Wyniki wyszukiwania - Biblioteka Nauki

Ten serwis zostanie wyłączony 2025-02-11.

Nowa wersja platformy, zawierająca wyłącznie zasoby pełnotekstowe, jest już dostępna.
Przejdź na https://bibliotekanauki.pl

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: wzrost warstw

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Reakcje prowadzące do wzrostu warstw a-SiNx:H w układzie PE CVD

100%

Boszkowicz P. , Jonas S. , Jurzecka-Szymacha M. , Tkacz-Śmiech K.

Inżynieria Materiałowa

2008

tom Vol. 29, nr 6

776-779

Przedstawiono model wzrostu warstw azotku krzemu a-SiNx:H na drodze chemicznego osadzania z fazy gazowej. Model uwzględnia przebieg reakcji chemicznych w fazie gazowej i reakcji heterogenicznych na powierzchni w roli katalizatora. W warunkach plazmy (układ PE CVD), reakcje heterogeniczne przebiegają głównie z udziałem aktywnych rodników, a zasadniczy wpływ na ich przebieg ma wodór. Uzasadniono, że bierze on udział w tworzeniu wiązań wiszących, których gęstość decyduje o szybkości wzrostu warstwy i o jej strukturze. Proponowany model pozwala wyjaśnić mechanizmy odpowiedzialne za tworzenie struktury amorficznej, jaka wynika z analizy widma FT IR. Jego założenia są zgodne z przebiegiem polimeryzacji i teorią kompleksu aktywnego.

A model of a growth of amorphous silicon nitride layers (a-SiNx:H) via chemical vapour deposition is presented. The model considers a run of chemical reactions in gas phase and heterogeneous reactions on the surface. In plasma conditions, the chemical reactions take place with a contribution of active radicals. The process is limited by hydrogen that takes part in the formation of dangling bonds. The density of dangling bonds determines a rate of the growth and the structure of the layer. The present model explains mechanisms responsible for the formation of amorphous structure (as it results from FT IR spectrum). It is in agreement with polymerisation and active complex approach.

Wzrost warstw w obecności wiązki jonów (IBAD) : symulacje komputerowe metodą Monte Carlo

63%

Oleszkiewicz W. , Romiszowski P.

tom Vol. 46, nr 6

11-13

Przedstawiono kontynuację badań symulacyjnych metodą Monte Carlo wzrostu warstw (w skali atomowej) wspomaganego niskoenergetycznym bombardowaniem jonowym (IBAD). W określonych warunkach procesu osadzania badano, w jakim stopniu oddziaływania adatom-adatom, jon-adatom, uwzględnione w modelu, wpływają na strukturę warstw i morfologię ich powierzchni. Stwierdzono, że oddziaływania te mogą znacząco zmieniać strukturę kolumnową warstw zwłaszcza w zakresie małych energii jonów bombardujących warstwę. Zmienia się wówczas również gęstość i chropowatość warstw.

Monte Carlo simulations of the IBAD process of layer growths in the atomic scale are presented. The investigations focused on the influence of both the adatom-adatom and ion-adatom interactions on the structure and the morphology of the layers. It was found that these interactions can determine the presence (or absence) of the columnar structure of the layers particularly for the low ion bombardment energy regime. Also the density and the roughness of the layers is sensible to the magnitude of these interactions.