Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

3 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Fabrication and characterization of transparent tin dioxide films with variable stoichiometric composition

100%

Ksenevich V. , Adamchuk D. , Odzhaev V. , Zukowski P.

tom R. 92, nr 8

187--189

Tin dioxide films with variable stoichiometric composition were fabricated by means of DC magnetron sputtering followed by a 2-stage annealing process. The structural and electrical properties of tin dioxide films were investigated by means of Raman spectroscopy and impedance spectroscopy, respectively. It was found that crystallinity and grain size of tin dioxide films increase with the increasing of annealing temperature. The most conductive samples were obtained at the annealing temperature 375°C on the 2-nd stage of the heat treatment procedure. Increasing of the impedance of films annealed at higher temperatures is explained by decrease of the concentration of oxygen vacancies.

Folie z dwutlenku cyny o zmiennym składzie stechiometrycznym zostały wytworzone za pomocą rozpylania magnetronowego przy użyciu prądu stałego oraz poddane dwuetapowemu wygrzewaniu. Właściwości strukturalne oraz elektryczne folii zostały zbadane przy użyciu spektroskopii ramanowskiej i spektroskopii impedancyjnej. Ustalono, że krystaliczność oraz rozmiary ziaren folii z dwutlenku cyny zwiększają się wraz ze wzrostem temperatury wygrzewania. Najbardziej przewodzące próbki zostały poddane wygrzewaniu w temperaturze 375°C w drugim etapie obróbki cieplnej. Wzrost impedancji folii wygrzanych w temperaturach wyższych jest związany ze zmniejszeniem koncentracji wakansów tlenu.

Processes of cubic boron nitride crystallization in B-N-Mg-O system

75%

Azarko I. , Ignatenko O. , Kozlova E. , Odzhaev V. , Shempel N. , Yankovsky O.

tom R. 84, nr 3

161-163

There were the paramagnetic properties of cubic boron nitride (cBN) crystals of different breakup studied. The samples were synthesized of hexagonal boron nitride of different structural perfection in the system BN-Mg-MgO. The magnesium oxide introduction to the furnace on the first stages of the synthesis stimulates the cBN nuclei formation and the fine grain yield. A non-monotone increase of the paramagnetic centers number and the ESR-line widening occurs as increases the size of the crystals synthesized of boron nitride with the graphitization index 2.5.

Zbadano paramagnetyczne właściwości azotku boru cBN o strukturze kubicznej o różnym rozpadzie. Próbki były otrzymywane z heksagonalnego azotku boru w systemie BN-Mg-MgO. Tlenek magnezu wprowadzany do pieca na pierwszym etapie syntezy stymulował formowanie się zarodków cBN i krystalizację. Niemonotonicznie wzrastała liczba paramagnetycznych centrów a elektroniczny rezonans spinowy wykazywał wzrost kryształów ze współczynnikiem grafityzacji 2.5.

AFM, ESR and optic study of Sb+ ions implanted photoresist

75%

Azarko I. , Bumai J. , Volobuev V. , Zhukovski P. , Lukashevich M. , Odzhaev V.

tom R. 86, nr 7

270-271

Structure, electron spin resonance and reflection coefficient in thin films (1.8 �Ęm) of photoresist implanted by 60 keV antimony ions have been investigated in the fluence range 1x1015 . 5x1016 cm-2. Formation carbonized layer at critical fluence 5x1016 cm-2 have been observed. Thickness of implanted layer determined as 0.27- 0.39 �Ęm and refraction coefficient changes in the range 2.4 . 3.4 depending on fluence implantation.

Badano strukturę, elektronowy rezonans spinowy oraz współczynnik odbicia cienkich powłok fotorezystu implantowanego jonami antymonu o energii 60 keV dawkami w zakresie 1x1015 – 5x1015 cm-2. Przy dawce krytycznej 5x1015 cm-2 zaobserwowano powstawanie warstwy osadu węgłowego. Określono grubość warstwy implantowanej: 0.27- 0.39 .m oraz zmiany współczynnika odbicia – w zakresie 2,4 - 3,4 w zależności od dawki implantacji.