Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy

• Autorzy: Legutko P.

Warianty tytułu

EN

Low Loss Power MOSFET Driver

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono nową konstrukcję dyskretnego drajwera dedykowanego do zastosowań z wysokoczęstotliwościowymi tranzystorami MOSFET mocy. Przedstawiono przebiegi czasowe oraz charakterystyki strat mocy zarówno drajwerów scalonych, jak i nowego dyskretnego układu. Opracowany dyskretny układ drajwera charakteryzuje się niskimi stratami mocy i krótszymi czasami przełączeń przy częstotliwości 30 MHz. Koszt opracowania nowego drajwera jest kilkakrotnie niższy niż koszt zakupu drajwera scalonego.

EN

This paper presents a systematic approach to the design of high performance gate drive circuits for high speed switching applications. Two integrated drivers DEIC420, DEIC515 and additionally one discrete driver UCC27526 have been designed in the project. The UCC27526 driver was built with low-power discrete circuits connected in parallel by means of appropriate buffers reinforcement signal generator. Figure 1 shows the transistor gate circuit connected to the driver circuit. Figures 2 and 3 present the circuit driver UCC27526. Additionally, in this paper there are presents the characteristics of the driver input power (Fig. 4) for three operating states: a) no load; b) capacitance load 3 nF; c) loading with MOSFET gate. The output voltage waveforms for the DEIC420 and 8xUCC27526 drivers for three operating states are shown in Figures 5 and 6. The new MOSFET Drivers have been verified by use in the universal laboratory in the Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics of Silesian University of Technology.

Słowa kluczowe

PL

drajwer; straty mocy; czasy przełączeń; tranzystor MOSFET

EN

driver; analysis; power losses; MOSFET transistor

• Wydawca: Wydawnictwo PAK
• Czasopismo: Pomiary Automatyka Kontrola
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 60, nr 3
• Strony: 188--191
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., schem., wykr.

Twórcy

autor

Legutko P.

• Politechnika Śląska, Wydział Elektryczny, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. B. Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice

Bibliografia

• [1] Barkhordarian V.: Power MOSFET Basic, International Rectifier, Dokumentacja techniczna.
• [2] Balogh L.: Design and Application Guide For High Speed MOSFET Gate Driver Circuit, International Rectifier, Dokumentacja techniczna.
• [3] Scoggins P.: A Guide to Designing Gate-Drive Transformers, Power Electronics Technology, January 2007, pp.32-36.
• [4] Bliss J.: The MOSFET Turn-Off Device – A New Circuit Building Block, Motorola Semiconductors, Engineering Bulletin, EB142, 1990.
• [5] Kaczmarczyk Z.: Poprawa właściwości energetycznych falowników klasy E przez maksymalizacje wykorzystania tranzystora, Rozprawa habilitacyjna, Wydawnictwo Politechniki Śląskiej, 2007.
• [6] Kasprzak M.: Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napiecia bramkowe-go, Przegląd Elektrotechniczny, 89 (2013), nr 2a, str. 28-33.
• [7] Kasprzak M.: Falownik klasy DE 13,56 MHz/500 W z drajwerem typu flyback, Przeglad Elektrotechniczny, 86 (2010), nr 2, str. 243-246.
• [8] Leitermann O.: Radio Frequency dc-dc Converters: Device Characterization, Topology Evaluation, and Design, Massachusetts Institute of Technology, February 2008.
• [9] Dokumentacja techniczna drajwera DEIC420 dostępna pod adresem: http://ixapps.ixys.com/DataSheet/deic420.pdf
• [10] Dokumentacja techniczna drajwera DEIC515 dostępna pod adresem: http://ixapps.ixys.com/DataSheet/deic515.pdf
• [11] Dokumentacja techniczna układu scalonego UCC27526 dostępna pod adresem: http://www.ti.com/product/ucc27526