PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 1 Wiadomości Elektrotechniczne
Autorzy help
  1. 1 Gawecka H.
  2. 1 Januszewski S.
Lata help
  1. 1 2000
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  technologia tranzystorów
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Rozwój tranzystorów IGBT a ich niezawodność
Gawecka H., Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2000
|
nr 5
249-253
PL
Przedstawiono kierunki rozwoju technologii tranzystorów IGBT, Określono narażenia tranzystorów IGBT w czasie eksploatacji. Omówiono badania niezawodności modułów IGBT.
EN
Directions of development of the production technology of the IGBT transistors. Hazards to the IGBT transisiors during operation. Testing the IGBT modules for reliability.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.