Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Two-dimensional hybrid modelling of doping for statistical simulation of integrated circuits
Konferencja
Technologia elektronowa : ELTE' 2004 : konferencja naukowa (8 ; 19-22.04.2004 ; Stare Jabłonki, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawiono hybrydową metodę modelowania dla dwuwymiarowego przypadku dyfuzji poimplantacyjnej. Przybliżenia matematyczne koncentracji domieszek, oparte na dokładnych numerycznych rozwiązaniach równań transportu, uzupełniono zależnościami fizycznymi tych koncentracji od parametrów procesu.
The hybrid modelling methodology for the two-dimensional case of the post-implantation diffusion has been developed. Mathematical approximations of the impurity concentrations based on accurate numerical solutions of transport equations are supplemented by physically related dependencies of these concentrations on process parameters.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
65--65
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Bibliografia
- [1] Mały W.: Computer-Aided Design for VLSI Circuit Manufacturability. Proc, of IEEE, 78, 356-392, 1990.
- [2] Kuzmicz W. et at: Coupling a Statistical Process-Device Simulator with a Circuit Layout Extractor for Realistic Circuit Simulation of VLSI Circuits. Proc, of SISDEP’93, 37-40, Wien 1993.
- [3] Pfitzner A.: A Methodology of Building Hybrid Models for Statistical Process/ Device Simulators in the 1C Design Systems. Proc, of MIXDES’96, 183-188, Łódź 1996.
- [4] Pfitzner A., Lejman A.: Fast Mixed Modelling of Doping for Statistical Process/ Device Simulation. Materials Science in Semiconductor Processing, 6, 21-26, Elsevier Sc. 2003.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0014-0070