Rozwój tranzystorów IGBT a ich niezawodność

• Autorzy: Gawecka H. , Januszewski S.

Warianty tytułu

EN

Advances in the IGBT transistors and their reliability

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono kierunki rozwoju technologii tranzystorów IGBT, Określono narażenia tranzystorów IGBT w czasie eksploatacji. Omówiono badania niezawodności modułów IGBT.

EN

Directions of development of the production technology of the IGBT transistors. Hazards to the IGBT transisiors during operation. Testing the IGBT modules for reliability.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory IGBT; technologia tranzystorów

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Wiadomości Elektrotechniczne
• Rocznik: 2000
• Tom: nr 5
• Strony: 249--253
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz.,rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Gawecka H.

• Redaktor działowy Wiadomości Elektrotechnicznych
• członek SEP

autor

Januszewski S.

• Instytut Elektrotechniki w Warszawie
• członek SEP

Bibliografia

• [1] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Niezawodność wysokonapięciowych modułów IGBT dużej mocy. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr 8
• [2] GAWECKA H., JANUSZEWSKI S.: Zastosowanie nowoczesnych materiałów w konstrukcji modułów energoelektronicznych. Wiadomości Elektrotechniczne 2000 nr 1
• [3] GEKENIDIS S. i in.: Explosion Tests on IGBT High Voltage Modules. Proc. of ISPSD' 99. May 1999. Toronto
• [4] JANUSZEWSKI S., KOCISZEWSKA-SZCZERBIK M., ŚWIĄTEK H.: Uszkodzenia tranzystorów IGBT dużej mocy w warunkach eksploatacyjnych. Wiadomości Elektrotechniczne 1999 nr
• [5] JANUSZEWSKI S.: Nowe wysokonapięciowe przyrządy półprzewodnikowe dużej mocy. Politechnika Śląska, XIII Beskidzkie Seminarium Elektryków - BSE' 99. Istebna. listopad 1999
• [6] JANUSZEWSKI S.: Technologia bramek rowkowych w tranzystorach IGBT. Wiadomości Elektro-techniczne 2000 nr 3
• [7] LORENZ L.. MARZ M.: CoolMOS^TM - A New Approach Towards an Idealized Power Switch. Proc. of EPE'99. Sept. 1999, Lausanne
• [8] MEHROTRA V. i in.: Wirebond Reliability iN IGBT - Power Modules: Application of High Resolution Strain and Temperature Mapping. Proc. of ISPSD' 99. May 1999, Toronto
• [9] WOLFGANG E.: Reliability of High-Power Semiconductor Devices: from the State of Art to Future Trends. Power Conversion Proc. June 1999, Nürnberg