Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 30

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  krzemowe ogniwa słoneczne
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
PL
W artykule opisano nową metodę teksturowania płytek z krzemu multikrystalicznego dla przemysłowego wytwarzania ogniw słonecznych. Metoda polega na trawieniu chemicznym ze wspomaganiem katalizatora metalicznego (MAE). Jako katalizatora trawienia użyto cząstek palladu osadzanych na powierzchni krzemu z roztworu PdCl 2 . Teksturowanie przy użyciu metody MAE obniża efektywny współczynnik odbicia światła od powierzchni mc-Si do wartości R eff = 9,6%, znacznie poniżej wartości R eff = 21% dla kwasowego teksturowania i zbliżonej do R eff = 9,1% uzyskiwanego dla teksturowania krzemu monokrystalicznego w roztworze KOH.
EN
This article describes the new texturization method of multicrystalline silicon (mc-Si) for industrial solar cell manufacturing. The method is based on metal assisted etching (MAE). The Pd particles deposited on silicon surface from PdCl 2 solution were used as catalytic metal. It was shown that MAE texturization reduces the reflectivity of a bare mc-Si wafers to R eff = 9.6%, well below the state-of-the-art acidic texture with R eff = 21% and achieves the range of KOH textured mono-Si with R eff = 9.1%.
PL
Przedstawiono fragment badań prowadzonych nad modyfikacją procesów wytwarzania ogniw słonecznych. Wytwarzanie warstwy emiterowej w procesie domieszkowania dyfuzyjnego w stosunkowo krótkim czasie jest istotne w produkcji masowej. Proces ten wymaga nowych źródeł, zawierających wysoką koncentrację atomów fosforu (jako związek zawierający atomy fosforu wykorzystuje się kwas ortofosforowy). Jako płytki podłożowe stosuje się płytki krzemowe typu p. Artykuł prezentuje metodę domieszkowania krzemu z wykorzystaniem rozwirowywanych źródeł fosforowych
EN
The paper presents a fragment of investigation studies carried out on the modification of silicon solar cell production technology. Doping of the emitter layer is the basic procedure in the technology of solar cell production. Today the research studies have been concentrated on short time diffusion processes, what is very important in mass production. This process requires a new type of dopant sources, which contains high concentration of phosphorus atoms. Silicon wafers of the p-type conductivity have applied as substrates in the investigation studies. A solution prepared on the basis of orthophosphoric acid have been used as donor source. This article have been presented the method of doping silicon with phosphorus sources (spin-on method).
EN
A new liquid source of phosphorus atoms (SPA), dedicated to emitter formation in Si solar cells, was elaborated on the basis of H3PO4. The important properties of this solution, that can be deposited by the spray method, make possible the formation of easily removable phosphosilicate glass (PSG) when the diffusion process is performed. The PSG formed from SPA and from conventional POCl3 source were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. The diffusion depth profiles were determined by a secondary ion mass spectrometry. The presented solution and technology of the n-type diffused layer formation allowed for precise shaping of the phosphorus doping profile. Relatively short diffusion process, which lasted only for 3 minutes, resulted in the sheet resistance between 30÷120 Ω/□, that is appropriate for the solar cells applications. The solar cells with the use of new donor source were produced and characterized by the current-voltage and spectral response techniques. The simple technology of the emitter fabrication from the liquid solution deposited by a spray method is expected to become more cost-competitive in major PV companies than the traditional POCl3 based technique.
PL
Celem pracy było opracowanie i zbadanie właściwości użytkowych roztworu chemicznego będącego źródłem domieszki atomów fosforu (SPA) w procesie wytwarzania emitera ogniwa słonecznego na bazie krzemu krystalicznego typu p. Jako kryterium aplikacyjne przyjęto następujące warunki: niskie koszty roztworu, możliwości jego nanoszenia metodą natrysku, realizacji procesu dyfuzji w piecu taśmowym oraz jednorodności domieszki emitera w zakresie rezystancji warstwowej od 30 do 120 Ω/□.
PL
Teksturyzacja ogniw krzemowych jest istotnym czynnikiem zwiększającym ich sprawność w wyniku zmniejszenia strat odbiciowych. Do dzisiaj z powodzeniem w przemyśle fotowoltaicznym wykorzystywane są roztwory teksturyzujące na bazie KOH. Jednakże prowadzi się prace dążące do usprawnienia tego procesu. W pracy zbadano wpływ dodatku alkoholu izopropylowego o różnych stężeniach molowych na morfologię otrzymywanej w procesie trawienia powierzchni.
