Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 36

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
|
|
tom Vol. 32, nr 3
307-317
EN
Photoreflectance spectroscopy is presented as a powerful tool of the investigation of different kinds of low dimensional semiconductor structures being a fundamental part of modern electronic or optoelectronic devices. The derivative nature of the modulation spectra gives high sensitivity of the method for optical transitions including those with nominally weak oscillator strength, like indirect in the real space or parity forbidden ones, and allows to investigate small volume objects like quantum dots. This short review includes results concerning single quantum wells of new material system like InGaAsN/GaAs, coupled quantum wells of two different material systems (GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs) and several InGaAs/GaAs quantum dot structures.
6
Content available remote On parallel calculation of energy band structure
100%
EN
We propose a parallel method for calculating the energy band structure. Our method can be easily implemented and does not require high speed of communication between the processors. In practical application our method allows for linear increase of the speed of calculations with the number of processors. We also analyse the optimization algorithms for energy band structure. We conclude that the most suitable optimization methods for nonlocal empirical pseudopotential method (NEPM) is adaptive simulated annealing (ASA).
8
80%
EN
The photoreflectance spectroscopy is presented as a powerful tool for the characterisation of semiconductor bulk and heterostructures. the advantages and possibilities offered by this electromodulation technique to investigate optical properties of a number of semiconductors and semiconductor structures, on which the modern electronic and optoelectronic devices are based, are reviewed. We discuss the application of the photoreflectance spectroscopy to study various properties of semiconductors, including the composition of multinary semiconducting compounds, carrier concentration, characteristic lifetimes of carriers, energies of trap states, distribution of the built-in electric field in home- and heterostructures, the influence of perturbations such as temperature, strain and effects of growth processing and annealing.
EN
CdSe/ZnS nanocrystal powder covered with an additional cap layer (II-shell) of hexadecylamine (HDA) or tri-n-octylphosphine oxide (TOPO) has been investigated by using photoluminescence (PL) and total photoluminescence excitation (TPLE) spectroscopy. Depending on II-shell composition, different emission properties of the system have been observed. Strong emission bands at 2.00 eV and 1.95 eV related to nanocrystalline CdSe core recombination have been observed for TOPO and HDA-CdSe/ZnS nanocrystals, respectively. In both cases, weak emission bands centered at 3.5 and 2.8 eV have also been found. Moreover, in the case of TOPO II-shell, emission band at 1.65 eV related to defect state recombination has been observed. In both cases, similar absorption properties have been found, indicating that II-shell composition does not change nanocrystal absorption properties in an efficient way.
PL
W dniach 26-28 czerwca 2000 r. odbyła się we Wrocławiu XIII Konferencja: Nauczanie Fizyki w Wyższych Szkołach Technicznych, zorganizowana przez Instytut Fizyki Politechniki Wrocławskiej i Polskie Towarzystwo Fizyczne.
PL
W pracy przedstawiono wybrane rezultaty badań spektroskopowych realizowanych w Zespole Optycznej Spektroskopii Nanostruktur Instytutu Fizyki Politechniki Wrocławskiej prowadzonych w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni. Przedstawiono możliwości jakie daje stosowanie spektroskopii modulacyjnej do wyznaczania parametrów istotnych przy konstruowaniu urządzeń takich jak np.: lasery półprzewodnikowe. W pierwszej części przedstawiono wyniki badań struktur przeznaczonych na zakres drugiego i trzeciego okna telekomunikacyjnego (1,3...1,55 μm) głównie studni, kropek i kresek kwantowych. W drugiej części omówiono przykłady rezultatów dla studni I i II rodzaju przeznaczonych do zastosowań laserowych w czujnikach gazów (węglowodorów) na zakres 3...3,5 μm. W trzeciej części przedstawiono możliwości prowadzenia badań (spektroskopii modulacyjnej) w obszarze spektralnym powyżej 5 μm (interesującym np.: z punktu widzenia konstrukcji laserów kaskadowych) z zastosowaniem spektrometr Fouriera.
