Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Opisano metodykę pomiaru szumów małej częstotliwości diodowych detektorów podczerwieni.
EN
The paper describes methodology of low frequency noise measurements using diode infrared detectors
EN
The paper presents the method and results of low-frequency noise measurements of modern mid-wavelength infrared photodetectors. A type-II InAs/GaSb superlattice based detector with nBn barrier architecture is compared with a high operating temperature (HOT) heterojunction HgCdTe detector. All experiments were made in the range 1 Hz - 10 kHz at various temperatures by using a transimpedance detection system, which is examined in detail. The power spectral density of the nBn’s dark current noise includes Lorentzians with different time constants while the HgCdTe photodiode has more uniform 1/f - shaped spectra. For small bias, the low-frequency noise power spectra of both devices were found to scale linearly with bias voltage squared and were connected with the fluctuations of the leakage resistance. Leakage resistance noise defines the lower noise limit of a photodetector. Other dark current components give raise to the increase of low-frequency noise above this limit. For the same voltage biasing devices, the absolute noise power densities at 1 Hz in nBn are 1 to 2 orders of magnitude lower than in a MCT HgCdTe detector. In spite of this, low-frequency performance of the HgCdTe detector at ~ 230K is still better than that of InAs/GaSb superlattice nBn detector.
PL
Artykuł przedstawia najciekawsze wyniki prac badawczych uzyskanych w Vigo System S.A. w ramach realizacji zadania nr 5 PBZ -MNiSW 02/I/2007 pt.: "Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe". W pracy przedstawiony został postęp w technologii heterostruktur z HgCdTe i własności uzyskanych z nich detektorów średniej i dalekiej podczerwieni (MWIR i LWIR).
EN
This article presents scientific results of works carried out in Vigo System S.A., accomplished during realization of grant 5 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education and entitled Uncooled photodetectors from HgCdTe. The paper describes the progress of technology of HgCdTe heterostructures and properties of MWIR and LWIR detectors.
PL
Artykuł przedstawia wyniki prac badawczych uzyskanych w Vigo System S.A. i Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 5.1 PBZ-MiN-009/T11/2003 pt.: Opracowanie i wykonanie niechłodzonych i minimalnie chłodzonych detektorów średniej i dalekiej podczerwieni nowej generacji. W ramach tej pracy opracowano technologie i przebadano właściwości dwu klas detektorów: detektorów do spektroskopii Fouriera zakresu 3...16 mm i detektorów do szerokopasmowej (1 Gb/s) łączności optycznej w otwartej przestrzeni.
EN
This article presents scientific results of works carried out in VIGO System S.A. and Institute of Applied Physics Military University of Technology, accomplished during realization of grant 5.1 PBZ-MiN-009/T11 /2003 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education and entitled Elaboration and realization of new generation near room temperature middle- and long-wavelength infrared detectors. The paper describes the technology and properties of two types of detectors: photodetectors for Fourier spectroscopy and photodetectors for wide band optical space communication.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.