Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC

• Autorzy: Szewczyk A. , Konczakowska A. , Stawarz-Graczyk B.

Warianty tytułu

EN

Valuation of the static parameters ot SiC Schottky diodes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottkyego produkcji CREE i 2 prób diod Schottkyego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V.

EN

The static parameters measurements results of 3 sam pies of CREE SiC Schottky diodes and 2 sam pies of INFINEON SiC Schottky diodes are presented. Measured forward characteristics for each sample showexcellent reproducibility, whereas the reverse characteristics significantly differ for devices from each sampies, especially for reverse voltage higher than 600 V.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; diody Schottky'ego; parametry statyczne

EN

silicon carbide; Schottky diodes; static parameters

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 6
• Strony: 13--15
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr., tab.

Twórcy

autor

Szewczyk A.

autor

Konczakowska A.

autor

Stawarz-Graczyk B.

• Politechnika Gdańska, Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki

Bibliografia

• [1] Karty katalogowe elementów; CREE, Inc. www.cree.com/power
• [2] Karty katalogowe elementów; Infineon, http://www.infineon.com/
• [3] Badźmirowski K. i in.: Miernictwo elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. WKiŁ, Warszawa 1984.
• [4] Januszewski S., Świątek H.: Miernictwo przyrządów półprzewodnikowych mocy. WKiŁ, Warszawa 1996.