Nowa metoda regeneracji modułów fotowoltaicznych z amorficznego krzemu

• Autorzy: Grzesiak W. , Radziemska E.

Warianty tytułu

EN

New Method of Amorphous Silicon Solar Modules Regeneration

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (8 ; 07-10.06.2009 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Efekt degradacyjny Staeblera-Wrońskiego powoduje spadek sprawności ogniw fotowoltaicznych z amorficznego krzemu do 40% wartości początkowej. Stosunkowo skuteczną metodą regeneracji modułów z amorficznego krzemu jest metoda termiczna, polegająca na podgrzewaniu czynnej substancji fotowoltaicznej modułu do określonej temperatury w ciągu określonego czasu. Oba te ostatnie parametry nie zostały jak dotąd zoptymalizowane zarówno z racji nowości idei, jak i braku skutecznie i racjonalnie działającego oprzyrządowania. Przedsięwzięcia techniczne i wysiłki zainicjowane niniejszym opracowaniem mają na celu wytyczyć ramy termicznej metody regeneracyjnej modułów PV, odsłonić jej perspektywy i ograniczenia.

EN

Photoconductivity and dark conductivity of a-Si:H decrease as a result of prolonged exposure to light. This effect, discovered by Staebler and Wronski, is reversible and the original conductivities could be recovered by annealing. The process of annealing can be performed by application of small flat heaters above the surface of modules. This way a substantial regeneration degree of degraded modules efficiency can be achieved. The degree of efficiency recovery is a function of temperature and time of exposure to heating. Thermal annealing of modules at lower temperature (90 ÷ 110oC) is possible. This annealing process lasts at least 12 – 15 hours. The method looks to be energetically efficient and practically applicable.

Słowa kluczowe

PL

ogniwa fotowoltaiczne; amorficzny krzem (a-Si:H); wygrzewanie; regeneracja

EN

photovoltaic cells; amorphous silicon; annealing; regeneration

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2009
• Tom: R. 85, nr 11
• Strony: 129--131
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Grzesiak W.

autor

Radziemska E.

• Instytut Technologii Elektronowej, Oddział w Krakowie, ul. Zabłocie 39, 30-701 Kraków,

Bibliografia

• [1] Carlson D.E., Wroński C.R., Appl.Phys. Letters 28, (1976),p.671
• [2] Fritzschke H., Solid State Communications 94 (11) (1995), 953-955
• [3] Hennig R.G., Fedders P.A., Carlsson A.E., Physical Review B 66, 195213, 2002
• [4] Ho W.Y., Sur ya C., Microelectronics Reliability 41 (2001), 913-917
• [5] Britton D.T. at all, Thin Solid Films 430 (2003), 149-152
• [6] Greim O., Weber J., Baer Y., Solid State Communications 97 (2), (1996), 109-114
• [7] Lau S.P., Shannon J.M., Journal of Non-Crystalline Solids 266-269 (2000), 432-436
• [8] Klaver A., von Swaai j R.A.C.M.M., Solar Energy Materials and Solar Cells 91 (2008), 50-60
• [9] von Swaaij R.A.C.M.M., Klaver A., Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008), 2464-2467
• [10] Stradins P., Kondo M., Matsuda A., Journal of Non-Crystalline Solids 354 (2008), 2144-2148
• [11] Jennings P.J. at all, Thin Solid Films 310 (1997), 156-160
• [12] Roy D., Longeaud C., Saaadane O., Journal of Non-Crystalline Solids 299-302 (2002), 511-515
• [13] Lukasik A. at all, XXVIII International Conference of IMAPS Chapter Wroclaw, IX 2004, 322-325
• [14] Luczak K., Grzesiak W., 22th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Milano, 2007, 2068-2071