PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 21

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available remote Design and development of original WSN sensor for suspended particulate matter measurements
Makowski L., Dziadak Bogdan, Suproniuk M.
Opto-Electronics Review
|
2019
|
Vol. 27, No. 4
363--368
EN
This paper comprehensively presents key issues in design of an original optoelectronic measurement device built to assess amount of suspended particulate matter. The paper is introduced with a short explanation of concerns with a suspended particulate matter, what role it has in the air quality and how it affects health of human population. Then, problems of construction of the measurement device supported by a theoretical explanation on the basis of Mie theory are discussed. Subsequently, it is followed by an analysis of the device operation both in laboratory and in real conditions. Results obtained with the presented device are compared with the professional measurement equipment and an expensive, outdoor measurement station. Paper is concluded with observations of differences in spatio-temporal PM change at very close but significantly different city locations.
2
Content available remote Current state of photoconductive semiconductor switch engineering
Majda-Zdancewicz E., Suproniuk M., Pawłowski M., Wierzbowski M.
Opto-Electronics Review
|
2018
|
Vol. 26, No. 2
92--102
EN
This paper presents the current state of a photoconductive semiconductor switch engineering. A photoconductive semiconductor switch is an electric switch with its principle of operation based on the phenomenon of photoconductivity. The wide application range, in both low and high-power devices or instruments, makes it necessary to take design requirements into account. This paper presents selected problems in the scope of designing photoconductive switches, taking into account, i.e. issues associated with the element trigger speed, uniform distribution of current density, thermal resistance, operational lifespan, and a high, local electric field generated at the location of electrodes. A review of semiconductor materials used to construct devices of this type was also presented.
3
Content available remote Wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych
Suproniuk M., Wierzbowski M., Pawłowski M., Majda-Zdancewicz E., Paziewski P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 10
49--52
PL
W artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych. Zaprezentowano dedykowany do tego celu system pomiarowy. Dokonano analizy niektórych przypadków związanych z niedokładnością pomiaru w prezentowanym systemie. Zaprezentowano wpływ pomiaru temperatury na niejednoznaczność otrzymanych na podstawie analizy fotoprądu parametrów centrów defektowych. Omówiono zagadnienia związane z wpływem sposobu wykonania kontaktów omowych na wyniki pomiaru. Opisano zjawiska związane z pomiarem niskich sygnałów oraz omówiono sposoby eliminacji zakłóceń w tych układach.
EN
The paper presents a measurement system for investigation of defect centres in semiconductor materials. Analysed were some aspects of measurement inaccuracies in the system. Shown was an influence of a temperature measurement on the ambiguity of parameters of defect centres obtained based on an analysis of photocurrent waveforms. Discussed were issues related to an influence of the way the ohmic contacts had been prepared on the measured signals. Described were the phenomena associated with the measurements of small signals and discussed were the ways of eliminating interferences from the system.
4
Content available remote Wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych
Suproniuk M., Majda-Zdancewicz E., Pawłowski M., Wierzbowski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 10
103--106
PL
Półprzewodnikowy przełącznik fotokonduktancyjny to urządzenie, w którym w wyniku pobudzenia sygnałem optycznym, następuje wzrost koncentracji nośników ładunku powodując zmniejszenie oporności materiału półprzewodnikowego nawet o kilka rzędów wielkości. W artykule przedstawiono wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych uwzględniając m.in. kwestie związane z szybkością włączania elementu, równomiernym rozkładem gęstości prądu, wytrzymałością termiczną, czasem eksploatacji i wysokim lokalnym polem elektrycznym wytwarzanym w miejscu elektrod.
EN
A photoconductive semiconductor switch is a device in which density of charge carriers increases causes decreases resistivity of semiconductor as a result of optically triggered. This paper shows selected aspects of photoconductive semiconductor switches designing with regards issue related to the switch rise-times, uniform distributed current density, thermal resistance, device lifetime and high local electric field generated at the electrode site.
