PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion
Materna A.
Materiały Elektroniczne
|
2017
|
T. 45, nr 2-4
12--23
EN
The paper describes the synthesis and crystallization processes of a BiTeI polar semiconductor, carried out by a modified vertical Bridgman method (VB), or/and by CVT (chemical vapor transport) method, in a horizontal position. For BiTeI samples, the measurements were performed by Van der Pauw method and by the structural techniques (EDS, XRD and Raman spectroscopy), which confirmed the presence of a pure BiTeI phase in the obtained materials.
PL
W pracy opisano procesy syntezy i krystalizacji polarnego półprzewodnika BiTei metodą transportu chemicznego (cVT) w układzie poziomym oraz zmodyfikowaną, pionową metodą Bridgmana (VB). Dla przygotowanej serii próbek, wykonano pomiary własności transportowych (metodą Van der Pauwa), które wykazały dużą ruchliwość nośników, w temperaturze 77K. Badania strukturalne wykonane za pomocą technik mikroanalizy rentgenowskiej EDs (energy dispersive spectroscopy), rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej XRD (X-ray diffraction analysis) oraz spektroskopii Ramana, potwierdziły obecność czystej fazy BiTei w otrzymanych materiałach.
2
Content available Comparison of thermoelectric properties of polycrystalline and sintered PbTe doped with chromium and iodine
Królicka A., Hruban A., Materna A., Piersa M., Strzelecka S., Dalecki W., Romaniec M., Orliński K.
Materiały Elektroniczne
|
2014
|
T. 42, nr 1
5--12
EN
In this paper we compare the electrical and thermoelectric properties of polycrystalline PbTe doped with chromium and iodine, obtained by the Bridgman method and the sintered material obtained following the powder processing procedure. The highest values of the Seebeck coefficient for the polycrystalline and sintered material are as follows: - 160 μV/K (T = 675 K) and - 311 μV/K (T = 573 K), respectively, thus indicating a significant improvement in the thermoelectric properties of the sintered material. The studies of the influence of the powder particle size on the properties of the sintered material were carried out.
PL
W artykule przedstawiono porównanie własności elektrycznych i termoelektrycznych polikrystalicznego tellurku ołowiu domieszkowanego chromem i jodem, otrzymanego za pomocą metody Bridgmana z własnościami materiału spiekanego otrzymanego z proszków. Najwyższe wartości współczynnika Seebecka polikrystalicznego materiału i materiału po spiekaniu wynoszą odpowiednio: - 160 μV/K (T = 675 K) oraz - 310 μV/K (T = 573 K) i wskazują na znaczną poprawę parametrów termoelektrycznych materiału otrzymanego w wyniku spiekania. Przeprowadzono badania wpływu wielkości ziaren proszku na własności materiału spiekanego.
3
Content available Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3
Hruban A., Materna A., Strzelecka S., Piersa M., Orłowski W., Jurkiewicz-Wegner E., Diduszko R., Romaniec M., Dalecki W., Wołoś A.
Materiały Elektroniczne
|
2013
|
T. 41, nr 3
27--39
PL
W pracy przedstawione są wyniki badań dotyczących otrzymania dużych kryształów Bi2Se3 (L ~ 140 mm) typu n o obniżonej koncentracji nośników prądu. Materiał taki jest niezbędny do otrzymania kryształów Bi2Se3 domieszkowanych Ca na typ p, dla których możliwe są obserwacje elektronów z topologicznej, metalicznej powierzchni. Kryształy wzrastały zmodyfikowaną metoda Bridgmana. Własności fizyczne otrzymanych kryształów oceniano przy zastosowaniu następujących metod: parametry elektryczne przez pomiar rezystywności i efektu Halla w temperaturze pokojowej i w funkcji temperatury w zakresie (10 – 320 )K, pomiar składu atomowego metodą EDX, składu chemicznego metodą XRD, jakość struktury oceniano przez obserwację w mikroskopie optycznym, skaningowym i AFM. Otrzymano kryształy typu n o koncentracji nośników w zakresie 2 x 1019 cm-3 – 3 x 1017 cm-3. W obszarach o koncentracji n < 5 x 1018 cm-3 obserwuje się wytrącenia Se. Duże zagęszczenie wydzieleń obserwuje się w końcowej części hodowanych kryształów powyżej 0,9 ich długości. Na próbkach o koncentracji nośników ~ 3 x 1017 cm-3 w pomiarach rezystywności w funkcji temperatury w obszarze T < 30 K obserwuje się wzrost rezystywności ze spadkiem temperatury, wskazujący na półprzewodnikowe własności tego materiału.
