An effect of annealing on electric properties of nanocomposites (CoFeZr)x(Al2O3)1-x produced by magnetron sputtering in the atmosphere of argon and oxygen beyond the percolation threshold

• Autorzy: Zhukowski P. , Kołtunowicz T. , Fedotova J. , Larkin A.

Warianty tytułu

PL

Wpływ wygrzewania na właściwości elektryczne nanokompozytów (CoFeZr)x(Al2O3)1-x poza progiem perkolacji wytwarzanych rozpylaniem magnetronowym w atmosferze argonu i tlenu

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper presents results of real part AC conductivity dependences on alternating current frequency, measuring temperature and annealing temperature in (CoFeZr)x(Al2O3)1-x nanocomposite sample beyond the percolation threshold deposited in argon and oxygen mixed gas ambient. It has been found that at the annealing temperature of 698 K and higher the additional oxidation of metallic “core/shell”-like nanoparticles occurs resulting in transition from conductivity with ó(f)=const to hopping regime with ó(f)~f á. Using the developed electron hopping model we have extracted the mean electron hopping length r1 = 2.6 nm from experimental results for annealed nanocomposite sample.

PL

W artykule zaprezentowano wyniki bada. zale.no.ci konduktywno.ci probki nanokompozytu (CoFeZr)x(Al2O3)1-x wytworzonej w otoczeniu mieszaniny argonu i tlenu od cz.stotliwo.ci pr.du zmiennego, temperatury pomiarowej i temperatury wygrzewania poza progiem perkolacji. Stwierdzono, .e przy temperaturach wygrzewania 698 K i wy.szych zachodzi dodatkowe utlenianie powierzchni nanocz.steczek fazy metalicznej jako efekt przej.cia od przewodno.ci z �Đ(f)=const do przewodo.ci skokowej z �Đ(f)~f �ż. Przy u.yciu opracowanego modelu przeskokow elektronow uzyskano .redni. d.ugo.. przeskoku elektronu r1 = 2.6 nm na podstawie wynikow do.wiadczalnych dla wygrzanej probki nanokompozytu.

Słowa kluczowe

EN

nanocomposites; percolation threshold; hopping conductivity; annealing

PL

nanokompozyty; próg perkolacji; przewodność skokowa; wygrzewanie

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2010
• Tom: R. 86, nr 7
• Strony: 157--159
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Zhukowski P.

autor

Kołtunowicz T.

autor

Fedotova J.

autor

Larkin A.

• Department of Electrical Devices and H.V. Technology Lublin University of Technology, 38a Nadbystrzycka Str.,20-618 Lublin, Poland,

Bibliografia

• [1] Saad A.M., Kalaev V.A., Fedotova J.A., Sitnikov K.A., Sitnikov A.V., Kalinin Yu.E., Fedotov A.K., Svito A.I., Structure and magnetic properties of nanogranular composites CoFeZralumina, Rev. Adv. Mater. Sci. 14 (2007), 14-21
• [2] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Fedotova J.A., Fedotov A.K., Larkin A.V., Wpływ wygrzewania na właściwości elektryczne nanokompozytów (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x, Przegląd Elektrotechniczny, 3 (2008), 244-246
• [3] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Fedotova Yu.A., Larkin A.V., Electrical properties of nano-structures (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x with use of alternating current, Vacuum, 83 Supplement 1 (2009), 275-279
• [4] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Fedotova Yu.A., Larkin A.V., Hopping conductivity of metal-dielectric nanocomposites produced by means of magnetron sputtering with the application of oxygen and argon ions, Vacuum, 83 Supplement 1 (2009), 280-283
• [5] Kołtunowicz T., The measurement of the electrical properties of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites, Measurement Automation and Monitoring, 11 (2007), 44-46
• [6] Zukowski P., Koltunowicz T., Partyka J., Wegierek P., Komarov F.F., Mironov A.M., Butkievith N., Freik D., Dielectric properties and model of hopping conductivity of GaAs irradiated by H+ ions, Vacuum, 81 (2007), 1137-1140
• [7] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Kolasik M., Larkin A.V., Fedotova J.A., Fedotov A.K., Komarov F.F., Vlasukova L.A., Model przewodności skokowej i jego weryfikacja dla nanostruktur wytwarzanych technikami jonowymi, Przegląd Elektrotechniczny, 3 (2008), 247-249
• [8] Shklovsky B.I., Efros A.L., Elecronic properties of doped semiconductors, Springer-Verlag, Berlin, (1984), 388
• [9] Żukowski P., Półprzewodniki ze skokowym mechanizmem przenoszenia ładunków, Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Lubelskiej, Lublin (1999), 151
• [10] Żukowski P., Partyka J., Węgierek P., Szostak J., Sidorenko J., Rodzik A., Dielectric Properties of Cd1-xFexSe Compounds, Semiconductors, 34 10 (2000), 1124-1127
• [11] Żukowski P., Węgierek P., Partyka J., Kowalski M., Kołtunowicz T., High-temperature hopping conductivity in irradiated silicon of ions at alternating current, IRS-2007, Proceedings of the 7-th International Conference – Interaction of Radiation with Solids, Minsk, Belarus, 26-28 September 2007, 109-113 (In Russian)
• [12] Nowak R., Statystyka dla fizyków, PWN, Warszawa, (2002), 664
• [13] Eadie W.T., Dryard D., James F.E., Roos M., Sadoulet B., Statistical methods in experimental physics North-Holland Publishing Company, Amsterdam (1971), 335