PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 20

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
Trofimowicz D., Kordalski W., Stefański T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2017
|
Vol. 58, nr 9
7--10
PL
W artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
EN
This paper presents results of a combination of a heuristic method with the Nelder-Mead simplex method for identifying the parameter values of a non-quasi-static small-signal MOS transistor model. The implemented algorithm is described and the results obtained are demonstrated.
2
Content available remote Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
Trofimowicz D., Kordalski W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
191-194
PL
W artykule zaprezentowano wyniki zastosowania metody sympleksu Neldera-Meada do ekstrakcji wartości parametrów niequasistatycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS. Przedstawiono równoważny elektryczny schemat zastępczy i model matematyczny nowego modelu małosygnałowego MOSFETa dla częstotliwości mikrofalowych. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
EN
This paper presents results of practical implementation of the Nelder-Mead simplex method in identifying the parameter values of nonquasi- static small-signal MOS transistor model. Equivalent circuit and mathematical model of a new small-signal MOSFET model for microwave frequencies are performed. The implemented algorithm is described and the results attained are demonstrated.
3
A quasi-2D small-signal MOSFET model : main results
Kordalski W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
48-50
EN
Main results stemming from a new quasi‑2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.
PL
W artykule zaprezentowano ważniejsze wyniki nowoopracowanego quasi-dwuwymiarowego, niequasi-stycznego modelu małosygnałowego czterokońcówkowego tranzystora MOS. Wyniki weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości do 30 GHz potwierdzają porawność zaprezentowanego modelu.
4
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
Kordalski W.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2008
|
T. 16
519-526
PL
Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
EN
A physical background and properties of a nonquasi-static model of the intrinsic MOS transistor are presented. A brief review and classification of known intrinsic MOS transistor models are also given.
5
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
Kordalski W., Pribbenow M., Panek M., Boratyński B., Woźniak J., Zborowska-Lindert I., Ściana B.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2008
|
T. 16
513-518
PL
Zaproponowano kompletny, stałoprądowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależność podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
EN
A complete DC MAGFET model and its verification is presented. The proposed model takes into account a phenomenon of the source current division into two drain terminal currents.
6
Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b.w.cz.
Kordalski W., Mika A.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2008
|
T. 16
507-512
PL
Zaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości i długości kanału tranzystora.
EN
Non-quasi-static small-signal MOSFET in which gate spreading resistance is taken into account is proposed for RP and microwave frequency. Based on theoretical and experimental results, the gate spreading resistance is discussed and its dependence on the channel length and frequency is interpreted as well.
7
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
Panek M., Kordalski W., Ściana B., Zborowska-Lindert I., Boratyński B.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2008
|
T. 16
301-304
PL
W pracy przedstawiono analizę numeryczną nowego czujnika pola magnetycznego, którego struktura różni się od znanych MOS MAGFET-ów horyzontalnym, a nie pionowym podziałem drenów. Analizowano wpływ rozmiarów kanału w dwudrenowej strukturze MESFET wykonanej z GaAs na zmiany prądu drenu wywołane polem magnetycznym. Dla wybranej topologii struktury wykonano serię dwuwymiarowych symulacji zjawisk transportu nośników ładunku w kanale tranzystora dla dwóch przypadków: braku i obecności pola magnetycznego. Pozwoliło to uzyskać zarówno stałoprądowe charakterystyki elementu jak i określić wpływ parametrów konstrukcyjnych tranzystora na jego czułość na pole magnetyczne.
EN
2D simulation of a GaAs MAGFET was performed. An impact of the channel geometry, source and split-drain contacts configuration on the magnetic field sensitivity was investigated. Sensitivity of 8%T[to -1] was obtained, and its dependence on the magnetic flux direction was evaluated.
8
Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET
Kordalski W., Damaszk L., Boratyński B., Panek M., Woźniak J., Zborowska-Lindert I., Ściana B.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2008
|
T. 16
501-506
PL
Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
EN
Small-signal model for the MAGFET, in which mutual interaction between drain voltages is taken into account, is derived and a discussion of obtained results is presented.
9
Content available remote Properties and estimated parameters of a submicrometer HSDMAGFET
Kordalski W., Boratyński B., Panek M.
