. In this kind of photovoltaic devices sun-light illuminates directly a p-n junction through the edge of the structure. The edge illuminated PV cell can cooperate with a luminescent solar concentrator consisted of a polymer foil doped with a luminescent material. We have proposed a new concept of edge illuminated solar cells based on silicon epitaxial technique. The technological factors affecting the cells I-V characteristics and efficiency are discussed.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.