Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

2 2014

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Kelvin probe error compensation based on harmonic analysis of measurement signal

100%

Tyavlovsky A. K. , Zharin A. L. , Gusev O. K. , Kierczyński K.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

tom R. 90, nr 3

251--254

Reducing of gap-depended errors of Kelvin probe’s measurement signal is achieved by harmonic analysis of measurement signal itself, eliminating the need in optical or other distance measurements. Probe-to-sample gap value is calculated via the signal’s second to first harmonic amplitudes ratio. Gap-depended error compensation can be made in real-time mode as it is shown in the experiment.

Zmniejszanie błędów szczeliny zależnego od sygnału pomiarowego sondą Kelvina uzyskuje się za pomocą analizy harmonicznej samego sygnału pomiarowego, co eliminuje potrzebę używania optycznych lub innych pomiarów odległości. Wartość szczeliny sondy od próbki oblicza się poprzez stosunek amplitud harmonicznych drugiego sygnału do pierwszego. Kompensacja błędu szczeliny może odbywać się trybie czasu rzeczywistego, jak pokazano w doświadczeniu.

Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range

63%

Vorobey R. I. , Gusev O. K. , Tyavlovsky A. K. , Tyavlovsky K. L. , Svistun A. I. , Shadurskaya L. I. , Yarzhembitskaya N. V. , Kierczyński K.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

tom R. 90, nr 5

75--78

Semiconductors with deep multiply charged impurity are proposed as a basis for photodetectors with a large dynamic range of sensitivity. The model of recombination processes is used to develop photodetectors with extended dynamic range and functionality. It is shown that the use of such structures can significantly extend the dynamic range and sensitivity resulting in new functional properties of photodetectors with a simple structure.

Do formowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzoną dynamiczną skalą czułości proponuje się wykorzystanie półprzewodników domieszkowanych głęboką wieloładunkową domieszką. Do opracowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami i dynamiczną skalą wykorzystano model zjawisk rekombinacyjnych. Udowodniono, że wykorzystanie takich struktur pozwala istotnie poszerzyć dynamiczną skalę czułości oraz otrzymać nowe funkcjonalne właściwości przetworników fotoelektrycznych z prostą strukturą.