5
Content available remote Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN
Paziewski P., Supronowicz H., Suproniuk M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2017
|
R. 93, nr 10
91--94
PL
W artykule zostały zaprezentowane przykładowe tranzystory wykonane w technologii azotku galu GaN do zastosowań energoelektronicznych. Opisano budowę i zasadę działania przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie oraz przedstawiono podstawowe założenia projektowe wraz z problemami wynikającymi z wysokich częstotliwości kluczowania i występowania znacznych prądów. Zostały również zaprezentowane wstępne wyniki badań zaprojektowanego układu.
EN
The article presents transistors made using gallium nitride GaN technology for power electronics applications. It describes the design and principle of operation of the step-up DC/DC converter and presents the basic design assumptions along with problems resulting from high switching frequencies and high currents of the inverter. It also presents preliminary results of the designed system.
6
Content available remote Current status of modelling the semi-insulating 4H–SiC transient photoconductivity for application to photoconductive switches
Suproniuk M., Kamiński P., Kozłowski R., Pawłowski M., Wierzbowski M.
Opto-Electronics Review
|
2017
|
Vol. 25, No. 3
171--180
EN
In this paper we present the current status of modelling the time evolution of the transient conductivity of photoexcited semi-insulating (SI) 4H–SiC taking into account the properties of defect centres. A comprehensive model that includes the presence of six, the most significant, point defects occurring in SI 4H–SiC crystals is presented. The defect centres are attributed to the two kinds of nitrogen-related shallow donors, a boron-related shallow acceptor, deep electron and hole traps, and the Z ½ recombination centre. We present the results of the state-of-the-art numerical simulations showing how the photoconductivity transients change in time and how these changes are affected by the properties of defect centres. The properties of defect centres assumed for modelling are compared with the results of experimental studies of deep-level defects in high purity (HP) SI 4H–SiC wafers performed by the high-resolution photoinduced transient spectroscopy (HRPITS). The simulated photoconductivity transients are also compared with the experimental photocurrent transients for the HP SI 4H–SiC wafers with different deep-level defects. It is shown that a high-temperature annealing producing the C-rich material enables the fast photocurrent transients to be achieved. The presented analysis can be useful or technology of SI 4H–SiC high-power photoconductive switches with suitable characteristics.
7
Content available remote Koncepcja jednofazowego łącznika hybrydowego do zastosowań energetycznych
Kulas S., Supronowicz H., Suproniuk M., Michta K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 1
37--40
PL
W artykule autorzy prezentują koncepcję budowy hybrydowego jednofazowego łącznika energetycznego za pomocą którego istnieje możliwość załączenia i wyłączenia obwodów prądu przemiennego przy nieznacznej rezystancji zestykowej układu stykowego w stanie załączenia. Dodatkowo opisywana konstrukcja pozwala uzyskać widoczną przerwę izolacyjną w stanie wyłączenia. Zaproponowano konstrukcję bipolarną umożliwiającą włączenie obwodu zarówno przy dodatniej jak i ujemnej półfali napięcia oraz unipolarną załączaną tylko dodatnią częścią półfali. Przeprowadzono badania symulacyjne zaproponowanego układu w środowisku Tcad.
EN
The authors present the concept of the hybrid single-phase power switch in this paper. The proposed solution allows you to turn on and off circuits with very low contact resistance in draft mode. Additionally disclosed design allows for visible isolation in the off state. Have been proposed two structures connector, bipolar and unipolar respectively. The first one allows the circuit to enable both positive and negative half-wave voltage. Second only positive half-waves voltage. Simulation tests of power switch performed in the Tcad.
8
Content available remote Modelowanie wpływu koncentracji centrów defektowych na rezystywność monokryształów krzemu
Suproniuk M., Kamiński P., Kozłowski R., Żelazko J., Kwestarz M., Pawłowski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 8
226-229
PL
Przedstawiono sposób symulacyjnego wyznaczania rezystywności monokrystalicznego krzemu w zależności od koncentracji sześciu rodzajów centrów defektowych o różnych właściwościach. Możliwości wykorzystania symulatora zademonstrowano na przykładzie wyników uzyskanych dla domieszkowanego azotem monokryształu krzemu o dużej rezystywności przed oraz po napromieniowaniu wysokoenergetycznymi neutronami.
