Theoretical studies of interface impact on structural properties of InAs/GaSb type-II superlattices were carried out. Multilayer structures used for mid-infrared detection were considered. The superlattices examined consisted of 190 pairs of 9 monolayers (MLs) of InAs and 10 MLs of GaSb. Both types of interfaces, i.e., "GaAs-like" as well as "InSb-like", were analyzed. The simulations were performed using dynamical theory of diffraction for different thicknesses of interface layers. The lattice mismatch was extracted from X-ray diffraction profiles. The analysis performed shows that the strain-balanced InAs/GaSb superlattice can be optimized by using thin InSb-like or GaAs-like interface layers simultaneously.
Prezentujemy systematyczny rozwój naszych prac nad technologią laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs. W wyniku zastosowania właściwych rozwiązań konstrukcyjnych oraz udoskonalenia procesów wytwarzania przyrządów, otrzymaliśmy lasery działające w temperaturze pokojowej, które ostatnio zdały test w ramach prototypowego układu detekcji śladowych ilości substancji gazowych.
EN
We present a systematic development of our works on technology of AlGaAs/GaAs quantum-cascade lasers. As a result of appropriate constructional solutions as well as improvement of device fabrication processes we have obtained the room-temperature operating lasers. These devices have recently passed the test as mid-infrared sources within prototype gas trace detection system.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.