PL
Redukcja współczynnika odbicia (R ref) dla krzemu monokrystalicznego (Cz-Si) i multikrystalicznego (mc-Si), realizowana poprzez wytworzenie tekstury powierzchniowej, należy do najważniejszych etapów obróbki chemicznej w procesie produkcji ogniw słonecznych na bazie krzemu krystalicznego. W pracy przedstawiono rodzaje tekstury w zależności od orientacji krystalograficznej powierzchni Si i określono wpływ danego rodzaju tekstury na wartość współczynnika odbicia w zakresie długości fali od 400 do 1100 nm. Porównano podstawowe parametry prądowo-napięciowe wytworzonych ogniw słonecznych w zależności od morfologii powierzchni ogniwa i rodzaju materiału bazowego. Techniką skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM) zbadano wpływ alkoholu o podwyższonej temperaturze wrzenia wynoszącej 158°C na proces teksturyzacji i morfologię powierzchni krzemu Cz-Si o orientacji krystalograficznej (100).
EN
The reduction in reflectance (R ref) for monocrystalline (Cz-Si) and multicrystalline silicon (mc-Si), implemented by creating the surface texture, is tine most important step of chemical processing in the manufacture of solar cells based on crystalline silicon. The paper presents the types of textures depending on the crystallographic orientation of the Si surface and the impact of given type of texture on the value of reflectance in the wavelength range from 400 to 1100 nm. The paper also compares the basic parameters of solar cells current-voltage characteristics related to solar cell surface morphology and the type of base material. The influence of alcohol at the elevated boiling point of 158°C on the texturisation process and surface morphology of crystal orientation (100) of Cz-Si silicon was investigated using scanning electron microscopy (SEM) technique.
6
Content available remote Porous surface silicon layers in silicon solar cells
88%
EN
The porous silicon (PSi) layers have been studied in the aspect of their application in the multicrystalline silicon (mc-Si) solar cells. The macroporous layers were prepared by double-step chemical etching prior to the donor diffusion. They have been investigated using scanning (SEM) and transmission (TEM) electron microscopy to reveal the morphology of PSi layers. The techniques of spectral response and current-voltage characteristics have been used to determine the opto-electrical parameters of the solar cells. The porosity was measured by the mercury porosimetry and nitrogen sorption method. The porous layers reported here have had a sponge-like homogeneous structure over the whole 25 cm2 surface of each sample and the decreased effective reflectance (Reff) below 10%. As a final result the mc-Si solar cells with PSi layer were obtained with the conversion effciency (Eff) over 13%.
PL
W pracy przedstawiono metodę uzyskania redukcji odbicia fektywnego ( Eeff) poniżej 10% od powierzchni krzemu multikrystalicznego ( mc-Si ) dla promieniowania w zakresie 400÷1100 nm długości fali. Metoda polega na chemicznym trawieniu powierzchni mc-Si w roztworach na bazie HNO3:HF i wytworzeniu powierzchniowej tekstury geometrycznej w formie porów o średnicy od 30÷800 nm i porownywalnej głębokości. Krzem multikrystaliczny z warstwami krzemu porowatego wykorzystano do wytworzenia ogniw słonecznych. W zależnosci od wielkości porów otrzymano ogniwa o sprawności konwersji fotowoltaicznej od 9.8% do 13.0%.
PL
W pracy przedstawiono wpływ wzrostu temperatury na podstawowe parametry elektryczne krystalicznych krzemowych ogniw słonecznych. Zmianę parametrów porównano dla komercyjnych ogniw wykonanych z materiału mono i multikrystalicznego. Wszystkie pomiary przeprowadzane były w kontrolowanych warunkach laboratoryjnych przy użyciu kalibrowanego systemu do pomiaru charakterystyk ogniw fotowoltaicznych. Temperaturę przyrządów zwiększano przy użyciu dodatkowego oświetlenia oraz strumienia gorącego powietrza.
EN
This paper presents an influence of increasing temperature on crystalline silicon solar cells basic electrical parameters. Two types of commercial made PV cells have been compared: one manufactured from monocrystalline Si and the other from multicrystalline. All researches have been carried out under controlled laboratory conditions. For measuring parameters and characteristics calibrated system for characterizing solar cells has been used. Devices temperature has been increased by applying hot air stream and using additional light source.
