PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Studies of relationship between deep levels and RoA product in mesa type HgCdTe devices
100%
Yoshino J. , Morimoto J. , Wada H. , Ajisawa A. , Kawano M. , Oda N.
Opto-Electronics Review
|
1999
|
tom Vol. 7, No. 4
361-367
EN
The relationships between the figure of merit RoA representing the junction property and deep levels representing electric properties of semiconductors have been studied. RoA can be estimated by current-voltage (I-V) measurements. Deep levels can be estimated using spectral analysis of deep level transient spectroscopy (SADLTS). It has been confirmed that values of activation energies concentrate around 30 meV with the increase of RoA. This suggests that the influence from the inherent deep levels in the HgCdTe device becomes strong due to the increase of RoA, resulting in the improvement of the diode characteristics.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.