EN
We demonstrate the method of simulating the resistivity of monocrystalline silicon as a function concentrations of six kinds of defect centers with various properties. The potentialities of the simulator are exemplified by the results obtained for the nitrogen-doped high resistivity silicon single crystal before and after irradiation with high-energy neutrons.
9
Content available remote Aparaturowe ograniczenia pomiaru kinetyki pojemności w metodzie DLTS
Pawłowski M., Pawłowski M., Suproniuk M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 8
209-212
PL
W pracy przedstawiono metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS stosowaną do badania centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych niskorezystywnych. Wskazano ograniczenia procesu pomiaru niestacjonarnych przebiegów pojemności próbki przy zastosowaniu w systemie pomiarowym typowych, fabrycznych mierników pojemności na przykładzie miernika Boonton 7200. Zaproponowano dodatkową głowicę do miernika umożliwiającą wykonanie pomiarów w szerokim zakresie czasów pobudzeń próbki, do zakresu submikrosekundowego włącznie. Przedstawiono procedurę korekcji nieliniowości wprowadzanych przez ten układ.
EN
This article presents deep level transient spectroscopy (DLTS) applied as a tool of investigation of low resistive semiconductor materials. In this contribution we focus on limitations of measurement of capacitance kinetics performed by means of ready-made meters. In our case Boonton 7200 capacitance meter was used. Additional unit placed at the meter’s input was designed. The unit allows to extend range of duration of excitant pulses. Measurements with pulses shorter than microsecond and longer than minutes were possible. A procedure of correction of nonlinearity introduced by additional unit was described.
10
Content available Układ do diagnostyki automatyki budynkowej w systemie KNX
Suproniuk M., Pizon M., Stachno A., Izworski A., Kocyk E.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 9
780--783
PL
W artykule przedstawiono układ do diagnostyki inteligentnych instalacji elektrycznych w systemie KNX. Zadaniem układu jest określenie stanu pracy instalacji za pomocą zarejestrowanych w magistrali komunikacyjnej telegramów. Schemat układu pomiarowego służącego do pomiaru telegramów transmisyjnych w systemie KNX przedstawiony jest na rys. 1. Przeprowadzone badania pozwoliły opracować komplementarny algorytm służący do pomiaru oraz szczegółowej analizy telegramów transmisyjnych. W efekcie końcowym program generuje macierz o wymiarach [m, 8], gdzie m jest to liczba ramek w telegramie, która jest uwarunkowana od długości słowa użytecznego. Przeprowadzone badania pozwoliły stwierdzić skuteczność działania algorytmu oraz efektywność działania programu oraz wypracować podstawy do zaprototypowania uniwersalnego urządzenia służącego do diagnostyki systemów KNX.
EN
The paper presents a diagnostic system for intelligent electrical installations KNX. The purpose of the system is to determine the status of the installation by registered communication telegram. The schematic diagram of the measurement system used to measure the transmission of telegrams KNX is shown in Figure 1. Measuring and testing the transmission of telegrams KNX requires special measurement systems, responsive to rapidly changing signals with average values of amplitude. This is because recording in the telegram large number of bits. The study made it possible to develop a complementary algorithm for measurement and detailed analysis of the transmission of telegrams. As the final effect, the program generates a matrix of dimensions [m, 8], where m is the number of frames in the telegram, which is determined by the useful word length. The study enabled determining the effectiveness of the algorithm and the program as well as developing the basis for prototyping a universal device for the diagnosis of KNX.
11
Content available Prognozowanie kolejnych wartości pomiarowego szeregu czasowego z zastosowaniem sztucznych sieci neuronowych i funkcji trygonometrycznych
Stachno A., Suproniuk M.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 9
764--767
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań prognozowania kolejnych wartości pomiarowych szeregów czasowych z zastosowaniem sztucznych sieci neuronowych. Metoda ta umożliwia analizę danych pomiarowych, pochodzących z obiektu, który nie posiada modelu matematycznego. Zbudowanie modelu neuronowego na podstawie szeregu czasowego, odzwierciedlającego dane pomiarowe jest często jedyną metodą przybliżenia sposobu działania obiektu. Wykorzystanie tego modelu do prognozowania zachowania się obiektu w przyszłości może uwzględniać dodatkowo zestaw funkcji trygonometrycznych oraz autorskiej metody WMF wygładzania szeregu czasowego. Przeprowadzone badania wykazały znaczący wzrost dokładności prognoz oraz możliwość uniezależnienia ich od wyprzedzenia czasowego.