PL
W pracy przedstawiono proces wytwarzania modułu słonecznego z krzemowych ogniw multikrystalicznych. Krzemowe płytki o rozmiarze 5x5 cm zostały poddane procesowi dyfuzji w celu wytworzenia złącza p-n, a następnie naniesiono na nie antyrefleksyjną warstwę TiO 2. Gotowe ogniwa połączono w moduł fotowoltaiczny składający się z 36 ogniw, który poddano dalszym badaniom. Wyznaczono charakterystyki prądowo-napięciowe I-V ogniw i modułu oraz ich parametry elektryczne. Przy oświetleniu na poziomie 1000 W/m 2 wyznaczona moc maksymalna modułu to ok. 10 W. Maksymalny prąd to 0,7 A przy napięciu układu otwartego na poziomie 19 V.
EN
In the present work, a process of development of hand-made sun module based on silicon multicrystalline cells is presented. In order to create a p-n diode junctions, on silicon wafers of type n and size 5x5 cm a diffusion of boron was performed. Then the antireflective TiO 2 layer was deposited. After a process of characterization of finished cells, 36 of them were connected into a photovoltaic module for further investigations. The I-V characteristics were gathered both for the single cells and for the whole sun module and selected electric parameters were computed. Under the irradiation at level of 1000W/ m 2, the computed maximum power of the module is about 10 W. The maximum current at open circuit voltage of 19 V is 0.7 A.
PL
W pracy przedstawiono omówienie najważniejszych, z punktu widzenia ich przyszłego zastosowania w ogniwach słonecznych, właściwości amorficznych warstw uwodornionych typu a-Si:C:H, a-Si:N:H czy też a-SiCN:H. Do wytwarzania wymienionych warstw zastosowano metodę chemicznego osadzania z fazy gazowej PECVD. Mieszaniny reakcyjne to: CH4+SiH4, NH3+SiH4 oraz CH4+SiH4+NH3. Analizie poddano właściwości strukturalne, morfologiczne i optyczne warstw. Określono zarówno ich skład chemiczny atomowy i wagowy, zawartość wiązań wodorowych, a także wyznaczono parametry optyczne:współczynnik załamania n, przerwę optyczną Eg oraz współczynnik odbicia efektywnego Reff. Uwzględniając rolę pokryć antyrefleksyjnych w ogniwach słonecznych analizowano wpływ wybranych parametrów warstw na właściwości aplikacyjne ogniw PV. Warstwa antyrefleksyjna o odpowiednim współczynniku załamania, grubości oraz współczynniku odbicia może podwyższyć sprawność ogniwa nawet o 30% względnych.
EN
This paper provides an overview of the most important characteristics of the hydrogenated amorphous layers type a-Si:C:H, a-Si:N:H and a-SiCN:H, of the points of view of their future applications in solar cells. For the preparation of these thin films was applied method of chemical vapor deposition PECVD. Gaseous mixtures used: CH4+SiH4, NH3+SiH4 and CH4+NH3+SiH4. The structure, morphology and optical properties of layers were analyzed. Defined in both their atomic and weight chemical composition, the content of hydrogen bonding, as well as optical parameters were determined: refractive index n, energy gap Eg, effective reflection coefficient Reff and thickness d. Taking into account the role of antireflective coatings for solar cells, the influence of selected parameters of layers on PV cells properties was analyzed. Antireflective coating of suitable refractive index, thickness and reflectance coefficient may increase cell efficiency by up to 30% relative.
PL
Rezystancja szeregowa należy do parametrów stanowiących o jakości ogniwa słonecznego, dlatego przy jego projektowaniu i wytwarzaniu dąży się do zminimalizowania jej wartości. W artykule zawarto zestawienie parametrów służących do obliczeń numerycznych składników rezystancji szeregowej ogniwa słonecznego oraz wynikającą z tego rezystywność. Określono wpływ właściwości warstw konstrukcyjnych krzemowego ogniwa słonecznego na jego rezystancję szeregową. Do badań zastosowano ogniwo słoneczne, w którym elektrodę przednią wytwarzano na bazie komercyjnej pasty srebrnej modyfikowanej komponentem CuXX.
EN
Series resistance belongs to the parameters that determine the quality of a solar cell, therefore its design and production aims to minimize its value. The article contains a list of parameters used for numerical calculation of solar cell series resistance components and the resulting of this resistivity. The influence of properties of silicon solar cell construction layers on its series resistance was determined. A solar cell was used for the investigations, in which the front electrode was performed on the basis of a commercial silver paste modified with the CuXX component.
