Ocena efektu samopodgrzewania układu PLD w niskich temperaturach

• Autorzy: Arnold K. , Pająkowski J. , Michalak S.

Warianty tytułu

EN

Evaluation of self-heating of PLD structure in low temperatures

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy opisano zachowanie programowalnego układu PLD po poddaniu go działaniu niskich temperatur, obniżanych do temperatury ciekłego azotu. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, zmierzających do określenia wpływu temperatury i poboru mocy przez wykonaną w technologii CMOS strukturę EE PLD na czasy propagacji zintegrowanych bramek logicznych. Zaprezentowano charakterystyki średniego czasu propagacji pojedynczej bramki w zakresie niskich temperatur i porównano uzyskane wyniki z prognozami, formułowanymi w oparciu o zjawisko samopodgrzewania struktury półprzewodnikowej.

EN

In this paper behavior of a programmable logic device (PLD) in the low temperature range, including temperature of liquid nitrogen, is presented. There are given the results of experiments in which we tried to determine the influence of temperature and power consumption on the propagation delay of integrated logic gates implemented in an EE PLD CMOS structure. The thermal conditions of work resulting from the ambient temperature, clock signal frequency, value of voltage supply and current consumption connected with output loads and switching frequency are discussed. The PLD device properties in the nominal range of ambient temperatures and expected behavior after reducing the temperature are described. The main idea of the circuit for average propagation delay measuring (Fig. 1) and the voltage-current dependence for recommended test output loads (Figs. 2 and 3) are discussed. The test circuit with pull-up resistors for increasing self-heating effect is proposed (Fig. 4). The results for the propagation delay (Fig. 5) and current consumption (Fig. 6) at 1 kHz and 1 MHz switching fre-quency as a function of the temperature changing from -196°C to 20°C are shown. The propagation delay vs. temperature (Figs. 7 and 8) and the current consumption vs. temperature (Fig. 9) for the circuit with external pull-up resistors are presented. The influence of voltage supply value changes on the obtained results is taken into consideration. The results are discussed and compared with expectations.

Słowa kluczowe

PL

czas propagacji; niskie temperatury; samopodgrzewanie; PLD

EN

propagation delay; low temperature; self-heating; PLD

• Wydawca: Wydawnictwo PAK
• Czasopismo: Pomiary Automatyka Kontrola
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 58, nr 7
• Strony: 641--643
• Opis fizyczny: bibliogr. 5 poz., rys., wykr., wzory

Twórcy

autor

Arnold K.

autor

Pająkowski J.

autor

Michalak S.

• Politechnika Poznańska, Wydział Elektroniki i Telekomunikacji, ul. Polanka 3, 60-965 Poznań,

Bibliografia

• [1] ATF16V8B/BQ/BQL. High-performance EE PLD. Atmel 2005.
• [2] Rabaey J. M., Chandrakasan A. P., Nikolic B.: Digital Integrated Circuit. Prentice Hall, 2003.
• [3] Debnath R. K., Kadir M. I., Mandal J.: Minimization of propagation delay of CMOS inverter driving an RC load. Engineering & Technology, Khulna University Studies 1 (2), pp. 127-131, 2000.
• [4] Gutierrez-D. E. A., Jamal Deen M. , Claeys C. L.: Low Temperature Electronics - Physics, Devices, Circuits, and Applications. Academic Press, San Diego, 2001.
• [5] Michalak S.: Pomiar czasu propagacji inwerterów implementowanych w układach programowalnych w temperaturze ciekłego azotu. PAK, vol. 57, nr 8/2011, s. 828-829.