Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Optica Applicata

1 2020

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Optimization of p-type contacts to InGaN-based laser diodes and light emitting diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy

100%

Nowakowski-Szkudlarek K. , Muziol G. , Żak M. , Hajdel M. , Siekacz M. , Feduniewicz-Żmuda A. , Skierbiszewski C.

Optica Applicata

2020

tom Vol. 50, nr 2

323--330

We investigated the influence of the In0.17Ga0.83N:Mg contact layer grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on the resistivity of p-type Ni/Au contacts. We demonstrate that the Schottky barrier width for p-type contact is less than 5 nm. We compare circular transmission line measurements with a p-n diode current-voltage characteristics and show that discrepancies between these two methods can occur if surface quality is deteriorated. It is found that the most efficient contacts to p-type material consist of In0.17Ga0.83N:Mg contact layer with Mg doping levelas high as 2 × 1020 cm–3.