PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  przewodność skokowa
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions
Węgierek P., Billewicz P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
364-365
EN
In the article the results of research on gallium arsenide irradiated with H+ ions have been presented as well as occurred correlations between probability of electron’s jump and sample annealing temperature have been discussed. Obtained results have confirmed that value of probability is strictly connected with the type of radiation defects formed as a consequence of irradiating tested sample with H+ ions.
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+.
2
Symulacja komputerowa właściwości elektrycznych nanokompozytów (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x, wytwarzanych rozpylaniem jonowym
Kołtunowicz T. N., Zhukowski P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
28-31
PL
W pracy przedstawiono symulację komputerową przewodności skokowej oraz doświadczalną weryfikację częstotliwościowych zależności właściwości elektrycznych w nanokompozytach (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x wytwarzanych przy użyciu rozpylania jonowego w atmosferze argonu i tlenu. Ustalono, iż uzyskane doświadczalne zależności konduktywności w funkcji częstotliwości odpowiadają krzywym uzyskanym na drodze symulacji komputerowych.
EN
The paper presents computer simulation of hopping conductivity and experimental verification of electrical properties vs. frequency dependences in (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)x(Al₂O₃)₁₀₀-x nanocomposites produced by means of ion sputtering in the atmosphere of argon and oxygen. It has been established that experimentally obtained dependences of conductivity as a function of frequency correspond to curves obtained by means of computer simulation.
3
Content available remote Conductivity of Cd1-xFexTe semiconductors at alternating current and temperatures lower than the room temperature
Zhukowski P., Kołtunowicz T., Węgierek P., Partyka J., Sidorenko J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
75-77
EN
The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe within the frequency range of and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of x < 0.03. Along with the temperature growth the segment of [sigma] increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron "settlement¨ after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped.
PL
W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01 . . . 0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz .f . 1 .Hz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S – kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji . . 0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu . przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas „osiadania” elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok.
4
Content available remote An effect of annealing on electric properties of nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)1-x produced by magnetron sputtering in the atmosphere of argon and oxygen beyond the percolation threshold
Zhukowski P., Kołtunowicz T., Fedotova J., Larkin A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
157-159
EN
The paper presents results of real part AC conductivity dependences on alternating current frequency, measuring temperature and annealing temperature in (CoFeZr)x(Al2O3)1-x nanocomposite sample beyond the percolation threshold deposited in argon and oxygen mixed gas ambient. It has been found that at the annealing temperature of 698 K and higher the additional oxidation of metallic “core/shell”-like nanoparticles occurs resulting in transition from conductivity with ó(f)=const to hopping regime with ó(f)~f á. Using the developed electron hopping model we have extracted the mean electron hopping length r1 = 2.6 nm from experimental results for annealed nanocomposite sample.
PL
W artykule zaprezentowano wyniki bada. zale.no.ci konduktywno.ci probki nanokompozytu (CoFeZr)x(Al2O3)1-x wytworzonej w otoczeniu mieszaniny argonu i tlenu od cz.stotliwo.ci pr.du zmiennego, temperatury pomiarowej i temperatury wygrzewania poza progiem perkolacji. Stwierdzono, .e przy temperaturach wygrzewania 698 K i wy.szych zachodzi dodatkowe utlenianie powierzchni nanocz.steczek fazy metalicznej jako efekt przej.cia od przewodno.ci z �Đ(f)=const do przewodo.ci skokowej z �Đ(f)~f �ż. Przy u.yciu opracowanego modelu przeskokow elektronow uzyskano .redni. d.ugo.. przeskoku elektronu r1 = 2.6 nm na podstawie wynikow do.wiadczalnych dla wygrzanej probki nanokompozytu.
5
Zmiennoprądowe przewodnictwo elektryczne krzemu implantowanego jonami
Węgierek P., Kowalski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
100-102
PL
W artykule omówiono mechanizm przewodnictwa elektrycznego krzemu silnie zdefektowanego w wyniku implantacji w temperaturze pokojowej, jonów neonu o energii E = 600 keV i dawce D = 1,2 x10¹5⁵ cm⁻². Badania przeprowadzono na próbkach wygrzewanych izochronicznie w zakresie temperatur 323...873K przy częstotliwościach z przedziału 50 Hz...5 MHz. Analiza wyników badań wykazała, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości. Zmiany przewodności są bezpośrednio związane z koncentracją poszczególnych defektów i zależą od temperatur ich wygrzewania.
EN
The article discusses mechanisms of alternating current based electrical conductivity of silicon strongly defected by the implantation of neon ions of the E = 600 keV energy and a dose of D = 1,2 x 10¹⁵ cm⁻², performed at the room temperature. Testing has been performed on samples that have been isochronously annealed within the temperature range from 323 to 873K and at frequencies ranging from 50 Hz to 5 MHz. An analysis of the testing results has shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at law frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values. Changes of conductivity are related to concentrations of individual defects and depend on temperatures of their annealing.
6
Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami
Węgierek P., Kowalski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
42-44
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań właściwości elektrycznych arsenku galu zdefektowanego polienergetyczną implantacją jonów H⁺. Dokonano analizy mechanizmu przewodzenia prądu elektryczego wykorzystując zależności częstotliwościowe i temperaturowe przewodności elektrycznej. Na jej podstawie wykazano, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości.
EN
The article presents results of testing electric properties of gallium arsenide defected with poly-energy implantation of H⁺ ions. An analysis of electric current conduction mechanism has been performed based on frequency and temperature dependences of electrical conductivity. It has been shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at low frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values.
7
Content available remote Model przewodności skokowej i jego weryfikacja dla nanostruktur wytwarzanych technikami jonowymi
Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Kolasik M., Larkin A., Fedotova J., Fedotov A., Komarov F., Vlasukova L. A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 3
247-249
PL
W pracy przedstawiono model przewodności skokowego przenoszenia ładunków, zlokalizowanych w studniach potencjału, w przypadku przemiennego pola elektrycznego.
EN
The paper presents a conductivity model of a hopping transfer of charges located in potential wells in the case of an alternating current field.
8
Content available Pomiary właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x
Kołtunowicz T.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2007
|
R. 53, nr 11
44-46
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x w oparciu o prąd przemienny o częstotliwości z zakresu od 50 Hz do 1 MHz. Pomiary wykonano w zakresie temperatur od 77 K do 373 K. Przeprowadzono analizę uzyskanych wyników i zaproponowano sposób przenoszenia ładunków elektrycznych pomiędzy studniami kwantowymi.
EN
The paper presents the results of the measurements of the electrical properties of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites performed on the alternating current in the frequency range from 50 Hz to 1 MHz. The measurements were done in the temperature range from 77 K to 373 K. The analysis of the results were performed and the mechanism of the carrying electric charges between quantum wells was proposed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.