11
Content available remote Macroporous texturing of multicrystalline silicon for cells
75%
EN
It was shown that palladium deposited by immersion of Si wafers in PdCI, solution can be used as a catalyst for macro-porous formation by chemical etching of silicon. The light reflectance of silicon surface with macro-porous layer was considerably reduced in the whole region of 400-1000 nm. The lowest effective reflectivity of me-Si wafers with a new kind of texturization was equal to 4.2%. Presented method of texturization is very simple and can be used to improve the efficiency of multi-crystalline silicon solar cells.
PL
Zostało pokazane, że pallad osadzany na powierzchni krzemu z roztworu PdCl2 może być użyty w roli katalizatora w procesie wytwarzania krzemu makro-porowatego metodą trawienia chemicznego. Uzyskano znaczne obniżenie odbicia światła od powierzchni krzemu w całym zakresie długości fal 400-1000 nm. Najmniejsza wartość efektywnego współczynnika odbicia z nowym typem tekstury powierzchni wynosiła 4.2%. Przedstawiona metoda teksturyzacji jest bardzo prosta i może być wykorzystana do poprawy sprawności produkowanych fotoogniw z krzemu multi-krystalicznego.
EN
In the present work, the investigation of the titanium dioxide (TiO2) thin layer as an antireflection coating for silicon solar cells are presented. The TiO 2 layers were obtained by the chemical vapour deposition method using tetracthylorthotitanat (C2H5 O)Ti at temperatures of the silicon wafers in the range from 150°C to 400°C. It has been established that all of the obtained TiO 2 layers contain anatase phase embedded in the amorphous background. A progress of the crystallization process with the increasing temperature of the substrate during the deposition has been observed. The change in opto-electronic parameters of silicon solar cells as a function of the deposition temperature of the antireflection coating has been discussed, taking into account the evolution of the crystallographic structure.
PL
Praca przedstawia wyniki badań poświęconych zastosowaniu cienkich warstw TiO2 jako powłok antyrefleksyjnych dla krzemowych ogniw słonecznych. Warstwy TiO2 wytwarzano metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) ze irOdla ortotytanianutetraetylu (C 2H5 O)Ti w zakresie temperatur płytek krzemowych od 150°C do 400°C. Stwierdzono, że wszystkie otrzymane warstwy TiO2 charakteryzowały się amorficzną strukturą z wbudowaną fazą anatazu. Zaobserwowano zwiększenie udziału fazy krystalicznej ze wzrostem temperatury krzemowego podłoża. Określono i przedyskutowano zmiany wartości parametrów opto-elektronicznych krzemowych ogniw słonecznych w funkcji temperatury osadzania warstw antyrefleksyjnych Ti02.
EN
The paper presents the results of DLTS measurements for 1mm 2-sized specimens which have been cut from silicon solar cells showing considerable inhomogeneity as detected by means of the LBIV method. Transport and noise characteristics hace been also measured for these specimens.
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów defektowych (Deep Level Transient Spectroscopy - DLTS) dla próbek w wymiarach 1 mm 2 uzyskanych z krzemowych ogniw słonecznych. Ogniwa wykazywały znaczną niejednorodność, co stwierdzono za pomocą metody polegającej na wytwarzaniu napięcia wzbudzonego wiązką światła (Light Beam Induced Voltage - LBIV). Dla próbek tych zmierzono również charakterystyki statyczne oraz szumowe.
EN
The main goal of the study was to investigate the relationship between the orientation of the PVT (PhotoVoltaic Thermal) collector and the thermal and electric power generated. Extensive research was performed to find optimal tilt angles for hybrid solar thermal collectors, which combine photovoltaic as well as thermal collection in a single unit, known as PVT (PhotoVoltaic Thermal) modules for an office building with working hours between 7.00 and 16.00. The comprehensive study included field measurements of the modules in central Poland and tests under AM (air mass) 1.5 conditions in a certified laboratory KEZO (Centre for Energy Conversion and Renewable Resources) Polish Academy of Sciences in Jablonna. Furthermore, a PVT system was investigated using the simulation method based on the dedicated Polysun software. The PV characteristics and efficiency of the PV module and the relation between power or efficiency of the PVT module and incidence angle of solar-irradiance were studied. Optimal work conditions for commercial PVT modules were ascertained. In addition, it was found that the maximum efficiencies of PV module (ηPV), solar thermal-collector (ηc) and PVT hybrid collector (ηPVT) registered under field conditions were higher than the ones measured under laboratory conditions.
