Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Influence of junction parameters on the open circuit voltage decay in solar cells
100%
EN
Starting from the general equivalent model of a solar cell including junction capacitance and shunt resistance connected with surface recombination of photocarriers, the phenomenon of open circuit voltage decay was analysed. The time decay of a photovoltage is influenced by the junction capacitance time constant to a great extent. The time constants of both depletion layer and diffusion capacitances varying with applied bias voltage were examined. The detailed analysis of these time constants allowed for evaluation of the forward bias voltage that should be applied to c-Si solar cell to minimize this detrimental effect. As it was shown, that voltage bias can be easily generated by the constant illumination, the so-called bias light. Impedance measurements of solar cells in the frequency range 10 Hz–100 kHz and with varying voltage bias allowed for additional characterisation of the junction capacitance and resistance. The measured parameters agree well with these used in model calculation of a photovoltage decay.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.