Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wykaz chlewni reprodukcyjnych w woj. czestochowskim na dzien 12 XI 1993 r.

100%

Bieniek T.

nr 01

13-14

Alkaloidy w dawkach pokarmowych dla tucznikow

100%

Bieniek T.

nr 01

19-20

Proekologiczne technologie produkcji trzody chlewnej

75%

Bieniek T.

nr 03

19-22

Badania międzylaboratoryjne komercyjnego urządzenia medycznego

63%

Woźnica T. , Bieniek T.

tom R. 88, nr 2

11-13

Artykuł opisuje metody oraz wyniki badań kompatybilności elektromagnetycznej rzeczywistego, komercyjnego urządzenia medycznego, przeprowadzonych przez dwa laboratoria, wykorzystujące znacząco różny zestaw aparatury badawczej.

The paper presents a results and method of the electromagnetic compatibility tests of the commercial medical device. The tests have been made by two different EMC laboratories with using significantly different test set-up.

Nowoczesne metody sporzadzania kiszonek

63%

Bieniek T.

nr 07

13-14

Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

51%

Bieniek T. , Stęszewski J. , Sochacki M. , Szmidt J.

tom Vol. 49, nr 7-8

11-15

W pracy zaprezentowano możliwości symulacji charakterystyk elektrycznych przyrządów wykonanych na podłożach z węglika krzemu na przykładzie diod Schottky'ego i tranzystorów MOSFET i JFET. Wszystkie przyrządy modelowane były przy użyciu oprogramowania Atlas firmy Silvaco [1]. W przypadku diod Schottky'ego przeprowadzono analizę i optymalizacje różnych wariantów technologii pod kątem wytworzenia diody o jak najwyższym napięciu blokowania w kierunku zaporowym. W analizie tranzystorów głównym celem było zbadanie wpływu domieszkowania obszaru RESURF oraz jego geometrii na napięcie przebicia i rezystancję w stanie włączenia.

This contribution presents the capabilities of Silvaco Atlas software devoted to electrical analysis of SiC Schottky diodes, JFETs and MOSFETs. Different techniques of Schottky diode contact termination are modeled and discussed in details. Influence of RESURF region doping level and geometry on transistor breakdown voltage and channel on-resistance is analyzed.

Low temperature plasma oxidation of silicon-possibility of application in CMOS-ULSI technology

51%

Beck R. B. , Bieniek T. , Wojtkiewicz A. , Jakubowski A.

tom 80

Stabilność termiczna ultracienkich warstw tlenko-azotków osadzanych metodą PECVD

45%

Mroczyński R. , Cuch M. , Bieniek T. , Beck R. B. , Jakubowski A.

tom Vol. 46, nr 2-3

62-63

Opracowanie poświęcone jest zbadaniu wpływu wygrzewania wysokotemperaturowego na właściwości elektrofizyczne ultracienkich warstw SiOxNy.

The aim of this work is the experimental study of the influence of high-temperature annealing on electro-physical properties of the ultrathin oxynitride layers.