Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Valuation of the static parameters ot SiC Schottky diodes
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottkyego produkcji CREE i 2 prób diod Schottkyego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V.
The static parameters measurements results of 3 sam pies of CREE SiC Schottky diodes and 2 sam pies of INFINEON SiC Schottky diodes are presented. Measured forward characteristics for each sample showexcellent reproducibility, whereas the reverse characteristics significantly differ for devices from each sampies, especially for reverse voltage higher than 600 V.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
13--15
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., wykr., tab.
Twórcy
autor
autor
autor
- Politechnika Gdańska, Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki
Bibliografia
- [1] Karty katalogowe elementów; CREE, Inc. www.cree.com/power
- [2] Karty katalogowe elementów; Infineon, http://www.infineon.com/
- [3] Badźmirowski K. i in.: Miernictwo elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. WKiŁ, Warszawa 1984.
- [4] Januszewski S., Świątek H.: Miernictwo przyrządów półprzewodnikowych mocy. WKiŁ, Warszawa 1996.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWAN-0005-0002