PL
Przeprowadzono badania eksperymentalne charakterystyk stałoprądowych oraz szumowych krzemowych ogniw słonecznych. Wykonano pomiary około 20 ogniw słonecznych wytworzonych z pojedynczych kryształów krzemu. W celu zrealizowania przyspieszonego starzenia, badane próbki były testowane w podwyższonej temperaturze 400 K. Charakterystyki stałoprądowe I-V oraz szumowe były mierzone przed poddaniem próbek starzeniu oraz w trakcie tego procesu, kolejno, po 200, 500, 1000, 2000, 3000, 5000, oraz 10000 godzin starzenia. Gęstość widmowa mocy szumów odnosząca się do defektów jest typu 1/f. Próbki o niższym poziomie szumów posiadają większą efektywność przetwarzania energii. Średnia wartość gęstości widmowej mocy wzrasta z czasem przyspieszonego starzenia. Autorzy proponująwykorzystanie parametru SIM, odnoszącego się do gęstości widmowej mocy szumów przy polaryzacji w kierunku przewodzenia dla prądu IF = 10⁻³ A jako wskaźnika jakości i niezawodności.
EN
About 20 solar cells manufactured from silicon single crystals have been measured, m. For the purpose of accelerated ageing, the samples were subjected simultaneously to a higher temperature 400 K. The sample I-V characteristic and the noise parameters were measured before sample stressing and, subsequently after 200, 500, 1000, 2000, 3000, 5000 and 10000 stressing hours. Noise spectral density related to defects is of 1/f type. Samples with lower noise have higher efficiency. The average value of the noise spectral density increases with stressing time. Taking into account the measurement results we propose to use the power spectral density parameter Sim measured at forward current IF = 10⁻³ A as a quality an reliability indicator. It has been found out that there is a strong correlation between the initial-state noise and the conversion efficiency after 10000 hours of stressing.
PL
Przedmiotem pracy jest warstwa azotku krzemu spełniająca rolę warstwy antyrefleksyjnej i pasywującej w krzemowym ogniwie słonecznym. Pokazano również, ze warstwy SiNx o dużej gęstości osadzone metodą LF PECVD są bardziej odpowiednie dla ogniw słonecznych niż osadzone metodą RF PECVD. Zastąpienie warstw TiOx przez warstwy SiNx zwiększyło sprawność ogniw o 11,9%.
EN
The paper deals with silicon silicon nitride layers for silicon solar cells application. The silicon layer is deposited by RF and LF PECVD methods. It was shown that high density SiNx layer deposited by LF PECVD are more suited for solar cells than layers deposited by RF PECVD method. The efficiency of solar cells was increased about 11.9% by replacing TiOx ARC by LF PECVD SiNx ARC.
PL
Metoda trawienia chemicznego z użyciem klasterów palladu osadzonych na powierzchni krzemu może być użyta do teksturowania powierzchni w ogniwach słonecznych. Efektywny współczynnik odbicia Reff dla powierzchni teksturowanych przy użyciu MAE wynosi 10...15% i jest znacznie mniejszy w porównaniu z powierzchnią teksturowaną metodą trawienia kwasowego powszechnie stosowanej obecnie w produkcji ogniw (R eff = 23%). Badania przy użyciu transmisyjnego mikroskopu elektronowego TEM wykazały istnienie metalicznych klasterów zanurzonych w kanalikach krzemu porowatego. Efektywny czas życia nośników ładunku jest znacznie obniżony w płytce krzemowej z warstwą krzemu porowatego powstałego wyniku trawienia metodą MAE. W wyniku procesu trawienia krzemu porowatego w roztworach KOH lub HF/HNO₃/H₂O efektywny czas życia może znacznie wzrosnąć.
EN
The metal assisted chemical etching of silicon using palladium clusters deposited on the silicon surface can be used for surface texturization of solar cells. The effective reflectivity is about 10...15% for the MAE textured and is lower in comparison with standard acidic texturization (R eff = 23%). The TEM analysis, indicate the presence of metallic Pd clusters embedded in the pores of the porous silicon. The effective lifetime of the carriers is strongly reduced by porous silicon formation. The consecutive chemical etching of porous silicon with KOH or HF/HNO₃/H₂O can increases the lifetime considerably.