EN
In this paper the results of the investigation into growth of n – type Bi2Se3 crystals with decreased carrier concentration are presented. Such a material is used for obtaining Ca – doped p – type Bi2Se3, in the case of which the observation of electrons from the metallic topological surface is possible. Crystals were grown by the Vertical Bridgman method (VB). For the evaluation of their physical properties the following methods were applied: resistivity and Hall effect measurements at room temperature and as a function of temperature in the (10 – 320) K range, EDX (atomic composition of compounds), XRD (chemical composition), Nomarski microscopy, scanning microscopy and AFM. Crystals with n – type conductivity and carrier concentration in the range between 2 x 1019 cm-3 and 3 x 1017 cm-3 were grown. In the material with carrier concentration n < 5 x 1018 cm-3 the precipitates of metallic Se were observed. A high concentration of Se inclusions as detecteded in the tail part of the crystals, above 0.9 of their length, when the Se excess in the melt was significantly raised. For the samples with carrier concentration n ~ 3 x 1017 cm-3, an increase in resistivity when decreasing the temperature was observed, which indicates semiconducting properties of the material.
4
Content available Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
Hruban A., Orłowski W., Mirowska A., Strzelecka S., Piersa M., Jurkiewicz-Wegner E., Materna A., Dalecki W.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 3
38-47
PL
Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
EN
A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
5
Content available remote Blown fill - perspective of deep mines
Ciganek J., Materna A.
Górnictwo i Geologia
|
2009
|
T. 4, z. 2a
25-51
PL
Stosowanie podsadzki jest jedną z metod zmniejszania efektów eksploatacji na powierzchni terenu. Szeroko stosowna w Polsce podsadzka hydrauliczna posiada ograniczenia natury technologicznej. Głównym tematem niniejszego artykułu związanyjest z zagadnieniem dotyczącym technologi stosownej przy pneumtaycznym posadzaniu zasobów, a także podaje argumenty za i przeciw stosowaniu tej technologii.
EN
Mine filling is a verified method of cutting down effects of mining on the Method of hydraulic mining, which is broad in Poland, has however and hygienic limitations. With progressive deep minmg climatic troubles which can completely release the hydrauhc fill with unfavourable article deals mainly with the issue of technology of pneumatic filling and evaluates pros and cons of this process.
6
Content available remote Numerical modelling of masonry structures
Materna A., Brožovský J., Kološ I.
Roczniki Inżynierii Budowlanej
|
2006
|
z. 6
79--82
CS
V příspěvku je diskutován konstitutivní model pro maltu. Tento model popisuje chování simulovaného materiálu na základě ekvivalentních vztahů pro jednoosou napjatost. Tyto ekvivalentní vztahy jsou aplikovány na tzv. ekvivalentní napětí a deformace, za které jsou zde považována hlavní napětí a jim příslušné poměrné deformace. Parametry pro ekvivalentní jednoosé vztahy (pevnost v tahu a tlaku a jim odpovídající poměrné deformace) jsou určovány na základě podmínek porušení (Kupferova, Chenova) pro dvojosou napjatost. Pro popis chování materiálu v tahu je využíván koncept rozmazaných trhlin, který zavádí vliv mikrotrhlin na konstrukci formou snížení modulu pružnosti materiálu ve směru kolmém ke směru vypočtené trhliny. V příspěvku je použitý model ilustrován numerickým příkladem.
7
Content available Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
Strzelecka S., Hruban A., Wegner R., Piersa N., Surma B., Orłowski W., Mirowska A., Materna A., Gładki A.
Materiały Elektroniczne
|
2006
|
T. 34, nr 1-2
78-103
PL
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
EN
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
8
Content available Estymacja ciśnienia w reaktorze do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury
Materna A., Orzyłowski M., Rudolf Z.
Materiały Elektroniczne
|
2006
|
T. 34, nr 3-4
40-61
PL
Omówiono budowę urządzenia do syntezy fosforku indu (InP) metodą HGF (Horizon-tal Gradient Freeze) wędrującego gradientu temperatury oraz podstawowe zagadnienia związane ze sterowaniem tym procesem. Opisano zagadnienie pożądanego rozkładu temperatury w strefie parowania fosforu. Przeprowadzono pomiary temperatury w tej strefie i zbadano powtarzalności tego rozkładu. Podsumowanie zawiera wnioski dotyczącej prawidłowej konstrukcji urządzenia oraz wymagań związanych z przygotowaniem i bezpiecznym prowadzeniem procesu syntezy InP.
EN
The aim of this work was the estimation of P pressure during InP synthesis process by HGF method in quartz reactor. It was done in high pressure multizone furnace. Design of furnace and P pressure control in quartz reactor by temperature profile control in furnace are described. Results of temperature measurements in phosphorus zone of reactor and their influence on evaporation dynamics are desired to obtain safety process of InP synthesis.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.