Zwiększenie częstotliwości łączeń w falownikach dzięki nowym elementom półprzewodnikowym z węglika krzemu (SiC)

• Autorzy: Zdanowski M. , Sobieski R.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Doskonałe właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów SiC MOSFET mogą być wykorzystane do przesunięcia obecnej bariery częstotliwości łączeń, występującej w dotychczas stosowanych krzemowych (Si) elementach półprzewodnikowych falowników napięcia w zakres nawet powyżej 100 kHz.

Słowa kluczowe

PL

falownik; element półprzewodnikowy; węglik krzemu

EN

inverter; semiconductor element; silicon carbide

• Wydawca: Wydawnictwo "Druk-Art" SC
• Czasopismo: Napędy i Sterowanie
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 19, nr 3
• Strony: 22--24
• Opis fizyczny: rys., wykr.

Twórcy

autor

Zdanowski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej

autor

Sobieski R.

• Markel Sp. z o.o., ul. Okulickiego 7/9, 05-500 Piaseczno

Uwagi

PL

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017)