Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

1

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

100%

Szyszka A. , Wośko M. , Paszkiewicz R.

|

2019

|

tom R. 95, nr 9

157--160

PL

W artykule przedstawiono wstępne wyniki charakteryzacji elektrycznych właściwości heterostruktur AlGaN/GaN, osadzonych na podłożu krzemowym, wykonane skaningową mikroskopią pojemnościową oraz mikroskopią potencjału powierzchniowego przy jednoczesnym wykorzystaniu pobudzania optycznego próbki. Dzięki takiemu podejściu osiągnięto rozdzielczość przestrzenną rzędu dziesiątki nanometrów (typową dla pomiarów SPM) lecz jednocześnie możliwe było uzyskanie znacznie większej ilości użytecznych informacji o właściwościach struktury.

EN

The paper presents preliminary results of the characterization of the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on a silicon substrate by scanning capacitance microscopy and scanning surface potential microscopy using the optical stimulation of a sample. Owing to such an approach, spatial resolution of tens of nanometers (typical for SPM measurements) was achieved, but at the same time it was possible to obtain much more useful information about material properties than using scanning probe microscopy alone, without illumination.

2

High performance optical shutter design with scalable aperture

100%

Pokryszka P. , Wośko M. , Kijaszek W. , Paszkiewicz R.

|

tom Vol. 69, nr 5

art. no. e138236

EN

In this paper, design, construction and switching parameters of a self-made optical shutter with scalable aperture were reported. The aim of the study was to obtain the shortest possible switching times, minimum shutter open time and comparable with commercial shutter, the switch-on and switch-off times. For this purpose, numerical simulations were performed using Comsol Multiphysics 5.4. The design of the shutter and the control system have been optimized accordingly to the obtained results of numerical simulations. The optimized design was fabricated in a professional mechanical workshop and operational parameters of the constructed device were investigated. The switching parameters of the shutter, such as opening time, closing time, minimum shutter open time and other parameters were measured. The values of the parameters were determined from a statistical analysis of a sample consisting of 10,000 measurement results. The performed characterization showed that the tested device has the opening time of 0.8 ms, while the closing time is approximately 1 ms. The designed device is characterized by the minimum shutter open time of 6.4 ms.

3

Study of the side walls inclination angle after RIE process of piezotronic structures

100%

Owczarzak S. , Stafiniak A. , Prażmowska J. , Paszkiewicz R.

|

tom R. 97, nr 5

94--98

EN

Control of geometric features of fabricated semiconductors structures such as shape, depth and slope of side walls allows precize control the shape of fabricated piezotronic devices. The electrical response of the piezotronic materials is the most significant when the frequency of the input mechanical signal corresponds to the resonant frequency of the structure. The resonant frequency of the structures is defined by the structures properties and geometry. Therefore, the main aim of piezotronic structures fabrication during reactive ion etching process is receiving the assumed geometrical features. The fabrication of GaN structures with assumed geometric features requires taking into account parameters such as: inclination side walls angle of mask, selectivity of etching [semiconductor: mask], density and width of pattern, and target depth of structures. In this article, the half-empirical equation and the results of research on GaN structures inclination side walls angle evolution in function of pattern width were presented.

PL

Kontrola geometrycznych parametrów wytwarzanych półprzewodnikowych struktur, takich jak: kształt, głębokość i kąt nachylenia ścian bocznych, umożliwia precyzyjną kontrolę kształtu wytwarzanych przyrządów piezotronicznych. Odpowiedź elektryczna materiałów piezotronicznych jest największa, gdy częstotliwość sygnału mechanicznego odpowiada częstotliwości rezonansowej struktury. Częstotliwość rezonansowa struktury zależy od właściwości materiałowych oraz kształtu. Z tego powodu, głównym celem kształtowania struktur piezotronicznych w procesie reaktywnego trawienia jonowego jest otrzymywanie struktur o zadanych wymiarach geometrycznych. Otrzymywanie struktur GaN o zadanej geometrii wymaga uwzględnienia parametrów procesu trawienia, takich jak: kąta nachylenia ścian bocznych maski, selektywność trawienia, gęstość trawionych wzorów, szerokość wzoru oraz docelowa głębokość struktury. W artykule przedstawiono pół-empiryczne równanie i wyniki badań dotyczących wpływu szerokości wzoru na kąt nachylenia ścian bocznych struktur GaN.