Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami

• Autorzy: Węgierek P. , Kowalski M.

Warianty tytułu

EN

Mechanism of electric conductivity in ion-implanted gallium arsenide

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono rezultaty badań właściwości elektrycznych arsenku galu zdefektowanego polienergetyczną implantacją jonów H⁺. Dokonano analizy mechanizmu przewodzenia prądu elektryczego wykorzystując zależności częstotliwościowe i temperaturowe przewodności elektrycznej. Na jej podstawie wykazano, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości.

EN

The article presents results of testing electric properties of gallium arsenide defected with poly-energy implantation of H⁺ ions. An analysis of electric current conduction mechanism has been performed based on frequency and temperature dependences of electrical conductivity. It has been shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at low frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values.

Słowa kluczowe

PL

arsenek galu; implantacja jonowa; defekty radiacyjne; przewodność skokowa; przewodność pasmowa

EN

gallium arsenide; ion implantation; radiation defects; hopping conductivity; banding conductivity

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 9
• Strony: 42--44
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Węgierek P.

autor

Kowalski M.

• Politechnika Lubelska, Wydział Elektrotechniki i Informatyki

Bibliografia

• [1] Mott N. F., Davis E. A.: Electronic process in non-crystalline materials. Clarendon Press, Oxford, 1979.
• [2] Жуковский П. В., Партыка Я., Венгерек П., Ковальски М., Родзик А., Шостак Ю. А., Сидоренко Ю. В.: Генерационно-рекомбинационный механизм прыжкового обмена зарядами в полупроводниках с зоной глубоких уровней, Материалы 4-й Международной Конференции Взаимодействие Излучений с Твердым Телом, Mirisk, 2001.
• [3] Жуковский П., Ковальски М., Венгерек П., Партыка Я., Колтунович Т, Комаров Ф. Ф., Камышан А. С., Миронов А. М., Юрченко А. В., Фреик Д.: Проводимость на переменном токе полуизолирующих слоев GaAs, созданых полиенергетической имплантацией ионов Н+ IV International Conference "New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation", 343, Zakopane, 2005.
• [4] Żukowski P., Partyka J., Węgierek P., Kołtunowicz T, Kowaisk M., Sidorenko Yu.: Generation-recombination mechanism of hopping recharging between deep amphoteric defects in strongly defected semiconductors. Physics and Chemistry of Solid State vol. 7, no 4, 644, 2006.
• [5] Kołtunowicz T.: Stanowisko do badania temperaturowych i częstotliwościowych zależności właściwości elektrofizycznych implantowanych półprzewodników, Elektronika – konstrukcje, technologie, zastosowania, nr 10/2007, pp. 37-40.
• [6] Boudivov H., Coelho A. V., Tan H. H., Jagadish C.: Characterization of deep level traps responsible for isolation of proton implanted GaAs, Journal of Applied Physics vol. 93-6, 3234, 2003.
• [7] Жуковский П., Ковальски М., Партыка Я.,: Частотная зависимость удельной проводимости GaAs имплантированного ионами Н+ Х International Conference Physics and Technology of Thin Films, 311, Ivano-Frankovsk, Ukraina, 2005.