Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
Abstrakty
Doskonałe właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów SiC MOSFET mogą być wykorzystane do przesunięcia obecnej bariery częstotliwości łączeń, występującej w dotychczas stosowanych krzemowych (Si) elementach półprzewodnikowych falowników napięcia w zakres nawet powyżej 100 kHz.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
22--24
Opis fizyczny
rys., wykr.
Twórcy
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej
autor
- Markel Sp. z o.o., ul. Okulickiego 7/9, 05-500 Piaseczno
Bibliografia
Uwagi
PL
Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017)
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-697c7e54-159f-4877-90cf-f1c03e32632c