PL
 |
EN
Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wspomnienie o profesorze Bolesławie Konarskim
100%
Tadeusiewicz M. , Morawska H.
|
2002
|
tom Z. 1
41-51
2
Content available remote Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points
100%
Hałgas M. , Tadeusiewicz M.
|
2011
|
tom R. 87, nr 5
40-42
EN
This paper is devoted to the analysis of the circuits containing short-channel MOS transistors, having multiple DC solutions (operating points). The transistors are characterized by the PSP model, the most advanced surface-potential-based compact MOSFET model, selected (since December 2005) as standard for the new generation of integrated circuits. This paper offers an algorithm enabling us to find multiple DC solutions and trace multivalued input-output characteristics of integrated circuits using the latest PSP 103.1.1 MOSFET model. The main idea of the algorithm is based on a single-valued driving point characteristic, called a test characteristic and the section-wise piecewise-linear approximations. The approach proposed in this paper is illustrated via a numerical example.
PL
Praca dotyczy analizy układów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem, mających wiele rozwiązań DC. Tranzystory są opisane za pomocą modelu PSP, najbardziej zaawansowanego, opartego na koncepcji potencjału powierzchniowego modelu MOSFET, uznanego w 2005 roku za standardowy w zastosowaniu do nowej generacji układów scalonych. W pracy zaproponowano algorytm obliczania wielokrotnych rozwiązań DC oraz wyznaczania wielowartościowych charakterystyk typu wejście-wyjście układów scalonych, z użyciem najnowszej wersji PSP 103.1.1 modelu MOSFET. W algorytmie wykorzystano pewne jedno-wartościowe charakterystyki wejściowe, zwane charakterystykami testowymi oraz uogólnioną odcinkowo-liniową aproksymację. Dla ilustracji podano przykład liczbowy.
3
Finding all the DC solutions of circuits containing diodes and bipolar transistors
100%
Tadeusiewicz M. , Hałgas S.
|
2009
|
tom Vol. 50, nr 12
39-42
EN
The paper deals with diode-transistor circuits having multiple DC solutions and offers two contraction and elimination methods enabling us to find all the DC solutions. They can be directly used to the circuits with constant parameters, when the chip is at fixed temperature, or merged into an earlier developed algorithm enabling us to analyze circuits with the thermal constraint. Numerical experiments show that the proposed approach is efficient and improves the analysis of transistor circuits having multiple DC solutions. It is illustrated via a numerical example.
PL
Praca dotyczy analizy układów diodowo-tranzystorowych o wielu punktach równowagi. Zaproponowano w niej dwie metody zawężania i eliminacji umożliwiające opracowanie algorytmu wyznaczania wszystkich rozwiązań stałoprądowych. Metody te mogą być użyte bezpośrednio do analizy układów o stałych parametrach, rozpatrywanych w ustalonej temperaturze lub wprowadzone, jako procedury, do wcześniej opracowanego algorytmu wyznaczania wszystkich rozwiązań DC z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania chipu. Przykłady numeryczne pokazały, że zaproponowane podejście jest skuteczne i usprawnia analizę układów tranzystorowych o wielu rozwiązaniach DC. Jeden z przykładów zamieszczono w pracy.
4
Content available remote Tracing temperature characteristics in diode-transistor circuits having multiple DC solutions
100%
Tadeusiewicz M. , Hałgas S.
|
2007
|
tom Vol. 55, nr 3
317-323
EN
The paper deals with circuits, composed of bipolar transistors, diodes, resistors and independent voltage sources, having multiple DC solutions. An algorithm for tracing temperature characteristics, expressing the output signal in terms of the chip temperature, is developed. It is based on the efficient method for finding all the DC solutions sketched in this paper. The algorithm gives complete characteristics which are multivalued and usually composed of disconnected branches. On the other hand the characteristics provided by SPICE are fragmentary, lose some branches or exhibit apparent hysteresis.
5
Content available remote Analiza układów nieliniowych o wielu rozwiązaniach DC
100%
Tadeusiewicz M. , Hałgas S.
|
2009
|
tom R. 85, nr 11
149-152
PL
Praca dotyczy analizy nieliniowych układów analogowych o wielu punktach równowagi (rozwiązaniach DC). Przedstawiono prostą metodę pozwalającą wyznaczyć niektóre z tych rozwiązań, opartą na idei charakterystyk testowych. Zdefiniowano cztery rodzaje charakterystyk testowych. Zaproponowano wykorzystanie tej metody w algorytmie gwarantującym znalezienie wszystkich rozwiązań DC oraz zamieszczono przykład liczbowy potwierdzający skuteczność tego rodzaju podejścia.