PL
W artykule wyodrębnić można dwa aspekty. Pierwszym aspektem niniejszej pracy są jej walory naukowe i poznawcze. Określono wpływ warunków wytwarzania elektrody przedniej zarówno metodą tradycyjną, jak i metodą selektywnego spiekania laserowego na strukturę uzyskanej elektrody oraz strefę jej połączenia z podłożem krzemowym. Analizie poddano również wpływ morfologii (powierzchnia teksturowana lub bez tekstury) oraz stanu powierzchni płytek krzemowych (warstwa antyrefleksyjna lub jej brak) na wynik uzyskanych rezystancji. Drugi aspekt pracy dotyczy wyznaczenia rezystancji elektrod przednich zastosowaną metodą linii transmisyjnych na stanowisku badawczym, w którym zaprojektowano i wykonano najważniejsze elementy składowe: moduł sterowania, przystawkę oraz matrycę pomiarową.
EN
The article can be distinguished two aspects. The first aspect of this study are its advantages and cognitive science. The influence of the manufacturing front electrode both the traditional method and the method of selective laser sintering of the structure of the resulting electrode and the connection zone between electrode and silicon. It was also analyzed the influence of morphology (surface textured or without texture) and the state of the surface of silicon wafer (layer anti-reflective or its lack of) on the result obtained resistance. The second aspect of the work concerns the front electrode resistance of the transmission line method was used on the test, which was designed the most important components: a control unit, attachment and measurement matrix.
19
Content available remote The stencil printing for front contact formation on the silicon solar cells
75%
EN
This study reports the stencil printing process of a front contact electrode on monocrystalline (Cz-Si), textured silicon solar cells. The final parameters of the cells obtained by applying the squeegee blades with different hardness and detected by SEM, Corescanner, LBIC and I-V systems are analysed. By using stencil technique, the front side metallization has been reduced by 7.5%, resulting in the limiting of shading losses and improvement of the Si solar cell output parameters. The stencil printing of 100 μm fingers width with aspect ratio of 0.50 resulted in short circuit current density of 34.7 mA/cm2, open circuit voltage of 606 mV, fill factor of 0.768 and cell conversion efficiency of 16.16% compared to 15.33% with screen printed contacts.
PL
W pracy opisano proces nadruku kontaktów przednich przy użyciu szablonu na krzemowe ogniwa monokrystaliczne z powierzchnią posiadającą teksturę. Finalne parametry ogniw z elektrodami naniesionymi z wykorzystaniem rakli o różnej twardości uzyskano na podstawie pomiarów SEM, Corescan, LBIC oraz charakterystyk prądowo-napięciowych I-V. Wyniki poddano analizie, co pozwoliło zaobserwować fakt, że zastosowanie techniki nadruku kontaktów za pomocą szablonu doprowadziło do redukcji obszaru pokrytego zmetalizowanymi elektrodami o 7,5%. Powoduje to ograniczenie strat w parametrach wyjściowych ogniw poprzez zwiększenie powierzchni czynnej ogniw. Zastosowanie szablonu nadruku o szerokości przekroju pojedynczej ścieżki 100 m oraz współczynniku wzajemnej relacji (wys. do szer.) 0,5, pozwala uzyskać ogniwo cechujące się: gęstością prądu zwarcia Jsc ok. 34,7 mA/cm2, napięciem obwodu otwartego 606 mV, współczynnikiem wypełnienia 0,768 oraz sprawnością 16,16%. Sprawność osiągana dla ogniwa z kontaktami wykonanymi klasyczną techniką sitodruku to 15,33%.
PL
W artykule przedstawiono wyniki dziewięcioletnich badań z różnych okresów pracy instalacji fotowoltaicznej. Analizie porównawczej poddano układ nadążny i stacjonarny zainstalowany na budynku Wydziału Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki Politechniki Łódzkiej. System wyposażony jest w połączone szeregowo moduły, które przekazują energię elektryczną do sieci wewnętrznej uczelni. Parametry instalacji są na bieżąco rejestrowane i archiwizowane.
EN
The following paper presents the results of 9 years-time electrical parameters measurements of photovoltaic system working at different periods. They were installed on the building of the Faculty of Electrical, Electronic, Computer and Control Engineering at the Technical University of Łodź. The system is equipped with PV modules connected in series, which transfer electrical energy to the internal university network through converters. system parameters are stored and monitored.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.