Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konduktywność przy prądzie przemiennym półmagnetycznych półprzewodników Cd1-xFexTe przy temperaturach niższych od temperatury pokojowej
Języki publikacji
Abstrakty
The paper presents results of conductivity measurements performed at alternating current for semiconducting compounds Cd1-xFexTe within the frequency range of and in the temperature area of below the room temperature. S-shaped frequency dependences have been observed within the concentration range of x < 0.03. Along with the temperature growth the segment of [sigma] increase gets shifted to the area of higher frequencies. A model that describes experimental dependences has been proposed and it takes into account the time of electron "settlement¨ after its hop from the impurity ground state as well as the probability of its return to the potential well wherefrom it has hopped.
W pracy przedstawiono rezultaty pomiarów przewodności przy prądzie przemiennym związków półprzewodnikowych Cd1-xFexTe (0.01 . . . 0.05) w zakresie częstotliwości (50 Hz .f . 1 .Hz) i w obszarze temperatur poniżej temperatury pokojowej. Zaobserwowano S – kształtne częstotliwościowe zależności w zakresie koncentracji . . 0.03. Wraz ze wzrostem temperatury odcinek wzrostu . przesuwa się w obszar wyższych częstotliwości. Zaproponowano model, opisujący eksperymentalne zależności, uwzględniający czas „osiadania” elektronu po przeskoku ze stanu podstawowego domieszki i prawdopodobieństwo jego powrotu do studni potencjału, z której on wykonał skok.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
75--77
Opis fizyczny
Bibliogr. 10 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
- Department of Electrical Devices and H.V. Technology, Lublin University of Technology, 38a Nadbystrzycka Str.,20-618 Lublin, Poland, t.koltunowicz@pollub.pl
Bibliografia
- [1] Hołda A., Rodzik A., Mielnikow A.A., Żukowski P.W., The Iron States in Cd1-xFexTe in the Fundamental Gap Energy Range, physica status solidi (b),189 (1995), 543-558
- [2] Żukowiski P., Partyka Ya., Vengerek P., Koltunovich T., Sidorenko Yu., Stelmakh V., Lapchuk N., The alternating current conductivity and electron spin resonance Cd1-xFexTe compounds, Semiconductors, 41 (2007), 526-530
- [3] Żukowski P., Partyka J., Węgierek P., Sidorenko J.W., Szostak A., Rodzik A., Dielectric properties of the semiconducting compounds Cd1-xFexTe, Semiconductors, 33 (1999), 276-277
- [4] Mott N.F., Davies E.A., Electronic process in non-crystalline materials, Claredon Press, Oxford, 1979
- [5] Žukowski P.V., Partyka J., Wagierek P., Shostak Yu., Sidorenko Yu., Rodzik A., Dielectric properties of Cd1−xFexSe compounds, Semiconductors,34 (2000),1124-1127
- [6] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Komarov F.F., Mironov A.M., Butkievith N., Freik D., Dielectric Properties and Model of Hopping Conductivity of GaAs Irradiated by H+ Ions Vacuum, 81 (2007), 1137-1140
- [7] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Fedotov J.A., Fedotov A.K., Larkin A.V., The effect of annealing on electrical properties of (CoFeZr)x + (Al2O3)1-x nanocomposites, Przegląd Elektrotechniczny, 84 (2008), 247-249
- [8] Żukowski P., Kołtunowicz T., Partyka J., Węgierek P., Kolasik M., Larkin A.V., Fedotov J.A., Fedotov A.K., Komarov F.F., Vlasukova L.A., A model of hopping recharging and its verification for nanostructures formed by the ion techniques Przegląd Elektrotechniczny, 84 3 (2008), 250-252
- [9] Eadie W.T., Dryard D., James F.E., Roos M., Sadoulet B., Statistical methods in experimental physics North-Holland Publishing Company, Amsterdam, (1971)
- [10] Nowak R., Statystyka dla fizyków, PWN Warszawa, (2002)
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BPOC-0057-0021