EN
The paper deals with nonlinear circuits having multiple equilibrium points (DC solutions). A simple method enabling us to find some of the multiple DC solutions is developed. It is based on the idea of test characteristics. Four types of the characteristics have been defined. The proposed method can be combined with an algorithm that guarantees finding all the solutions. A numerical example given in the paper shows that the proposed approach is efficient.
6
Zastosowanie koncepcji homotopii do analizy DC układów tranzystorowych z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania
100%
Tadeusiewicz M. , Hałgas S.
|
2008
|
tom Vol. 49, nr 11
140-144
PL
Artykuł dotyczy analizy układów tranzystorowych o pojedynczym rozwiązaniu DC (punkcie pracy) z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania chipu. Zaproponowano algorytm, którego kluczowym ogniwem jest bardzo efektywna metoda wyznaczania punktu pracy w ustalonej temperaturze, wykorzystując koncepcję homotopii. Zjawisko samonagrzewania jest uwzględnione przy wykorzystaniu elektrycznego analogu termicznego zachowania chipu. Ponadto wprowadzono modyfikację algorytmu umożliwiając skuteczne wyznaczanie charakterystyk termicznych w zależności od temperatury otoczenia. Przytoczono przykład liczbowy ilustrujący proponowane podejście.
EN
This paper is devoted to the analysis of diode-transistor circuits having a unique operating point (DC solution) and offers an algorithm for finding the solution considering the thermal behavior of the chip. The crucial point of the algorithm is a very efficient method for finding the DC solution without thermal constraint based on the homotopy concept. It also exploits a known idea of electrical analog of the chip thermal behavior. Furthermore an algorithm for tracing the characteristic expressing the solution in terms of the ambient temperature, allowing for the thermal behavior of the chip, is developed. A numerical example illustrates all the questions discussed in this paper.
7
Content available remote Contraction and elimination methods for finding multiple DC solutions of bipolar circuits
100%
Tadeusiewicz M. , Hałgas S.
|
2010
|
tom R. 86, nr 1
11-13
EN
The paper is focused on the analysis of diode-transistor circuits having multiple DC solutions and brings two methods enabling us to find the solutions, without any piecewise-linear approximations. The first method is a modification of an earlier developed method, whereas the other is new and based on an original idea. Both the methods are implemented in an algorithm that guarantees finding all the DC solutions. Numerical experiments show that the proposed approach is efficient, the analysis is improved and the computation process is speeded up.
PL
Artykuł dotyczy analizy układów diodowo-tranzystorowych o wielu rozwiązaniach stałoprądowych. Zaproponowano dwie metody umożliwiające wyznaczanie tych rozwiązań bez konieczności stosowania aproksymacji odcinkowo-liniowej. Metody te zaimplementowano w postaci algorytmu gwarantującego znalezienie wszystkich rozwiązań DC. Eksperymenty numeryczne potwierdziły efektywność zaproponowanego podejścia.
8
Metoda wykrywania uszkodzeń parametrycznych w układach tranzystorowych
80%
Tadeusiewicz M. , Hałgas S. , Sidyk P.
|
|
tom Vol. 48, nr 11
31-33
PL
Praca dotyczy badania uszkodzeń wielokrotnych o charakterze parametrycznym w układach tranzystorowych prądu stałego. Przedstawiono nową metodę potestową lokalizacji i identyfikacji uszkodzonych elementów przy ograniczonym dostępie do punktów testowych. W badaniach symulacyjnych uwzględniono silne nieliniowości wprowadzane przez tranzystory bipolarne. Metoda nie stawia bardzo rygorystycznych wymagań w zakresie dokładności pomiarowych. Może być uogólniona na obszerną klasę analogowych układów elektronicznych. Przytoczono przykład liczbowy ilustrujący zaproponowaną metodę i potwierdzający jej skuteczność.
EN
A method for multiple fault diagnosis in DC transistor circuits is developed in this paper. It deals with soft-faults, belongs to the class of simulation after test methods and gets along with strong nonlinearities introduced by the bipolar transistors. The method enables us to identify faulty elements and evaluate their values in the circuits with very limited accessible terminals for excitation and measurement. It does not require very high measurement precision. The method can be generalized to a broad class of electronic circuits. A numerical example illustrates the proposed approach and shows its efficiency.
9
Content available Tracing temperature characteristics in diode-transistor circuits having multiple DC solutions
80%
Tadeusiewicz M. , Hałgas S.
|
|
tom 55
|
nr 3
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.