EN
The paper presents the results of forecasting subsequent measurement values of the time series (Fig. 1) using artificial neural networks. This method allows the analysis of measurement data [1], coming from an object that does not have a mathematical model. The only representation of the actual state of the output object is approximation of its properties using the neural model, automatically-adapting with respect to the output (Fig. 2). Creating a neural model based on the time series reflecting the measurement data is often the only way to approach the object operation. The use of this model for forecasting the behavior of the object in the future may include an additional set of trigonometric functions (Fig. 7), appropriately presented at the inputs of the neural network. As described in the work, the result of the time series to supplement additional, independent from the object data is to improve the forecast accuracy of successive values of the time series. Taking into account in the forecasting process data smoothing the author's method WMF [1] (Fig. 8), causes a significant increase in the accuracy of the obtained forecast results. The study showed the possibility of using trigonometric functions as input learning network. In addition, there was shown the increase in the accuracy of forecasts of successive values of the time series with different advance and independence of it from historical data (Fig. 10).
12
Content available Pomiar dynamiki obiektu w układzie regulacji
Izworski A., Lewoc J. B., Suproniuk M.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 9
698--701
PL
Przedstawiony tekst opisuje wybrane sposoby pomiaru dynamiki obiektu. Przedstawiono klasyczne procedury wyznaczania parametrów uproszczonego modelu obiektu Küpfmüllera i Strejca oraz sposoby doboru optymalnych nastaw regulatora typu PID. Opisano wykorzystanie metody momentów do wyznaczania parametrów dla modelu Strejca. Przeprowadzono badania symulacyjne proponowanych metod. Badania te ukazują, jak w sposób praktyczny zastosować proponowane modele opisu dynamiki obiektu.
EN
The paper describes the ways of creation of the dynamics model of objects used in automatic control systems. In a closed control system, a continuous controller of the PID type is applied. To obtain a stable automatic control system, the controller settings should be selected. These parameters depend on the object dynamics, the kind of disturbances occurring in the system and the quality criteria accepted. There was undertaken the problem of creation of simplified object dynamics descriptions used in investigations for closed automatic control systems. Analytical, graphical and simulation methods were proposed for determination of parameters in simplified systems. The investigations were performed in Matlab Simulink simulation programs. The selection of the dynamic parameters of objects was made for the Küpfmüller model and the Strejc models (of the second, third and fourth order). The use of simulation methods will enable showing in a practical way, how to realize the object dynamics measurements. The investigations conducted confirmed the possibility of using the method proposed and, in particular, the method of the moments of the step response of the object for determination of simplified control object models. The simulation results obtained show how the solutions proposed may be applied in a practical way.
13
Content available remote System pomiarowy parametrów środowiskowych z przeznaczeniem do prognozowania w budynkach inteligentnych
Stachno A., Suproniuk M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
152-155
PL
W artykule przedstawiona została metoda pozyskiwania informacji przez specjalistyczny system pomiarowy zbudowany w oparciu o magistralę KNX/EIB i dedykowane urządzenia pomiarowe. Opisano funkcje poszczególnych układów i sposoby ich realizacji. Przedstawiono klasyfikację szeregów czasowych obrazujących wyniki pomiarów i jej wpływ na dokładność prognozowania. Zaproponowano metodę przetwarzania informacji pomiarowych dla potrzeb prognozowania kolejnych wartości szeregów czasowych.
EN
The paper presents a method of obtaining information through a specialized measurement system built on KNX/EIB and dedicated test equipment. Describes the functions of the various systems and methods for their implementation. The classification of time series showing the results of measurement and its impact on the accuracy of forecasting. Proposed a method of measuring information processing for the subsequent prediction of time series.
