Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2007

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: związki półprzewodnikowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Urządzenia cieplno-chemiczne do wytwarzania nowoczesnych związków półprzewodnikowych

100%

Orzyłowski M. , Łobodziński W.

tom Vol. 48, nr 8

74-76

Opisano wybrane urządzenia opracowywane w Przemysłowym Instytucie Elektroniki na potrzeby przemysłu półprzewodnikowego: urządzenie do syntezy i polikrystalizacji fosforku indu metodą HGF oraz urządzenie do monokrystalizacji węglika krzemu metodą PVT. Procesy te wymagają wysokotemperaturowych pól temperatury o precyzyjnie kontrolowanym rozkładzie w reaktorach o określonej atmosferze gazowej i ciśnieniu. Do syntezy i krystalizacji konieczne jest też wytwarzanie gradientów temperatury, które przesuwają się wraz z frontami krystalizacji. Temperatura pracy reaktorów opisywanych urządzeń wynosi od kilkuset do ok. 2500°C, ciśnienie od próżni do 3 MPa, a ponadto często we wspomnianych procesach stosowane są niebezpieczne materiały, takie jak na przykład fosfor. Wśród najważniejszych podstaw teoretycznych rozwoju urządzeń cieplno-chemicznych są precyzyjne matematyczne modelowanie pól temperatury w reaktorach tych urządzeń i sterowanie tymi polami z zastosowaniem wielokanałowych systemów komputerowych.

The paper describes selected systems worked out in Industrial Institute of Electronics for semiconductor industry purposes: system for indium phosphide synthesis and polycrystallization by HGF method and system for silicon carbide monocrystallization by PVT method. These processes require the high-temperature fields of precise controlled distribution in the reactors of determined gas atmosphere and pressure. For synthesis and crystallization the temperature gradients moving with the crystallization fronts are necessary. Work temperature in the reactors of described systems is in the range of few hundred to 2500°C and pressure from vacuum to 3 MPa. Very often the hazardous chemicals such as phosphorus are used. One of the most important theoretical basics of development of described systems are: precise mathematical modeling of the temperature fields in the reactors and control of these fields by mean of multi-channel computer systems.