Badanie powierzchni materiałów ceramicznych metodą spektrometrii masowej jonów wtórnych

• Autorzy: Tuleta M.

Warianty tytułu

EN

Surface investigation of ceramic materials by the secondary ion mass spectrometry method

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Profile głębokościowe przypowierzchniowego obszaru szkła sodowo glinokrzemianowego i warstwy diamentowej zostały otrzymane metodą spektrometrii masowej jonów wtórnych (SIMS). Profile pokazały zależność od wiązki jonów pierwotnych tlenu i cezu. Efekt ten jest wyjaśniany różnym mechanizmem modyfikacji powierzchni poddawanej działaniu jonów pierwotnych.

EN

Depth profiles of the near-surface region of sodium aluminosilicate glass and diamond film were obtained by the secondary ion mass spectrometry method. The profiles showed the dependence on oxygen and cesium ion beams. This effect is explained by various modification mechanisms of the surface treated with primary ions.

Słowa kluczowe

PL

szkło; warstwa diamentowa; profil głębokościowy SIMS

EN

glass; diamond film; SIMS depth profiles

• Wydawca: Polskie Towarzystwo Ceramiczne
• Czasopismo: Materiały Ceramiczne
• Rocznik: 2014
• Tom: T. 66, nr 2
• Strony: 126--128
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Tuleta M.

• Politechnika Krakowska, Instytut Fizyki, ul. Podchorążych 1, 30-084 Kraków

Bibliografia

• [1] Werner, H. W., Boudewijn, P. R.: A comparicon of SIMS with other techniques based on ion-beam solid interaction, Vacuum, 34, (1984), 83-101.
• [2] Chakraborty, P.: w Ion Beam Analysis of Surfaces and Interfaces of Condensed Matter Systems, Chakraborty, P. (Ed.), Nova Science Publishers Inc., New York, (2003), 217.
• [3] Badzian, A. R., Badzian, T., Roy, R., Messier, R., Saper, K. E.: Crystallization of films by microwave assisted CVD (Part II), Mat. Res. Bull., 23, 7, (1988), 531-548.
• [4] Tuleta, M.: Badanie powierzchni implantowanego jonami reaktywnymi szkła metodą spektroskopii masowej jonów wtórnych, Prace Komisji Nauk Ceramicznych, Polski Biuletyn Ceramiczny, PAN, PTCer, Ceramika/Ceramics, 80, (2003), 135.
• [5] Tuleta, M.: The influence of primary oxygen ions on SIMS depth profiling in materials implanted with cesium, Vacuum, 74, 2, (2004), 229-234.
• [6] Frischat, G. H., Richter, T., Borchard, G., Scherrer, S.: w Advances in Ceramics, Vol. 22: Fractography of Glasses and Ceramics, Frechette, V. D., Varner, J. R.(Eds.), The American Ceramic Society, Westerville, Ohio (1988), 85.