Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Dwuetapowe formowanie dwukrzemianu tytanu

100%

Żukowski P. , Karwat C. , Kozak C. , Kolos V. V. , Markevich M. I. , Stelmakh V. F. , Chaplanov A. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

tom Vol. 52, nr 11

74-75

Niniejszy artykuł poświęcony jest formowaniu dwukrzemianu tytanu w układzie TiN/Ti/Si przy szybkiej obróbce termicznej (SOT) w dwóch etapach. Wyniki badań pokazują, że szybka obróbka termiczna w dwóch etapach (pierwszy etap - przy temperaturze 650° C, drugi - przy 850°C) pozwala uformować warstwę niskoomowego dwukrzemianu tytanu o modyfikacji C54. Ochronna warstwa azotku tytanu podczas SOT prowadzi do bardziej jednorodnego formowania się rozmiarów ziaren w układzie TiN/Ti/Si.

The work is devoted to investiqation of formation phase TiSi₂ in the TiN/Ti/Si system during a two-stage rapid heat treatment (RHT). The investigation results indicate that RHT involving two stages the first of which is carried out at the temperature of 650°C and the second at 850°C enables formation of a low-resistance titanium disilicide layer of C54 modification. Protective nitride layer during the RHT leads toa more uniform formation of grain sizes in the TiN/Ti/Si structure.