14
Content available remote Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs
Suproniuk M., Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
165-168
PL
Rozwój energetyki w dużej mierze zależy od właściwości materiałów półprzewodnikowych, z których wytwarzane są elementy układów przekształtników energoelektronicznych. Stosowane dotychczas elementy na bazie krzemu są obecnie wypierane przez elementy produkowane na bazie arsenku galu. Parametry nowego typu przyrządów silnie zależne są jednak od właściwości i koncentracji defektów punktowych sieci krystalicznej w tym materiale, które badane są metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. W artykule zaproponowano model i przeprowadzono analizę wpływu szybkości generacji par elektron-dziura na szybkość narastania koncentracji nadmiarowych nośników ładunku dla założonych właściwości i wartości koncentracji centrów defektowych w półizolującym GaAs.
EN
Energy development largely depends on the properties of semiconductor materials, which are used for fabrication of power converters system components. Used so far silicon-based components are now being replaced by elements of made of gallium arsenide. The parameters of the new type of devices, however, are strongly dependent on the properties and concentrations of lattice point defects in this material. The photoinduced transient spectroscopy is a powerful method for studying defect centers in semi-insulating (SI) GaAs. A model is proposed and the analysis of the effect of the electron-hole pairs generation rate on the rise of the excess charge carriers concentrations in semi-insulating GaAs for the assumed properties and concentrations of defect centers has been performed.
15
Content available remote Diagnostyka inteligentnych instalacji elektrycznych w systemie KNX
Suproniuk M., Pizon M., Pawłowski M., Stachno A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 9
169-172
PL
Autorzy w artykule prezentują metody diagnostyki sygnałów sterujących automatyką budynkową w systemie KNX. Za pomocą telegramów można stwierdzić jaki rodzaj komunikatu jest wysyłany i za realizację jakiej funkcji odpowiada. Dokonując analizy telegramów w systemie istnieje możliwość zlokalizowania awarii lub nieprawidłowości działania instalacji.
EN
Diagnostic methods of control signals for building automation KNX is presented. The telegrams sent in the system are responsible for the functions performed. Analyzing telegrams is the ability to locate failures or system malfunctions.
16
Content available Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Pawłowski M., Suproniuk M.
Materiały Elektroniczne
|
2012
|
T. 40, nr 2
17-27
PL
Celem pracy jest analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych w wysokorezystywnych materiałach półprzewodnikowych badanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Otrzymane wyniki wskazują, że występuje przesunięcie przebiegu linii grzbietowych fałd na korelacyjnej powierzchni widmowej w porównaniu z przebiegiem linii grzbietowych fałd na powierzchni widmowej otrzymanej metodą odwrotnego przekształcenia Laplace'a związanych z termiczną emisję nośników ładunku z tych samych centrów defektowych. Stwierdzono, że przesunięcie to jest wynikiem przyjęcia uproszczonego modelu opisującego relaksację fotoprądu w metodzie korelacyjnej i powoduje obliczenie błędnych wartości parametrów centrów defektowych tą metodą. Zaproponowano metodę zmniejszenia tego błędu polegającą na korekcji temperaturowej zależności amplitudy eksperymentalnych przebiegów fotoprądu do postaci zgodnej z przyjętym uproszczonym modelem. Metodę zilustrowano korekcją relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zarejestrowanych dla centrum A (kompleksu luka-tlen), występującego w próbkach FZ Si napromieniowanych neutronami.
EN
The error in the parameters of the defect centers calculated with a correlation method using the photoinduced transient spectroscopy (PITS) is discussed. The obtained results indicate that an inadequate photocurrent relaxation model causes a shift of the fold ridgeline on the spectral surface obtained using the correlation method towards lower temperatures when compared with the shift obtained using the inverse Laplace transformation. This shift introduces errors in the calculation of the parameters of the defect centers. The method for minimizing the error in the parameters of the defect center, consisting in correcting temperature dependence of the photocurrent transient amplitude so that it is consistent with the simple model, is proposed. The analysis is supplemented with the calculation of the parameters of the defect centers with the new correction method for the centre A (a vacancy-oxygen complex) in neutron- irradiated silicon.
17
Content available remote Błąd adekwatności modelu obrazowania struktury defektowej półprzewodników wysokorezystywnych badanej metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej.
