Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz

• Autorzy: Przybyła K. , Kasprzak M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.03.16

Warianty tytułu

EN

Influence of transistor’s case on efficiency of Class DE inverter from 13.56 MHz band

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów falownika klasy DE 12 MHz z tranzystorami SiC MOSFET C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ). Pomiarów falownika dokonano dla dwóch wersji tranzystorów, z obudową TO-247 i D2PAK-7. Badania wykazały, że tranzystory w obudowie D2PAK-7 umożliwiają uzyskanie wyższej sprawności niż tranzystory w obudowie TO-247 (dla E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Uzyskane wartości sprawności nie są mniejsze niż opisywane w literaturze.

EN

Measurement results of 12 MHz Class DE inverter with SiC MOSFET transistors C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ) are presented in the paper. Measurements were done with two versions of transistors, in case TO-247 and D2PAK-7. Laboratory tests showed that transistors in D2PAK-7 case allow to obtain higher efficiency of Class DE inverter than transistors in TO-247 case (for E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Obtained efficiency values are not lower then described in the literature.

Słowa kluczowe

PL

falownik klasy DE; wysoka częstotliwość; SiC; MOSFET; drajwer

EN

class DE inverter; high frequency; SiC; MOSFET; driver

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 3
• Strony: 87--90
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., fot., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Przybyła K.

• Politechnika Śląska, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. Bolesława Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice

autor

Kasprzak M.

• Politechnika Śląska, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. Bolesława Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice

Bibliografia

• [1] Choi J., Tsukiyama D., Rivas J., Evaluation of a 900 V SiC MOSFET in a 13.56 MHz 2 kW resonant inverter for wireless power transfer, 2016 IEEE 17th Workshop on Control and Modeling for Power Electronics(2016), 1-6
• [2] Lee C.-H., Sazonov A., Robertson J., Nathan A., Esmaeili-Rad M.R., Servati P., Milne W.I., How to Achieve High Mobility Thin Film Transistors by Direct Deposition of Silicon Using 13.56 MHz RF PECVD?, Electron Devices Meeting(2006), 11-13
• [3] Kasprzak M., Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W – wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM, Przegląd Elektrotechniczny, 88(2012), nr.4b, 122-127
• [4] Kasprzak M., Falownik rezonansowy klasy DE 8 MHz z drajwerem sinusoidalnym, Zeszyty Naukowe Politechniki Śląskiej, seria Elektryka, 192(2004), 85-90
• [5] 3kW and 5kW Half-Bridge Class-D RF Generators at 13.56MHz with 89% Efficiency and Limited Agility, Directed Energy, Inc., An IXIS Company(2002), nota aplikacyjna
• [6] Legutko P., Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE, Przegląd Elektrotechniczny, 92(2016), nr.4, 132-136
• [7] Balogh L., Design and Application Guide For High Speed MOSFET Gate Driver Circuit, International Rectifier(2006), nota aplikacyjna
• [8] DE150-501N04A RF Power MOSFET, karta katalogowa
• [9] DE375-102N10A RF Power MOSFET, karta katalogowa
• [10] Surface Mount Multilayer Ceramic Chip Capacitors for Commercial Applications, Vishay, karta katalogowa
• [11] Types MC and MCN Multilayer RF Capacitors, CDE Cornell Dubilier, karta katalogowa
• [12] UCC2752x, Texas Instruments, Karta katalogowa
• [13] C3M0120090D, CREE, karta katalogowa
• [14] C3M0120090J, CREE, karta katalogowa

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).