EN
We have shown the results of optical investigation realized in the Group of The Optical Spectroscopy of Nanostructures from Institute of Physics Wrocław University of Technology. The have been shown the advantages and possibilities which the modulation spectroscopy gives in case of investigation performed on Iow dimensional semiconductor structures (i.e. semiconductor lasers). The first port of the paper presents the results of optical investigations performed on quantum wells, dots and quantum dashes designed for telecommunication spectral range (1.3...1.55 μm). In the second part we have shown investigations of type I and II quantum well designed for laser structures in gas sensing application at (3...3.5 μm). In the last part, the opportunities of making modulation spectroscopy with and without Fourier spectrometer experiments above 5 μm spectral range have been discussed.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań spektroskopowych struktur półprzewodnikowych prowadzonych w Zespole Optycznej Spektroskopii Nanostruktur Instytutu Fizyki Politechniki Wrocławskiej w zakresie widmowym średniej i długofalowej podczerwieni. Zaprezentowano możliwości jakie daje stosowanie spektroskopii modulacyjnej, wspartej spektroskopią fotoluminescencyjną, do wyznaczania parametrów fizycznych istotnych z punktu widzenia konstruowaniu urządzeń takich jak np. źródła promieniowania laserowego. W pierwszej części przedstawiono układ pomiarowy do spektroskopii modulacyjnej bazujący na spektrometrze Fouriera jak również wyniki badań zarówno studni kwantowych I rodzaju InGaAsSb/GaSb jak i II rodzaju GaSb/AlSb/ InAs/GaInSb/InAs/AlSb/GaSb do zastosowań emiterowych i detektorowych w zakresie 2-6 μm . W drugiej części przedstawione zostały rezultaty badań warstw HgCdTe o różnej koncentracji atomów kadmu przeznaczonych do zastosowań w czujnikach gazów w zakresie fal 5... 15 μm jak również rezultaty pomiarów fotoluminescencyjnych w obszarze przejść wewnątrzpodpasmowych dla supersieci GaAs/AIGaAs, będących podstawą laserów kaskadowych na zakres emisji 10...15 μm. Ponadto, zaproponowano eksperyment różnicowej spektroskopii odbiciowej pozwalający na szybką charakteryzacja optyczną (w czasie rzędu pojedynczych minut a nawet sekund) struktur półprzewodnikowych w szerokim zakresie spektralnym 1... 15 μm.
EN
In this work, we show the results of optical studies on low-dimensional structures realized in the Laboratory for Optical Spectroscopy of Nanostructures at Institute of Physics Wrocław University of Technology in the spectral range of mid and long wavelength infrared. In the first part there have been shown the advantages and opportunities which gives the modulation spectroscopy gives for the case of structures as InGaAsSb/GaSb type I and GaSb/AlSb/InAs/GaInSb/InAs/AlSb/GaSb type II quantum wells. In the second part, there are presented the results of optical characterization on HgCdTe layers with different Cd atoms content and also on GaAs/AlGaAs superlatticess in the range of intersubband transitions. Additionally, it has been also introduced a fast differential technique which allowed to measure the modulation-like spectra in the very short time scale (single minutes or even seconds) in the broad spectral range (1 ...15 μm).
|
1995
|
nr 11
32-33
EN
This work presents optical and structural characterization of europium and palladium doped titanium dioxide thin films prepared by modified magnetron sputtering. The metallic Eu and Pd dopants have been co-sputtered from a base Ti target (mosaic target) and deposited on SiO2 substrates. After the deposition samples were additionally annealed in air ambient for 2 hours at the temperatures of 200 °C, 400 °C, 600 °C and 800 °C, respectively. Structural properties of TiO2:(Eu, Pd) thin films were examined using X-ray diffraction (XRD). XRD patterns recorded after thermal treatment showed the dominating TiO2-rutile phase, independently of the temperature of annealing. Optical properties were studied as defined by optical transmission. It has been shown, that doping shifts the fundamental absorption edge of TiO2 toward the longer wavelength range. As the samples were additionally annealed the band gap widening has been observed from 1.7 eV, for as deposited sample up to 2.31 eV for those annealed at 800 °C.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.