SiGe field effect transistors - performance and applications

• Autorzy: Whall T.E. , Parker E.H.C.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Recent and encouraging developments in Schotky and MOS gated Si/SiGe field effect transistors are surveyed. Circuit applications are now beginning to be investigated. The authors discuss some of this work and consider future prospects for the role of SiGe field effect devices in mobile communications.

Słowa kluczowe

EN

SiGe; FETs; epitaxy; circuits

• Wydawca: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
• Czasopismo: Journal of Telecommunications and Information Technology
• Rocznik: 2001
• Tom: nr 1
• Strony: 3--11
• Opis fizyczny: Bibliogr. 37 poz., rys.

Twórcy

autor

Whall T.E.

autor

Parker E.H.C.

• Department of Physics, University of Warwick, UK,