Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Correlation between electric parameters of carbon layers and their capacity for field emission

Gronau R.

Journal of Telecommunications and Information Technology

2007

nr 3

37-38

The aim of this work is to study a possibility of field electron emission from carbon layers produced by radio frequency plasma chemical vapor deposition (RF PCVD) method. A correlation between electric parameters of the layers and the ability to produce electron emission is also studied through material (AFM) and electrical (C-V, I-V) characterization of the obtained layers. It is demonstrated that the layers deposited with the highest self-bias exhibit the highest capacity for electron emission.

Zatosowanie technik plazmowych do płytkiej implantacji jonów

Gronau R., Szmidt J., Gotszalk T., Marendziak A., Konarski P., Rylski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

11-12

Opisano badania mające na celu zweryfikowanie możliwości płytkiej implantacji jonów z wykorzystaniem plazmy RF i korelacji parametrów procesu implantacji z właściwościami podłoża krzemowego po tym procesie. Wpływ zaimplantowanych jonów węgla określono porównując parametry kondensatorów MOS na podłożu krzemowym domieszkowanym węglem i z parametrami kondensatrów wykonanych tą samą technologią na czystym podłożu krzemowym. Powierzchnię podłoża krzemowego zbadano, używając mikroskopu sił atomowych AFM, spektrometrii mas jonów wtórnych SIMS, a także spektroskopii elektronów Augera AES. Na podstawie wykonanych analiz parametrów elektrycznych stwierdzono, że proces płytkiej implantacji jonów z plazmy RF jest możliwy.

The research of a phenomenon of shallow carbon ion implantation into silicon substrate and correlation between the implantation process and silicon substrate properties was described in this article. The implantation was carried out in the RF plasma environment during carbon layer deposition in course of Plasma Immersion Ion Implantation (PIII) process. Electronic parameters of MOS capacitors fabricated on undoped substrate were compared to the ones produced on carbon implanted wafer. This was done in order to determine properties of substrates surface neighbouring region. The surface of post implanted silicon substrate was investigated by atomic force microscopy (AFM), secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and Auger spectrocsopy (AES). It was stated that the shallow ion implantation process is possible on basis of analysis of electronic parameters.