Materials Science Poland
|
2008
|
Vol. 26, No. 1
33--43
EN
Main features and predicted values of key parameters of a novel magnetic field sensitive semiconductor device, horizontally-split-drain magnetic field sensitive field effect transistor (HSDMAGFET) which can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields have been presented. Operating principle of the transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena and the gradual channel detachment effect (GCDE). The predicted relative sensitivity of the sensor can reach as high value as 100 [%/T]. Furthermore, due to its original structure, the spatial resolution of the MAGFET is extremely high, which makes this device particularly useful in reading magnetically encoded data or magnetic pattern recognition. Besides, a novel device related to the HSDMAGFET, namely, horizontally-split-drain current controlled field effect transistor (HSDCCFET) has been presented.
10
Content available remote A new drain insulation design in GaAs SD-MAGFET
Boratyński B., Kordalski W., Ściana B., Panek M., Zborowska-Lindert I.
Materials Science Poland
|
2008
|
Vol. 26, No. 1
27--21
EN
A new design of a split-drain MAGFET type magnetic sensor based on GaAs MESFET device with a sandwich-like drain configuration has been investigated. An excellent performance of the sensor, namely its high sensitivity and spatial resolution to magnetic field could be obtained as a result of an extremely short (200 nm) distance between the transistor drains realized using a unique epitaxial layer structure. A proper sequence of the AlGaAs/GaAs/AlAs/GaAs epitaxial layers grown by MOCVD technique followed by selective etching process has been proposed and realized. Structural parameters of the layers were studied. Electrical performance of the insulated drain structure was evaluated by measurements of the leakage current that was less than 10 nA for 2 V drain voltage bias difference.
11
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
Kordalski W., Boratyński B., Panek M., Polowczyk M., Zborowska-Lindert I., Ściana B., Szymański K., Woźniak J.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2007
|
T. 14
665-674
PL
Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawiska podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prądy drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie funkcji podziału prądu źródła tranzystora.
EN
An analytical self-consistent DC model of a horizontally split-drain magnetic field-effect transistor (HSD MAG-FET) bas been elaborated. The MAGFET-type sensors ale known and valued because of their high magnetic field sensitivity and high measurement spatial resolution. The proposed model takes into account a phenomenon of the source current division into two drain terminal currents. In the model, a mathematical function of the transistor current splitting, based on the drain currents magnitudes, ID1 and ID2 dependency on the drain bias voltages, VDS1 and VDS2 is introduced and explained.
12
Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne
Panek M., Kordalski W., Sitek M.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2007
|
T. 14
675-682
PL
Zaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.
EN
Some results of two-dimensional numerical modeling of the MOS transistor ale presented. The results indicate that gradual channel detachment effect and channel thickness modulation effect occur in the transistor. The two phenomena can be taken into account in quasi two-dimensional MOSFET modeling, which enable us to overcome problems appearing in one-dimensional modeling of the transistor.
13
A current - controlled FET
Kordalski W.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2007
|
T. 14
635-647
EN
A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenom-ena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated to low-power and low-voltage integrated circuit applications and besides it can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. As an element of analog integrated circuits, it can be applied to realize, e.g., a potential-free current amplifier, an operational potential-free current amplifier (scaling, summation, subtracting, differentiating, and integrating), and a voltage-current multiplier.
PL
W pracy zaproponowano nowy przyrząd półprzewodnikowy, mianowicie prądowo sterowany tranzystor polowy z izolowaną bramką zawierający dwa poziomo dzielone dreny (płaszczyzna podziału drenów jest równoległa do powierzchni półprzewodnika). Zasada działania tranzystora oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych, zjawisku łagodnego odrywania się kanału i prawie Biota-Savarta-Laplace'a. Pracą przyrządu można sterować jednocześnie za pomocą dwóch elektrod - prądowej i napięciowej. Zaproponowano także zastosowania nowego tranzystora jako elementu wybranych bloków analogowych układów scalonych.
14
Content available remote Horizontally-split-drain MAGFET - a highly sensitive magnetic field sensor
Kordalski W., Polowczyk M., Panek M.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2007
|
Vol. 55, nr 3
325-329
EN
We propose a novel magnetic field sensitive semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Magnetic-Field Sensitive Field-Effect Transistor (HSDMAGFET) which can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. Operating principle of the transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE) and is very similar to that of Popovic and Baltes's SDMAGFET. The predicted absolute sensitivity of the new sensor can reach as high value as 1000 V/T Furthermore, due to its original structure, the spatial resolution of the new MAGFET is very high which makes this device especially useful in reading magnetically encoded data or magnetic pattern recognition.
