PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Photoacoustic spectroscopy analysis of thin semiconductor samples
Bychto L., Maliński M.
Opto-Electronics Review
|
2018
|
Vol. 26, No. 3
217--222
EN
This paper is an analysis of determination possibility of the optical absorption coefficient spectra of thin semiconductor layers from their normalized photoacoustic amplitude spectra. Influence of multiple reflections of light in thin layers on their photoacoustic and optical absorption coefficient spectra is presented and discussed in detail. Practical formulae for the optical absorption coefficient spectrum as a function of the normalized photoacoustic amplitude spectrum are derived and presented. Next, they were applied for computations of the optical absorption coefficient spectra of thin In₂S₃ thin layers deposited on a glass substrate. This method was experimentally verified with the optical transmission method.
2
Content available remote Experimental investigations of the dependence of the lifetime of the optically generated minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination
Bychto L., Maliński M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 8
35--38
EN
This paper presents experimental and theoretical dependences of the lifetime of minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination. The experimental characteristics have been interpreted theoretically in the frame of Shockley Read Hall (SRH) statistics. The lifetimes of minority carriers for a low intensity of illumination were measured with the Surface Photovoltage (SPV) method while for the high intensity a Modulated Free Carrier Absorption (MFCA) method was applied. The obtained results clearly show that the experimentally obtained lifetimes of carriers can be compared only for the same conditions of illumination of the sample.
PL
Praca przedstawia doświadczalne i teoretyczne zależności czasu życia nośników mniejszościowych w krzemie typu n od natężenia światła. Charakterystyki doświadczalne zostały zinterpretowane teoretycznie w modelu Shockley Read Hall (SRH). Czasy życia nośników dla małych natężeń światła oświetlajacch próbkębyły mierzone metodą SPV podczas gdy dla dużych natężeń światła wykorzystano metodę Modulacji Absorpcji Światła na Swobodnych Nośnikach (MFCA). Uzyskane rezutaty jasno pokazują, że czasy życia uzyskane eksperymentalnie mogą być porównywane tylko dla tych samych warunków oświetlanie próbek.
3
Content available remote Influence of light intensity on the lifetime of carriers in silicon investigated by a photoacoustic method
Bychto L., Maliński M.
Opto-Electronics Review
|
2016
|
Vol. 24, No. 2
58--61
EN
The paper presents experimental results of the lifetime of light induced excess carriers in the n-type silicon. The lifetimes of carriers of silicon crystals were analysed as a function of the intensity of light illuminating the sample. As a measurement method of the lifetime of carriers, the photoacoustic method in a transmission configuration with different surfaces was used. The dependence character was next analysed in the frame of the Shockley Reed Hall statistics in approximation of the light low intensity.
4
Content available remote Mapowanie czasu życia nośników w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem techniki modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach
Maliński M., Bychto L., Chrobak Ł., Madej W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
113-116
PL
W artykule zaprezentowano tematykę bezkontaktowego mapowania czasów życia nośników w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem techniki modulacji absorpcji na swobodnych nośnikach. Opisano szczegóły techniczne dotyczące realizacji stanowiska badawczego oraz wykorzystanej metody detekcji sygnału. Przedstawiono i przedyskutowano przykładowe mapy czasów życia nośników w krzemie monokrystalicznym. W pracy omówiono również sposób wyznaczania koncentracji pułapek odpowiedzialnych za skrócenie czasu życia nośników.
EN
In the paper the issue of a noncontact mapping of the lifetimes of carriers in semiconductor materials with the MFCA method is presented. The technical details of the construction of the experimental set-up and the applied method of detection are described. Example maps of the lifetime spatial distributions in the silicon samples are shown and discussed. In the paper the way of computation of the spatial distribution of the traps responsible for the shortening of the lifetime of carriers is also presented.
5
Content available remote Zastosowanie wibrometru laserowego do badań dyfuzyjności cieplnej materiałów stosowanych w elektronice
Bychto L.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 9
15-18
PL
Nowoczesne wibrometry laserowe o niespotykanej dotąd rozdzielczości, wynoszącej nawet 20pm [1], mogą znaleźć zastosowanie w badaniach właściwości cieplnych materiałów stosowanych w elektronice. Artykuł prezentuje próbę wykorzystania takiego wibrometru do wyznaczania dyfuzyjności cieplnej materiałów takich jak krzem, german i krzemogerman.
EN
Modern laser vibrometer of unprecedented resolution of even 20pm [1] may be used in studies of thermal properties of materials used in electronics. This article presents an attempt to use of such vibrometer to determine thermal diffusivity of the materials such as silicon, germanium and silicon-germanium.
