Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
Symposium "Diagnostic and Yield : SOI-Materials, Devices and Characterization" (4 ; 22-24.04.1998 ; Warsaw, Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
The Pseudo-MOS transistor (Ψ-MOSFET ) is a very useful technique for the quick and complete evaluation of the electrical properties of SOI wafers, before any CMOS processing. This paper reviews the state-of-the-art of static and dynamic Ψ-MOSFET operation, highlighting the main models and methods for parameter extraction. Numerical simulations are presented which validate the Ψ-MOSFET principles and clarify the optimal conditions of poeration. Finally, selected examples of applications are given to illustrate the efficiency of this technique for in situ electrical characterization of various SOI technologies and processes.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
7--15
Opis fizyczny
Bibliogr. 18 poz.
Twórcy
autor
autor
- Laboratoire de Physique des Composants a Semiconducteurs (UMR CNRS & INPG) ENSERG, B.P. 257, 38016 Grenoble Cedex 1, France
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0001-0424