15
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
Kordalski W., Włodarczak K., Szymański K.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2006
|
T. 9
123-132
PL
Zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nad progowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.
EN
Physically consistent de single-equation MOSFET model describing operation of the transistor in sub- and above-threshold is presented. Reasoning for the two-dimensional physical model, a transformation technique from the two-dimensional analysis to the quasi-two-dimensional one, and some results of the experimental verification are also presented. The model satisfies Gummel's symmetry test.
16
Sterowane elektrycznie pojemności stosowane w mikroelektronice
Polowczyk M., Kordalski W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 2
36-39
PL
Praca prezentuje aktualny stan wiedzy o stosowanych w mikroelektronice elektrycznie sterowanych zmiennych pojemnościach. Omawiana jest budowa i podstawowe charakterystyki trzech rodzajów takich pojemności: diodowych (złączowych), MEMS i BST na podstawie przeglądu publikacji naukowych z lat 1964-2004.
EN
The paper concisely presents current state of knowledge of electrically controllable variable capacitors applied in microelectronics. Structure and basic characteristics of three types of such capacitors - diode's (junction's), MEMS's, and BST's - are described on basis of scientific publications in 1964-2004 years.
17
Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
Kordalski W., Tomaszewski D.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2005
|
T. 8
803-814
PL
Przedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS -jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku ruchomego pomijanego w modelach opartych na przybliżeniu łagodnego kanału. Przedstawiono rezultaty obliczeń numerycznych rozkładów gęstości ładunku ruchomego wzdłuż kanału tranzystora otrzymane za pomocą ATLAS'a - symulatora pracy przyrządów półprzewodnikowych. Na podstawie przeprowadzonych badań wskazano przesłanki uzasadniające przyjęcie określonego założenia dotyczącego rozkładu gęstości ruchomego ładunku kanału - założenia, które umożliwia wyprowadzenie spójnego fizycznie stałoprądowego modelu tranzystora MOS słusznego w zakresie triodowym i pentodowym.
EN
Validity, limitations and consequences of the use of the gradual channel approximation are analytically and numerically examined. A new proposition relating to the distribution of movable charges along the MOS transistor channel is given.
18
Quasi-dwuwymiarowe równanie ciągłości dla procesów dynamicznych w tranzystorach polowych
Kordalski W.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2005
|
T. 8
795-802
PL
W oparciu o dwuwymiarowy model fizyczny i matematyczny tranzystora polowego zaproponowano quasi-dwuwymiarowy model umożliwiający wyprowadzenie równania ciągłości dla nośników nadmiarowych w przypadku małych zaburzeń ich koncentracji. Rozważania przeprowadzono startując od najbardziej podstawowych praw fizyki. Wyprowadzone równanie ciągłości różni się w sposób istotny od analogicznego równania znanego w literaturze przedmiotu, np. w[1].
EN
A novel quasi-two-dimensional current continuity equation for excess current carriers in the insulated-gate field effect transistor has been derived. The new equation can be successfully used to development of a small-signal non-quasi-static MOSFET model.
19
Nowy, dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego
Kordalski W., Polowczyk M., Czerwiński J., Dzierżko J., Dobrzański L.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2004
|
T. 5
815-824
PL
W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych. Na podstawie wyników pomiarowych dostępnych w literaturze przedmiotu można wykazać, że przewidywana czułość proponowanego czujnika może być ok. 1000 razy większa niż czułość znanych i cenionych czujników wykorzystujących tranzystory MAGFET. Czujnik według nowej konstrukcji ma niezwykle małe wymiary i absorbuje małą moc. Artykuł składa się z krótkiego wstępu, opisu zasady działania nowego czujnika, oszacowania wrażliwości czujnika na pole magnetyczne oraz konkluzji.
EN
A novel, two-drain MOS transistor as a very sensitive magnetic field sensor is proposed. The sensor exploits the galvanomagnetic effect due to the Lorentz force on charge carriers in the transistor channel.
20
Admitancja wejściowa i transadmitancja mosfeta w zakresie b.w.cz.
Kordalski W., Stefański T.
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
|
2004
|
T. 5
825-832
PL
Bazując na nowym, nie quasi-statycznym modelu mało sygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.
EN
Some results of an analysis of the input admittance and transadmittance of the MOSFET operating over very high frequency range are presented. The results are derived from a novel non-quasi-static small-signal MOSFET model, and are confirmed by experimental verification.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.