Model przewodności skokowej i jego weryfikacja dla nanostruktur wytwarzanych technikami jonowymi

• Autorzy: Żukowski P. , Kołtunowicz T. , Partyka J. , Węgierek P. , Kolasik M. , Larkin A. , Fedotova J. , Fedotov A. , Komarov F. , Vlasukova L. A.

Warianty tytułu

EN

A model of hopping recharging and its verification for nanostructures formed by the ion techniques

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono model przewodności skokowego przenoszenia ładunków, zlokalizowanych w studniach potencjału, w przypadku przemiennego pola elektrycznego.

EN

The paper presents a conductivity model of a hopping transfer of charges located in potential wells in the case of an alternating current field.

Słowa kluczowe

PL

przewodność skokowa; studnie potencjału; krzem; arsenek galu; nanokompozyty

EN

potential wells; silicon; arsenide gallium; nanocomposites

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2008
• Tom: R. 84, nr 3
• Strony: 247--249
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., wykr.

Twórcy

autor

Żukowski P.

autor

Kołtunowicz T.

autor

Partyka J.

autor

Węgierek P.

autor

Kolasik M.

autor

Larkin A.

autor

Fedotova J.

autor

Fedotov A.

autor

Komarov F.

autor

Vlasukova L. A.

• Katedra Urządzeń Elektrycznych i TWN, Politechnika Lubelska,

Bibliografia

• [1] T. Kołtunowicz, Pomiary właściwości elektrycznych nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x, Pomiary Automatyka Kontrola, nr 10, 2007, - w druku
• [2] P. Zukowski, T. Koltunowicz, J. Partyka, P. Wegierek, F.F. Komarov, A.M. Mironov, N. Butkievith, D. Freik, Dielectric Properties and Model of Hopping Conductivity of GaAs Irradiated by H+ Ions, Vacuum, V. 81, 2007, 1137-1140