6
Content available Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon
Maliński M. A., Chrobak Ł. B., Bychto L., Pawlak M.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2013
|
Nr 5
17--22
EN
This paper presents experimental amplitude MFCA characteristics of the implanted silicon samples. Influence of the silicon implantation process for frequency MFCA characteristics has been analyzed. The idea and the experimental set-up of the proposed method have been presented and discussed. This paper proves that is possible to estimate depth of the implanted layer from MFCA experimental data.
PL
W artykule przedstawiono eksperymentalne charakterystyki MFCA dla próbek implantowanego krzemu. Przeanalizowano wpływ procesu implantacji krzemu na charakterystyki MFCA. Przedstawiono i poddano dyskusji ideę zaproponowanej metody oraz stanowisko eksperymentalne. Praca udowadnia, że możliwa jest estymacja głębokości warstwy implantowanej na podstawie eksperymentalnych charakterystyk MFCA.
7
Pomiary SPV krzemu stosowanego w fotowoltaice z wykorzystaniem wielokanałowego źródła optycznego
Bychto L., Patryn A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 5
47-50
PL
Metody pomiaru fotonapięcia powierzchniowego SPV są kluczowymi technikami wyznaczania istotnych parametrów materiałów półprzewodnikowych, w szczególności krzemu SQSi (Solar Quality Silicon) stosowanego do produkcji ogniw słonecznych. Celem pracy jest wykazanie, że możliwe jest zastąpienie elementów mechanicznych części wzbudzającej SPV półprzewodnikowymi źródłami światła (SSL). W artykule omówiono zagadnienia dotyczące opracowania i wykonania bloku wzbudzającego z użyciem diod LED i sprzęgacza światłowodowego układu SPV, a także pomiarów podstawowych parametrów optycznych bloku wzbudzającego oraz próbnych badań materiałów krzemowych metodą SPV w trybie stałego strumienia światła. Uzyskane wyniki potwierdziły możliwość wykorzystania elementów SSL do budowy bloku wzbudzającego.
EN
The surface photovoltage method SPV is one of the key methods for evaluation essential intrinsic parameters of semiconductor materials, especially Silicon used for solar cells production. The aim of the paper is the developing the SPV method in the way in which traditional excitation system based on lamp source and monochromator may be replaced with electronic controlled semiconductor source of light (SSL). The paper presents results of design and realization of the excitation block on a base of LED diodes and optical fiber splitter as well as results of analysis of semiconductor materials by using the SPV method in the constant photon flux mode. The obtained results confirmed the possibilities of reasonable using of the SSL elements to design an excitation block for SPV analysis the solar quality silicon materials.
8
Content available Układ monitorowania systemu fotowoltaicznego
Bychto L.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
|
2011
|
Nr 3
73--80
PL
W pracy przedstawiono budowę systemu fotowoltaicznego znajdującego się Laboratorium Optoelektroniki Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej. System służy celom dydaktycznym i rozwojowym z zakresu fotowoltaiki. System wzbogacono w układ monitorowania stanu pracy oraz oprogramowanie do gromadzenia danych pomiarowych. W pracy zaprezentowano również przykładowe aplikacje wykorzystane do analizy danych eksperymentalnych. Rzeczywisty zysk energetyczny porównano z zyskiem energetycznym otrzymanym w wyniku symulacji za pomocą programu ‘Polysun’.
EN
The paper presents the photovoltaic system placed in The Laboratory of Optoelectronic, Division of Electronics and Computer Sciences, Technical University of Koszalin. The system is used for didactics and research tasks on the field of photovoltaics. The monitoring circuit and the application for collecting data have been added to the system. The examples of the applications used for analysis of the experimental data are also presented. The real energetic yield was compared with energetic yield obtained from simulation by ‘PolySun’ application.
9
Measurements of the changes of thermal properties of lubricating oils caused by their degradation
Bychto L., Maliński M.
Molecular and Quantum Acoustics
|
1998
|
Vol. 19
71-77
EN
In this paper the results of photoacoustic studies concerning the influence of the wear [extent of the lubricating oils on their thermal parameters are presented and discussed Time dependent characteristics of the amplitude and phase of the photoacoustic (PA) signal as also their correlation as a function of the time of free flow of oil layers alongside the measuring membrane are presented. It was proved that the normal wear extent of oils which were measured was accompanied by approximately 30% increase of their thermal conductivity
10
Fototoacoustic measurements of the thermal properties of the electrically conducting glues used in the assembly of hybrid circuits
Maliński M., Bychto L.
Molecular and Quantum Acoustics
|
1998
|
Vol. 19
169-177
EN
In this paper the results of the photoacoustic measurements of the electrically conducting i are presented and discussed. The aim of this work was to estimate the value of the conductivity .thermal diffusivity and thermal diffusivity of the thick glue layers and : the results with the corresponding values of other typical solders and silicon. As the electrically conducting glue the unary paste EKO Solder AX201 with the silver powder filling was used and examined..
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.