Pawłowski M., Suproniuk M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 10
230-235
PL
Celem pracy jest określenie wpływu błędu adekwatności modelu metody korelacyjnej na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Stwierdzono, że nieadekwatność modelu metody korelacyjnej powoduje przesunięcie wykresu Arrheniusa w kierunku niższych temperatur w odniesieniu do wykresu otrzymanego metodą odwrotnego przekształcenia Laplace’a. Do pokazania tego wpływu wykorzystano rejestracje relaksacji fotoprądu charakterystyczne dla centrum A (kompleksu luka-tlen) występującego w próbkach FZ Si:Sn napromieniowanych neutronami.
EN
The effect of model adequacy error of the correlation method for studies of defect centres by photoinduced transient spectroscopy (PITS), on the values of activation energy and capture cross-section obtained from the Arrhenius plot is discussed. It is shown that due to model inadequacy, there is a shift towards lower temperatures of the Arrhenius plot obtained from correlation method in comparison with that obtained from inverse Laplace transformation. The effect is exemplified by the Arrhenius plots calculated by both methods using photocurrent transients for the centre A (vacancy-oxygen complex) in neutron irradiated silicon doped with tin.
18
Content available Automatyzacja procedur diagnozowania źródeł promieniowania laserowego
Kiczyński K., Owsik J., Suproniuk M.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2011
|
Vol. 60, nr 1
55-69
PL
W artykule zaprezentowano zasady, algorytmy oraz układy do pomiarów najważniejszych parametrów laserów. Pomiar mocy i energii stanowi podstawę diagnostyki laserowych źródeł promieniowania. Zaprezentowano zautomatyzowany wzorzec mocy i energii promieniowania laserowego zaprojektowany do pracy w systemie zabezpieczenia metrologicznego techniki laserowej.
EN
Rules, algorithms and systems for measurement of the most important laser parameters were presented in this paper. Measurement of the power and energy is the basis of laser devices diagnostics. Automatic standard device of the lasers power and energy, designed for a laser metrological protection of energy laserometry was shown.
19
Content available remote Baza wiedzy w inteligentnym systemie pomiarowym do badania centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących
Suproniuk M., Kamiński P., Pawłowski M., Kozłowski R., Pawłowski M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 12
249-252
PL
Przedstawiono inteligentny system pomiarowy do charakteryzacji centrów defektowych w półprzewodnikowych materiałach półizolujących metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Parametry centrów defektowych wyznaczono na podstawie dwuwymiarowej analizy niestacjonarnych przebiegów fotoprądu opartej na odwrotnej transformacie Laplace’a i metodach inteligencji obliczeniowej. W celu określenia przypuszczalnej konfiguracji atomowej wykrytych centrów wyznaczone parametry porównano z danymi zawartymi w bazie wiedzy systemu, gdzie gromadzone są w sposób zorganizowany informacje o zaobserwowanych defektach wprowadzone na podstawie danych z pomiarów własnych i opublikowanych w dostępnej literaturze.
EN
An intelligent measurement system for the characterisation of defect centres in semi-insulating materials is presented. The basic advantage of the system relies on the application of two dimensional analysis of the photocurrent decays and computational intelligence to extract the parameters of defect centres from the two-dimensional spectra in the domain of temperature and emission rate. The spectral analysis is carried out the procedure based on the inverse Laplace transformation algorithm. For identification of each defect centre, the obtained parameters are compared with the data in the knowledge base, where the defect properties reported in the available publications are stored and catalogued.
20
Content available remote Inteligentny system diagnostyczny do badania półprzewodników wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Suproniuk M., Kamiński P., Miczuga M., Pawłowski M., Kleider J., Kozłowski R., Longeaud Ch.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
R. 85, nr 11
93-98
PL
Przedstawiono koncepcję inteligentnego systemu pomiarowego do diagnozowania wysokorezystywnych materiałów półprzewodnikowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej. Zadaniem tego systemu będzie tworzenie obrazu struktury defektowej obejmującego informację o parametrach i koncentracjach zaobserwowanych centrów defektowych.
EN
An intelligent measurement system for diagnosing of semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy has been presented. The system utilises two-dimensional analysis of the photocurrent transients digitally recorded in a broad range of temperatures for determination of defect centers parameters and a simulation procedure for calculation their concentration. The system is shown to be a powerful tool for studies of defect structure of high-resistivity semiconductors.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.